高边nmos驱动与自举电路仿真

半个月前写了个mos高边开关为什么用nmos有固定压差问题，当时说可以用电容升压驱动。后面的一周我就在tps5430的芯片手册的框图里面找到了这个初学时没有弄明白的东西：自举电容。

本文主要是两部分：

1nmos的高边驱动方案与仿真

2自举电路元件选型，仿真，以及常规mos驱动芯片怎么搭建自举电路来驱动高边mos

nmos的高边驱动方案

回顾前文高边nmos驱动与仿真末尾，我写了两个方案，1boost，这个显然胡扯，2电容，这个沾点边。但是其实有个更方便的方案，变压器升压。

变压器是磁耦合器件，可以直接把电压差传递过去，这样就得出下图所示仿真

一次成功！这样直接驱动就行。

自举电路初步仿真

然后就到了本文的重点 ，第二个方案，自举电容，这里首先来个自举电容电路的简单仿真。

这个电路设计很巧妙，首先电容在里面电荷消耗完之前不能突变。所以可以利用这个特性。在最开始那个图中V3那个位置是352nV可以看作0v，所以这个时候可以通过对电容充电，使其两端压差也就是V1-V3保留在12V。

V1 V2 V3以红字为准。

然后通过改变V1的连接情况，使得V1与g连接。如图2，此时VGS就可以变成12V，达成开关条件。并且V1与V2中间有二极管，所以电流不会留回去，此时电流路径如下图所示：

自举电路仿真深入

那自举电路就这样简单吗？前文说过这一切必须建立在电容有电的情况下。并且如果使用mos驱动芯片应该怎么仿真？这个开关电路是使用pmos搭建吗?二极管与电容选型应该如何进行选型？这些坑就是笔者最近这里一直没有更新的缘由。

这里就要说一下mutlism的一个问题，他不太好仿真没有收敛的情况。并且对目前市面上常见的spice模型的导入还是比较麻烦的。ti需要改文件，adi需要改后缀。而这种情况就需要使用目前市面上常见的spice仿真软件。考虑到目前常见的mos驱动器都是ti的。所以本文选用tina进行仿真。

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其实这个电路思路很简单，就是将整个驱动模块的地变成浮地。通过自举电容使得驱动芯片输出的电位一直与g极有电位差。

当然这个电路也存在一定问题，如IN+的3.3v的地是浮地，这个3.3v如何产生？这里我根据ti的使用单输出栅极驱动器实现高侧或低侧驱动中给出的框图可知，使用信号隔离器。因为tina的问题我ISO7710一直导入不进tina，所以没有进行全部仿真。

那么电容应该如何选择呢？这里推荐ti的这个文档，针对半桥配置的自举电路选择。因为我个人部分地方没有弄清楚所以就不写这个了。

本文有很多不足，希望读者多包涵。