SI/PI 的基本概念，SI/PI 与 EMI 的关系

SI相关概念

1、传输线

传输线就是一种能够在纵向传播电磁场信号的联接。 当器件物理尺寸或者电气连接的尺寸同信号的波长可以比拟时，就需要传输线理论来分析。例如，一个台灯的电源线长 2 米，其电源的工作频率是 50Hz，波长就是 6000 公里。这根电源线相对于波长来讲是非常短的，我们可以把它看成短路。而对于一个便携式产品如手提电脑、 PDA 等 PCB 板设计，假如工作频率在 100MHz，就必须考虑传输线效应。

2、 特性阻抗

特性阻抗是指信号沿传输线传播的过程中，传输线上看到的瞬间阻抗值，这里要注意是瞬时，也就是瞬态情况下的阻抗：

这个阻抗是传输线本身的物理结构决定的，一般会设计成 50 欧姆，这是在微波的发展过程中逐渐形成的。射频电缆特性阻抗在 70 多欧姆左右时,传输损耗最小；在 30 多欧姆时,承受功率最大。两者综合，选择 50 欧姆，同时照顾到两种性能，所以就选择了 50 欧姆作为一个标准。如果外接的阻抗同特征阻抗不一致，就会产生反射。

3、反射系数和信号反射

当传输线的传播的信号到达某个阻抗不连续的节点时，信号会发生反射，就像水流通过不同口径的管道接口时，水面产生波动一样。根据反射电压和入射电压的比值，可以定义传输线上的反射系数Γ。

当负载阻抗大于输入阻抗，反射系数Γ >0, 反射信号与入射信号同向叠加；当负载阻抗小于输入阻抗，反射系数Γ <0, 反射信号与入射信号反向相减。传输线的阻抗的不连续不仅发生在终端，当反射信号传播到源端后，同样也会由于阻抗不连续产生二次反射，最终，信号归于稳定。下图显示了在信号跳变的瞬间，源端和负载端的电压变化。

4、截止频率

对于一个周期性的数字信号，其频谱如上图中所示，高次谐波分量随频率升高而下降，定义其截止频率为：

由图中可以看出，信号的主要高次谐波分量，即能量集中在 Fknee 以内，所以通常考察信号、信道的特性时，关注的是截止频率以内的部分，而对于截止频率之外，由于信号能量很弱，可以忽略不计。从 Fknee 与 Trise 的关系可以看出：信号的截至频率，与它的周期没有直接关系， Trise 越小，信号变化沿越快， Fknee 越高； Trise 越大，信号变化沿越慢，Fknee 越低。

5、S 参数

S 参数是描述一个高频网络特性的参数，其原理同电路理论里的 Z 参数， Y 参数类似。但由于 Z 和 Y 参数的测量存在开路短路情况，不适合高频情况下应用，所有用 S 参数来描述。如图所示，当端口 2 匹配时，可以定义两个 S 参数 S11 和 S21， S11 是反射系数， S21是传输系数。

对于常见两端口互联结构，可以定义四个 S 参数：其中 S11 和 S22 称插入损耗，反映了信号通过传输线网络的能力； S21 和 S12 称为回波损耗，反映了信号在传输线网络上的反射状况。

关注信号完整性的同时，电源完整性也是一个重要的问题。

PI相关概念

1、电源完整性的定义

电源完整性分析的主要目标就是能够给芯片电路提供干净的电源， 消除电源噪声对芯片输出信号的影响。 电源噪声对芯片的影响， 会引起输出信号的逻辑错误， 或者产生时序问题。此外，电源地网络和信号网络不是割裂的，而是紧紧耦合在一起的。所以电源地的噪声还会通过耦合影响信号线，或者辐射到外面，会产生 EMI、 EMC 的问题等等。

2、同步开关噪声

当芯片的多个 I/O 口同时同向翻转，比如从 1 到 0 的时候，多个 I/O 的 buffer 同时消耗的电流叠加在电源和地的 PIN 脚上产生一个较大的电流，这个变化的电流在封装和 PIN 脚的寄生电感 L 上会形成一个噪声电压 dV=L*dI/dt，这就是同步开关噪声。

3、PDS 的阻抗以及目标阻抗的定义

电源从电源模块出发， 一般会经过电路板， 封装和芯片内部的互联， 最后传递给晶体管。这是一个分层的电源网络，我们一般称之为电源供给系统（PDS）。电源完整性分析的核心内容， 就是怎样设计整个电源供给网络或者其中的一部分， 使得电源地网络产生的噪声最小。PDS 的阻抗定义为从芯片这一端看整个电源供给系统的阻抗：

PDS 的设计目标就是使降低整个网络的阻抗，从而减少电源地网络的噪声。而目标阻抗考察的是无源的电源地网络设计，它的定义为：

比如，一个 3.3 伏的电源平面，如果允许的电压波动是 5％，通过的电流是 2 安培，那我们可以求出目标阻抗是 82.5 毫欧。也就是整个 PDS 系统的阻抗小于 82.5 毫欧，这个系统的电源完整性就没有问题，即波动小于 5％。当然实际的运算过程并没有这么简单，因为电流值并不是恒定不变，而是频率相关，所以目标阻抗也是一个频率相关的值。

4、去耦电容

由于寄生参数的作用，一个非理想的电容通常会等效为一个 ESL+ESR+C 的串联网络，从而构成了一个串联谐振电路：

其谐振频率为：

下图是一个电容的阻抗特性随频率变化的曲线，可以看到，当 C 和 ESR 固定时，不同的 ESL 对应了不同的谐振频率：

而当 C 和 ESL 固定时，不同的 ESR 对应的谐振频率点是相同的，所改变的仅仅是谐振点处阻抗的大小：

SI/PI 与 EMI 的关系

在高性能的 PCB 设计中， SI/PI 和 EMI 这三个方面是密切联系，相互影响的。

高速信号的跳变沿所携带的高频分量，更容易引发高频的 EMI 辐射；高速信号由于过孔换层或跨分割除了造成阻抗不连续，也会引起电源和地平面上信号回流路径不理想，造成电源完整性问题； PCB 电源或地平面本身固有的谐振模式被激发，也会引起信号 S 参数的变化，进而引起信号完整性问题；电源和地上的噪声引起的共模辐射，也会带来严重的 EMI辐射； EMI 的传导和辐射干扰，同样也会造成电子系统的电源波动或信号恶化，产生 SI/PI问题。 PCB 设计过程中同时针对这三个方面进行考察和控制，是高性能 PCB 系统仿真和设计的必然趋势。

以上为学习SI、PI的基础知识笔记内容。