NMOS高端驱动

最新推荐文章于 2024-07-21 13:27:28 发布
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一直以为高端驱动的场合用PMOS，低端驱动用NMOS，其实不是这样的
关于高端驱动NMOS的理解：
首先高端驱动和低端驱动：
http://www.kiaic.com/article/detail/2319.html
高端驱动NMOS应用相关：
https://www.amobbs.com/thread-5738737-1-1.html

L是破小孩
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高端MOSFET的驱动技术
11-07
本文主要目的是祥述在应用高压门极驱动芯片驱动半桥时所可能遇到的最常见的问题及对策， 应用实例是电机驱动。
分立NMOS管高端驱动
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nmos高端驱动自举电路
07-14
一、电容自举驱动NMOS电路 VCC经过二极管D2、电容C2、电阻R1到地，所以加载在电容C2两端的电压约为14V。 图1电容自举驱动NMOS电路 （1） 当V1输入高电平时，Q1、Q4导通，B通道输出高电平，Q2截止，C通道输出高电平，Q3导通，D通道输出高电平48V，由于C2两端电压14V，所以Q3的导通使电容抬升了VDD的电压，即电容C2的正极电压位62V左右，经过三极管Q4、二极管D1到达Q3的栅极，电容C2起到了自举抬升电压的作用，使Q3持续导通。 （2） 当V1输入低电平时，Q1、Q4截止，B通道输出低电平，Q2导通，Q2的导通为Q3的栅极提供放电电路（栅极电压通过Q2、电阻R1放电），使得电容C2的负极电压接近0V，即D通道输出低电平。 图2 电容自举驱动NMOS电路仿真 二、MOSFET驱动电路 图3 MOSFET驱动电路 （1） 当V1=V2=5V时，Q1、Q4导通，Q2截止，VCC经过D2、Q4、D1、R4到达Q3的栅极，Q3导通；Q6、Q7截止，Q8导通，Q8的导通为Q5的栅极提供放电回路，Q5截止； （2） 当V1=V2=0
nmos和pmos 高端驱动的区别
weixin_45318168的博客
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为什么高端驱动时选用PMOS？ PMOS的特性为Vgs小于一定值时DS导通，NMOS的特性为Vgs大于一定值时DS导通。 假设pmos管导通电压为Vgs=-3V，负载工作电压为12V，Vds=-12V，当mos管导通后，Vg=0V，Vgs–12V，Vds=0V。可正常工作 假设nmos导通电压Vgs=3V，负载工作电压12V，Vds=12V，当mos管导通的瞬间，Vs=0，Vg=3V，导通后，Vd...
浅谈MOS管的高端驱动和低端驱动
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低端驱动：MOS管相对于负载在电势的低端，其中D通过负载接电源，S直接接地。对于NMOS，只有当Vgs大于...高端驱动：MOS管相对于负载在电势的高端，其中D直接连接电源，S通过负载接地。对于NMOS，只有当Vgs大于开启电压
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