NMOS和PMOS作电源开关

区别

NMOS低边开关电路切换的是对地的导通，PMOS作为高边开关电路切换的是对电源的导通。

NMOS

控制负载的一端是否对地导通：

CONTROL的高电平电压需要大于NMOS的VGS。

泄放电阻 R1
上面这个电路中，通常都会在NMOS的G极、S极间，并联一个10K左右的电阻。这个电阻通常被叫做泄放电阻，用来泄放GS极间的电荷。加它的原因是因为MOS的GS极间的阻值非常高，通常为M欧以上，并且GS间还有结电容，这就导致GS一旦充电，就很难释放掉。如果没有这个泄放电阻，在G极通入高电平，负载会工作，而将G极上的控制信号拿开，由于结电容的存在，GS间的电压会维持在导通阀值以上很长一段时间，负载仍会继续工作。而加了泄放电阻，会加快泄放速度，使电路功能更加合理易用。

NMOS高侧驱动

集成电荷泵的NMOS高侧驱动

一种是内部集成电荷泵的。可允许高侧NMOS的持续开通，即允许100%占空比输入。性能稳定，但栅极驱动器芯片的成本略高。

电容浮栅自举

另一种是通过电容浮栅自举。需要输入信号为PWM，通常只允许99%占空比输入，以在空闲时间给自举电容充电。这种应用需要限制PWM信号的占空比，不能100%占空比输入，不能高侧持续导通。

PMOS

控制负载的一端是否对电源正极导通：

CONTROL的高电平电压需要等于VCC，此时PMOS关闭。

如果CONTROL高电平电压到不了VCC，那就需要再加一个再加一级NMOS。
当Q2关闭，PMOS的S极电压等于G极，PMOS关闭。
当Q2打开，PMOS的G极电压等于VCC/2，PMOS打开。

NMOS也可以换成三极管，增加阻容还可以构成软开启、软关断。

当Q2关闭，PMOS的G极和S极电压相同，C1电压0V。
当Q2打开，PMOS的G极变成0V，C1会缓慢充电，PMOS的G极和S极压差也是缓慢上升的构成软开启。
当C1有电后，当Q2再关闭，C1的电也会慢慢降低，构成软关断。
调节C1、R2的值，可以修改软启动的时间。