CCM DC-DC变换器建模(3): 反激变换器flyback converter

CCM DC-DC变换器建模(3): 反激变换器flyback converter

前文：
CCM DC-DC变换器建模(1)：buck变换器的平均模型和小信号模型
CCM DC-DC变换器建模(2): boost，传递函数，右半平面零点（RHPZ）

仿真软件还是LTspice。

仿真参数

1. 输入电压Vin：48V
2. 输出电压Vo：12V
3. 输出电流Io：2A
4. 输出电容C：100uF
5. 占空比D：约0.33
6. 开关周期：3us（频率333kHz）
7. 原边励磁电感Lm：64uH
8. 原副边匝数比n：2:1

仿真模型：

LTspice里的理想变压器用两个电感L1 L2搭建，添加一个spice命令 K1 L1 L2 1，说明耦合系数为1。原副边匝数比2:1，反映为原边电感量是副边的2^2=4倍

基本的波形，2A负载电流下，在MOS开通后，原边电流IL1是从大于0的位置开始上升，所以是CCM模式。

平均模型

推导

MOS的电流波形和二极管两端的电压波形如下：

接下来是用开关周期平均值代替二极管和MOS。
对于二极管电压，平均电压为： $v_D=D(\frac{V_{in}}{n}+v_{out})$ （比如，仿真结果中，高电平为48/2+12=36V，占空比为D)
对于MOS，平均电流$i_{MOS}=D{i}_{Lm}$，而励磁电流难以测量，需要转换为变压器副边的电流IL2，也就是二极管的电流ID1来表示
原边和副边电流关系如下，可见幅值上有2倍（匝数比）的关系。

最终，用副边的电流表示，MOS的平均电流为 $i_{MOS}=D{i}_{Lm}=\frac{D{i}_{L2}}{n(1-D)}$

原拓扑和平均模型对比如下：

仿真

占空比不变，输入在48V和60V跳变，原拓扑和平均模型的波形（MOS电流、输出电压）对比如下。输出电压稳态值的差异主要来自二极管的压降。
发现平均模型的阻尼不大对，导致暂态波形有一定区别，暂时没找到问题在哪里。

小信号模型

推导

把平均模型求全微分。
$${\hat{i}}_{MOS}=d\left(\frac{D{i}_{L2}}{n(1-D)}\right)=\frac{D{I}_{D2}}{n(1-D{)}^2}\hat{d}+\frac{D}{n(1-D)}{\hat{i}}_{L2}$$
$${\hat{v}}_D=\left(\frac{V_{in}}{n}+V_{out}\right)\hat{d}+\frac{D}{n}{\hat{v}}_{in}+D{\hat{v}}_{out}$$

其中，ID2的平均值为Iout。

这边假设负载是恒电流2A，所以直接用Iout表示。也可以换成Vout/Rload

平均模型和交流小信号模型对比：

1. 交流小信号模型中去除了直流分量，因此直流源默认是0。
2. 占空比去除了直流分量，因此平均模型的占空比在0.33和0.4跳变，而小信号模型在0和0.07跳变。

仿真

占空比跳变

仿真模型如上，波形如下：小信号模型的波形Vout3相当于平均模型Vout2去除了直流偏置。但是暂态还是不大符合。

输入跳变

仿真模型：此时占空比分别固定为0.33和0，而改变输入。

参考资料

1. 视频1：Static and Dynamic Modelling of a Flyback Converter in CCM
2. 顺便推荐另外一个博主（查了一下，和视频1的这两位都是IEEE Fellow）：Sam Ben-Yaakov
3. 仿真模型放在： Flyback反激变换器小信号模型LTspice建模