口袋实验室--电子学霸神器-Digilent AD2/3-MOSFET

目录

1. 理解MOSFET寄生电容

1.1 等效示意图

2. 米勒效应

2.1 原理解释

2.2 仿真米勒效应

3 利用米勒效应

4 实测与仿真分析

5. 更多实测分析


1. 理解MOSFET寄生电容

  • 理解MOSFET寄生电容参数很重要,它们直接影响了MOSFET的开关特性。
  • MOSFET的三个主要寄生电容参数是输入电容(Ciss)、输出电容(Coss)和反向传输电容(Crss)。
  • 这些参数决定了器件在开关过程中的速度和效率。

1.1 等效示意图

  • Ciss:是栅极到源极(Cgs)和栅极到漏极(Cgd)电容的总和。它影响MOSFET的开启速度,因为在开关过程中需要为这些电容充电。
  • Coss:是漏极到源极(Cds)和栅极到漏极(Cgd)电容的总和。它影响MOSFET的关闭速度,因为在关闭过程中需要为这些电容放电。
  • Crss:是栅极到漏极(Cgd)电容。它在高频应用中尤其重要,因为它影响MOSFET的交叉导通和信号完整性。

2. 米勒效应

2.1 原理解释

在MOSFET开关过程中,栅极和漏极之间的电压变化会通过栅漏电容(Cgd)耦合,产生一个电流。对于栅极来说,这个电流相当于是通过一个等效的更大电容(增加的米勒电容)流入或流出,从而使得栅极电压变化所需的电荷量增加。

2.2 仿真米勒效应

构建一个简单的MOSFET驱动电路,通过C1模拟引入更大的Cgd:

 仿真结果:

3 利用米勒效应

利用米勒效应平台控制inrush电流。

  • C1值至少大于C2十倍;
  • 平台期没有理想中平稳,因为G的电流,分别去了R2、C2;

仿真结果:

实际电路设计时,需要考虑:

电路中C1Cgs,可以防止Vgs抖动,VIN开启通常都是开关或者直接插拔,Cgs有助于消除由于机械抖动导致的Vgs抖动,所以C1不能太小。C2CdgCdg与一个小电阻串联,主要目的是防止Idg过大,此外上电时,C1C2有一个交流分压,所以C1最好远大于C2,防止MOS管误开启。

4 实测与仿真分析

实际电路中,电阻的值我们可以控制,对于寄生电容的值,我们可以通过施加一个阶跃电压(V=5V),测量RC曲线反向推导:

通过计算TimeLN(5-y)的斜率,得到RC的乘积:

现在可以轻松求得:

使用AD2实测RC曲线,并没有仿真时得到一条理想得直线,因为实测始终存在噪声:

5. 更多实测分析

RisingFalling
Time (s)InputOutputLN(4-y)SlopeSlopeTime (s)InputOutputLN(y)
4.66E-073.8100410.0127041.383113-11960.8-11871-0.00254.0230513.9545651.37487
1.1E-064.0641580.0462681.37466RCRC-0.00254.0230513.9582941.375813
1.73E-064.0641580.083561.3651838.36E-058.42E-05-0.00254.0230513.9620231.376755
2.36E-064.0604210.1171241.356576-0.00254.0267883.9620231.376755
2.99E-064.0641580.1506881.347895-0.00254.0305253.9657521.377696
3.62E-064.0641580.1842511.339137R_measured-0.00254.0267883.9657521.377696
4.25E-064.0604210.2215441.3293159.88-0.00254.0267883.9620231.376755
4.88E-064.0604210.2513791.321388C_measured-0.00254.0305253.9657521.377696
5.51E-064.0641580.2812131.3133988.7-0.00252.2741283.9694821.378636
6.14E-064.0566840.3073181.306353RC-0.0025-0.012923.9284591.368247
6.77E-064.0566840.3408811.2972228.6E-05-0.0025-0.027873.8837081.35679
7.4E-064.0641580.3707161.289035实际计算结果很准确-0.0025-0.027873.8426861.346172

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