分立NMOS管高端驱动

raozg

已于 2024-03-31 10:53:50 修改

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文章标签：单片机嵌入式硬件

于 2024-03-03 10:41:28 首次发布

本文链接：https://blog.csdn.net/qq_34404284/article/details/136427523

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1 原理

NMOS管只要Vgs大于指定电压即可开通, 但当NMOS管在电源高边使用时, 需要一个高于电源电压才能完全启动，现有方案一般是通过电容自举电路实现。

2 实现

2.1 电容自举电路

电容自举电路一般由低压电源，隔离二极管，电容，高端电源，2组开关组成。如下图：D1，C1， Q1， Q2组成电容自举电路。当Q2通，Q1关断时，C2被充电到Vcc；随后，Q2关断，Q1通，DRV_S端电压被抬升到 Vcc(15v) + Vss(300v)。DRV_S端即实现了大于Vss的电压值，其中Vcc为NMOS开启电压。Q1、Q2通过Q点电势高低控制通断；Q点电势低时，Q1导通，Q2关闭；Q点电势高时，Q1关闭，Q2导通；此方式可避免Q1、Q2同时导通导致的短路电流。

单高端NMOS驱动: C4为Q3关断加速电容，频率提升时，Q3关断延时将会导致Q3/Q4短暂短路（增加电容C4可加速关断，但模拟显示有<1毫安级短路电流，实际是Q2基极电流^^）

由于电容C1的充放电使用独立的电路进行, 因此不受负载形式影响, 后端可驱动容性或者感性负载。本电路为重新设计，驱动在高压侧，可以有效加速开关管开通及截止。

半桥NMOS驱动电路

2.2 MOS管高端驱动

DRV_S在PWM驱动下，由Q1，Q4管交替通断产生周期性的脉冲，最高为Vcc + Vss，最低为Vcc，存在直流分量。使用电容隔直驱动模式（适用频率未知）

使用开关管控制，可用在较高频率（D1是否需要，需参考R13阻值，Q1本身具有反向阻流作用）

3 简化

3.1 利用NMOS自身及负载

NMOS管及负载节点电势在开关期间在0 ~ Vss(300v)间跳动，可以作为自举电路的开关使用。如下图所示

这个简化电路实际上是H桥驱动的上端。单独使用时， C1通过负载电阻R9，D1充电；当Q6导通时vcc加载到NMOS的Gate会导致NMOS微导通，而随着NMOS导通则提升DRV_E电势。DRV_E电势的提升又会提升C1端电压，提升的电压再加到NMOS的G端。这是一个正反馈过程，直到NMOS完全导通为止。Q6关断时，NMOS的G端通过Q5放电，在放电未完成时，R9有微电流，无法及时关断。不建议使用，不能驱动容性或者感性负载。原因在于容性及感性负载导致DRV_E电势波动，此波动会耦合到C1，导致MOS驱动不稳定

若配合H桥下端驱动，则可使NMOS完全关断。C1的充电将通过下端NMOS管，充电速度得到提升。Q5泄放可直接通过下端NMOS直接接地，这样R9在关断时无电流通过。