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原创 快捷键实现MAC或者WINDOWS下快速切换显示器输入源
显示器型号是Dell 22 Monitor, 屏幕下方的四个按键分别为快捷键1、快捷键2、菜单、关闭电源。打开屏幕菜单-个性设置-快捷键设置-快捷键1设置为输入VGA,快捷键2设置为输入HDMI。直接按快捷键就能实现输入源切换。Window下的显示器输入源切换用controlmymonitor, Mac用betterdisplay,自己跑代码或者触发角。触发角这个挺方便的但我这边用起来还是有点问题。
2024-07-22 17:16:59
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原创 Silvaco Win10 SFLM跳转失败问题解决
在安装Silvaco时发现没有SFLM Admin,且浏览器 http://127.0.0.1:3162 页面载入出错;同时间、同教程同事win7电脑可以正常安装。浏览器进入 http://127.0.0.1:3162/Admin/Ssmid ,这个网址可以顺利进入。
2022-07-05 19:03:54
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原创 Silvaco基础知识和GT栅帽高度变化对Cgs影响仿真
1 Silvaco学习了解渠道Silvaco官网 silvaco.comUser’s manual,在软件安装包中基本会有。Silvaco软件下的例子书籍《半导体工艺和器件仿真软件Silvaco实例教程》2 栅帽高度对Cgs影响仿真2.1 仿真流程1)网格设置2)区域、电极、接触金属设置3)计算模型和方法4)求解5)结果展示6)高度改变的循环2.2 器件结构 2.3 代码#change GT size and CF trendgo internalset leng
2022-05-21 14:46:55
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原创 CSDN markdown 图片大小等比设置
<div align="center"><img src="图片地址" width=“缩放比例” height=“缩放比例”>图片的话,我正常上传,markdown编辑器下面会出现相应的网址,将其拷贝即可。
2022-04-20 16:13:02
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原创 刻蚀相关文献总结
0 前言刻蚀是芯片制造中除光刻外最重要的步骤,主要目的是将光刻胶上的形状准确的留在芯片表面。这是一个庞大的体系,本次总结的论文阅读量较低导致涉及到的方面比较少,还需以后更多的内容补充,但作为一个节点输出也是必要的。1 刻蚀基本知识刻蚀主要分为湿法和干法两大类。两者特点为:精度刻蚀方向步骤湿法刻蚀低各项同性表面处理、光阻去除干法刻蚀高各项异性SiN、栅刻蚀、SiC刻蚀评价刻蚀质量主要参数:速率、均匀性、准确性、选择比、刻蚀角度等。速率:顾名思义,刻蚀
2022-04-20 15:49:20
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原创 Silvaco关于-set xxx.set和memory allocation error解决
1. -set error拷贝示例并重新命名后,在-set xxx.set语句发生错误。错误为:Unable to load set file: xxx.setThe file cannot be accessed.如错误所示,未找到set文件,解决方法是:在tonyplot画图后,设置好相应的显示参数,点击File-Save Set Files…,将文件命名为xxx.set,一定要在名称中加上后缀.set,Silvaco才能识别,保存在工作路径下。在设置好后,运行代码,会弹出warning
2022-04-09 10:50:41
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原创 AlGaN/GaN HEMT 富Si的双层SiN钝化层
AlGaN/GaN HEMT 富Si的双层SiN钝化层总结1 双层SiN钝化层结构以下是几类钝化层结构实验设计对比设置@Huang Tongde1Chip1: 50-nm in-situ SiNxChip2: 59-nm ex-situ SiNx by PECVD with NH3 plasma pre-treatment at 300CChip3: bilayer LPCVD SiNx, Si rich(10nm, DSC:NH3 flow 220:30,820C), SiNx(DSC:NH
2022-02-27 16:00:30
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原创 三五族异质结的自发极化、压电极化及2DEG
三五族异质结的自发极化、压电极化及2DEG在谈到氮化物异质结基本原理时总是会提到这几个概念,看似理解又不是很清晰,最终还是忍不住去仔细了解了一下概念。自发极化纤锌矿结构在了解自发极化前,我们先来看一下原子结构。三族氮化物GaN、AlN和InN具有稳定的纤锌矿和亚稳的闪锌矿两种结构,两者电学性质差异很大。闪锌矿结构不具备自发极化性质(此点稍后阐明),因此普遍采用纤锌矿结构。纤锌矿结构中,一个原子与其最近四个原子形成的键长不同,沿[0001]方向的键长大于其余三个键长。闪锌矿结构中,各化学键
2021-06-01 10:20:45
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原创 光刻
PH——Alignment Mark涂胶脱水烘焙晶圆表面干燥,从亲水变成厌水。脱水烘焙属于物理层面提高光刻胶粘合能力的方法,有三种方式:加热、环境湿度控制、氮气净化过的干燥器。涂底胶化学层面。旋转式、蒸气式。光刻胶3.1涂抹方式:静态+旋转、动态喷洒、移动手臂3.2光刻胶组成:聚合物、溶剂、添加物、光敏剂软烘焙4.1 目的:蒸发光刻胶中的一部分溶剂。4.2 硬烘焙&软烘焙:软烘焙让光刻胶和晶圆粘结更好,太多的溶剂会影响光刻效果。不使用硬烘焙是过度烘焙使得光刻胶中聚合物产生聚合
2021-04-01 14:19:54
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原创 matlab中gui运行错误之Attempt to execute SCRIPT gui_mainfcn as a function.
问题原因:打开gui_mainfcn.m看过后,发现自己之前不小心修改了这个文件。解决方法:用一份新的gui_mainfcn.m覆盖即可。gui_mainfcn.m的地址在 D:\MATLAB\R2016b\toolbox\matlab\guide...
2018-06-20 09:41:57
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空空如也
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