220615-MOSFET参数

提示：文章写完后，目录可以自动生成，如何生成可参考右边的帮助文档

---

前言

最近做到了MOSFET的替换测试，就在此做一些总结。当然了首先也得明白替换器件在电路中起到了什么作用，再去对比、罗列测试计划、评审等。
查看网上有关MOSFET的资料那是相当的多，所以还是根据自己的电路有选择的去看去了解，研究的太深太多也没有多余的时间T_T

---

一、额定电压

有两个地方的电压，分别的VDSS(有的应该也叫VDS)：漏极与源极之间所能施加的最大电压。VGSS：栅极与源极之间所能施加的最大电压值。
图1栅极与源极图2漏极与源极

二、额定电流量

ID(DC)：漏极允许通过的最大直流电流，
会受到导通阻抗、封装和内部连线的限制。

三、温度与Ron的关系

导通电阻会随温度升高而升高

四、额定功率

PT：片子所能承受的最大功耗。

五、额定温度

Tch：MOSFET的沟道上限温度
Tstg：MOSFET器件本身或者使用了MOSFET的产品保存温度范围

六、热阻

热阻越小，散热性越好。可根据功耗及额定温度算出，单位为℃/W。

七、安全动作区

图3安全动作区

八、抗雪崩

在一些有感性负载开关动作时，在开路-接通-关断，关断的瞬间会有感生电动势产生，会有一个大的尖峰。这时候电路可能会加一些吸收电路。

九、内部容量

GDS各极之间有电容，容量值越小QG越小，开关的速度也就越快，相应的开关损耗就会越小。

十、电荷量

Q=C*V，开关时间t=Q/I
电荷容量越大，开关时间就越大，相应的开关损耗也就越大。

---

总结

总结一下替换中对比的一些关键参数，其实还有别的关键参数如内部二极管相关的等等，不过我没用到。