1.7.2_NAND_FLASH时序及初始化_P

对存储芯片的编程，一般都有如下步骤：

1. 初始化（对Nand Flash而言，就是初始化主控芯片的Nand Flash控制器）
2. 识别（读取ID）
3. 读（一般一次读一个页Page）
4. 写（一般一次写一个页Page）
5. 擦除（一般一次擦除一个块Block，一个块通常是64个页）

如果可以正确识别，即读取到正确的ID，那么说明我们的初始化步骤是正确的，并且Nand Flash芯片也是可以正常工作的。

下面开始第一步初始化，这一步主要是

1. 设置Nand Flash的时序；
2. 使能Nand Flash控制器；

先找到S3C2440芯片手册中Nand Flash的存储时序。

这里有三个时间参数，分别是TACLS，TWRPH0，TWRPH1。从时序图分析，TACLS为CLE/ALE拉高后对酒可以使能WE，TWRPH0为WE低电平（使能）的持续时间，TWRPH1则是WE拉高之后多久拉低CLE/ALE。 每款Nand Flash的上述时间可能是不同的，这需要根据对应的Nand Flash芯片的数据手册来设置。

在S3C2440芯片手册中搜索这三个参数，发现是在NFCONF寄存器中设置。

S3C2440开发板上搭载的Nand Flash控制芯片型号为K9F2G08U0C，查找对应的芯片手册，搜索它的AC Timing Characteristics和时序图，可以获得上述参数的信息。

下面来分析这三个参数的设置。首先是TACLS，表示CLE/ALE拉高后多久可以使能WE，对比Nand Flash的时序图可以知道，这段时间为tCLS - tWP = 12 - 12 = 0ns；然后是TWRPH0，表示WE的使能持续时间，为tWP = 12ns；最后是TWRPH1，表示WE释放后过多久可以拉低ALE/CLE，为tCLH = 5ns。值得注意的是，Nand Flash芯片手册中的ALE和CLE的时间参数是相等的，时序也相同，可能是所有的Nand Flash芯片都遵循这个时序和设定吧。

计算完参数后，要把对应的参数写入寄存器中去，其中HCLK = 1000 / 100M = 10ns（1M=10^6）。所以TACLS设为0，TWRPH0要大等于12ns，所以TWRPH0设为1，TWRPH1要大等于5ns，所以TWRPH1设为0。

再修改一下寄存器的定义，命令，地址，数据，状态这四个寄存器，改为按字节操作。

这样，Nand Flash的时序就设置好了，接下来要使能Nand Flash控制器，使能是在NFCONT寄存器中设置，前面的锁和中断，ECC先不用管。
如下，bit0设为1表示使能Nand Flash控制器，bit1位Nand Flash的片选，这里我们没有操作Nand Flash，先设为1不使能，bit4为初始化ECC，之后我们会用到ECC，这里设为1初始化ECC。

最后，下面就是我们Nand Flash的初始化函数，设置了时序并且使能了控制器。