LY62L51216B数据手册解读，如有其他疑问请联系

这份文件是关于Lyontek Inc.生产的LY62L51216B型号的512K x 16位低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM）的数据手册。以下是对文档内容的详细翻译和解读，以及图表内容的解释：

产品特性

• 快速访问时间：45/55纳秒。
• 低功耗：工作电流12mA/10mA（典型值），待机电流2.5微安（典型值）。
• 单电源供电：2.7V至3.6V。
• 所有输入输出TTL兼容。
• 全静态操作。
• 三态输出。
• 数据字节控制：LB#（DQ0至DQ7）和UB#（DQ8至DQ15）。
• 数据保持电压：最小1.5V。
• 绿色包装可用。
• 封装：44引脚400mil TSOP II。

一般描述

LY62L51216B是一款8,388,608位的低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织为524,288个16位字。它使用高性能、高可靠性的CMOS技术制造，待机电流在工作温度范围内稳定。该存储器专为低功耗应用设计，特别适合用于电池备份的非易失性内存应用。它从单一电源2.7V至3.6V操作，所有输入输出完全兼容TTL。

产品家族

• LY62L51216B：工作温度0至70℃，电源电压范围2.7至3.6V，速度45/55纳秒，待机电流2.5微安，工作电流12mA/10mA。
• LY62L51216B(I)：工作温度-40至85℃，其他参数与标准型号相同。

功能方框图

• 控制电路：包括CE#（片选）、WE#（写使能）、OE#（输出使能）。
• 解码器和512K x 16内存阵列：组织为524,288个存储单元。
• 列I/O和数据电路：包括A0至A18的地址输入，DQ0至DQ15的数据输入/输出，以及LB#和UB#的数据字节控制。

引脚描述

• A0至A18：地址输入。
• DQ0至DQ15：数据输入/输出。
• CE#：片选输入。
• WE#：写使能输入。
• OE#：输出使能输入。
• LB#：低字节控制。
• UB#：高字节控制。
• VCC：电源供应。
• VSS：地。

绝对最大额定值

• VCC相对于VSS的电压：-0.5至4.6V。
• 任何其他引脚相对于VSS的电压：-0.5至VCC+0.5V。
• 工作温度：0至70℃（C级），-40至85℃（I级）。
• 存储温度：-65至150℃。
• 功耗：1W。
• 直流输出电流：50mA。

真值表

描述了不同模式下存储器的输入输出状态和供电电流，包括待机、输出禁用、读取、写入等模式。

直流电气特性

提供了供电电压、输入高电平电压、输入低电平电压、输入漏电流、输出漏电流、输出高电平电压、输出低电平电压以及平均工作电源电流等参数的最小值、典型值和最大值。

电容（25℃，1.0MHz）

• 输入电容：最小6pF。
• 输入/输出电容：最大8pF。

AC测试条件

描述了输入脉冲电平、输入上升和下降时间以及输入输出定时参考电平。

AC电气特性

提供了读取周期和写入周期的时间参数，包括读取周期时间、地址访问时间、片选访问时间、输出使能访问时间、片选到低阻态输出时间、输出使能到低阻态输出时间、片选禁用到高阻态输出时间、输出禁用到高阻态输出时间、地址改变后的输出保持时间等。

时序波形

展示了读取周期和写入周期的时序波形，包括地址、数据有效、片选、输出高阻态和低阻态等信号的变化。

数据保持特性

描述了数据保持电压、数据保持电流以及芯片禁用到数据保持时间的参数。

封装外形尺寸

提供了44引脚400mil TSOP II封装的外形尺寸，包括最小值、标称值和最大值。

这份数据手册为工程师提供了LY62L51216B SRAM的详细技术规格和操作信息，以便在设计和应用中使用。图表内容主要是为了帮助理解存储器的电气特性和时序要求，确保在实际应用中能够正确地使用该存储器。