WINBOND/华邦 W25N01GVZEIG 3V 1G-位 串行SLC NAND闪存，具有双/四通道 SPI 缓冲区读取和连续读取

1.概述
W25N01GV（1G位）串行SLC NAND闪存为具有有限的空间、引脚和电源。W25N SpiFlash系列融合了流行的SPI接口和传统的大NAND非易失性存储器空间。它们非常适合将代码隐藏到RAM，执行直接来自双/四路SPI（XIP）的代码，并存储语音、文本和数据。该设备在单个2.7V至3.6V电源，有源功耗低至25mA，备用功耗低至10µA。所有W25NSpiFlash系列设备采用节省空间的封装，这在过去是不可能使用的典型的NAND闪存。
W25N01GV 1G位存储器阵列被组织成65536个可编程页，每个可编程页2048字节。使用来自2048字节内部缓冲器的数据，可以一次对整个页面进行编程。页可以以64个为一组来擦（128KB块擦除）。W25N01GV具有1024个可擦除块。
W25N01GV支持标准串行外设接口（SPI）、双/四路I/O SPI：串行时钟、芯片选择、串行数据I/O 0（DI）、I/O 1（DO）、I/O 2（/WP）和I/O 3（/HOLD）。SPI时钟频率高达支持104MHz，允许双I/O和416MHz的等效时钟速率为208MHz（104MHz x 2）使用快速读取双/四路I/O指令时，用于四路I/O的（104MHz x 4）。
W25N01GV提供了一种新的连续读取模式，可以有效地访问整个具有单个读取命令的内存阵列。此功能非常适合代码隐藏应用程序。保持引脚、写入保护引脚和可编程写入保护，提供了进一步的控制灵活性。此外，该设备支持JEDEC标准制造商和设备ID，一个2048字节的唯一ID页面、一个2048字节参数页面和十个2048字节OTP页面。提供更好的NAND闪存内存可管理性、用户可配置的内部ECC、坏块管理也可在中使用W25N01GV。

2.特点
 新型W25N系列SpiFlash存储器
–W25N01GV:1G位/128M字节
–标准SPI:CLK、/CS、DI、DO、/WP，
持有
–双SPI：CLK、/CS、IO0、IO1、/WP、/Hold
–四路SPI：CLK、/CS、IO0、IO1、IO2、IO3
–兼容SPI串行闪存命令

 最高性能串行NAND闪存
–104MHz标准/双/四SPI时钟
–208/416MHz等效双/四SPI
–50MB/S连续数据传输速率
–快速编程/擦除性能
–超过100000次擦除/编程周期
–数据保留期超过10年

 高效的“连续读取模式”（1）
–缓冲区读取的替代方法
模式
–无需发布“页面数据读取”
在读取命令之间
–允许直接读取整个
大堆

 低功率、宽温度范围
–单个2.7至3.6V电源
–25mA有源，10µA备用电流
–-40°C至+85°C工作范围

 具有128KB块的灵活架构
–统一128K字节块擦除
–灵活的页面数据加载方法

 高级功能
–用于存储器阵列的片上1位ECC
–ECC状态位指示ECC结果
–坏块管理和LUT（2）访问
–软件和硬件写保护
–电源锁定和OTP保护
–2KB唯一ID和2KB参数页面
–10个2KB OTP页面（3）

 空间高效包装
–8垫片WSON 8x6 mm
–16引脚SOIC 300 mil
–24球TFBGA 8x6 mm