刻蚀相关文献总结

0 前言

刻蚀是芯片制造中除光刻外最重要的步骤，主要目的是将光刻胶上的形状准确的留在芯片表面。这是一个庞大的体系，本次总结的论文阅读量较低导致涉及到的方面比较少，还需以后更多的内容补充，但作为一个节点输出也是必要的。

1 刻蚀基本知识

刻蚀主要分为湿法和干法两大类。两者特点为：

	精度	刻蚀方向	步骤
湿法刻蚀	低	各项同性	表面处理、光阻去除
干法刻蚀	高	各项异性	SiN、栅刻蚀、SiC刻蚀

评价刻蚀质量主要参数：速率、均匀性、准确性、选择比、刻蚀角度等。

• 速率：顾名思义，刻蚀速度。
• 均匀性指的是全片刻蚀后的结果相差情况，越均匀刻蚀质量越好。
• 准确性：光刻后形貌和刻蚀后的形貌一般都会有所差异，准确性就是评判这种差异大小。
• 选择比：刻蚀中另一个重要的概念，指的是 刻蚀材料的厚度/不刻蚀材料的厚度。一般来说我们希望选择比越高越好。

1.1 湿法刻蚀

湿法刻蚀一般应用在光阻去除、表面处理。湿法刻蚀主要有SC-1、SC-2、KI、NMP+IPA等。

• NMP+IPA：用以去除表面光刻胶。NMP为有机溶剂，根据相似相溶原理将光刻胶去除，IPA去除NMP残留以及将晶元表面保持疏水状态。
• KI溶液：用作腐蚀表面不需要的金属金。
• SC-1：NH₄OH + H₂O，表面处理
• SC-2：HCL+H₂O，表面处理
• BOE：NH₄F：HF：H₂O，表面处理或SiO₂、SiN的去除。

1.2 干法刻蚀

干法刻蚀根据原理不同分为三类，等离子体刻蚀、离子束刻蚀和反应刻蚀。三者分别对应化学反应、物理反应和物化结合。现在单纯的离子束刻蚀较为少见，一般是等离子体刻蚀和反应刻蚀。

干法刻蚀从刻蚀材料上一般由，光刻胶、SiN、SiC、SiO₂等等。根据不同材料所使用气体也不同。

2 论文要点

2.1 欧姆接触刻蚀

赵梦