SRAM和DRAM

最新推荐文章于 2024-06-23 19:07:21 发布
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分类专栏： 计算机组成原理 文章标签： 单片机 嵌入式硬件 计算机组成原理
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版权
  • RAM：随机访问存储器
  • 上一节的就是DRAM 栅极电容
  • SRAM是双稳态触发器
  • image-20220202200333261
  • 双稳态省了一个充电的步骤，栅极电容读取后就破坏了，需要充电恢复
  • 但成本、集成度和功耗也显而易见
  • image-20220202200853531
  • 刷新：
    • 电容的电荷会慢慢流失，2ms
    • 需要不断的充电刷新，保持电荷，否则信息就流失
    • 而双稳态触发器只要VCC高电压，则不需要刷新
    • 刷新周期：2ms
    • 每次刷新矩阵的一整行，读出一行的信息，然后重新写入，占用一个读/写周期
    • 一般读写都是us级别
    • image-20220202202254515
    • 采用第三种刷新方式
  • 总结：栅极电容 因为电容带来的优点是结构简单，集成度高，价格便宜等；缺点是电容放电电荷流失带来的恢复充电以及刷新的额外开销，速度上慢很多
  • 送行列地址
    • DRAM的容量大
    • 所以为了节省地址线，采样地址线复用技术
    • image-20220202202540626
    • 使得地址线减半，芯片引脚减半
  • 先在主存通常使用SDRAM
南波兔不写巴哥
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专栏目录
双稳态电路的两个稳定状态是什么_一张SRAM电路结构图引发的思考
weixin_39642619的博客
11-20 1475
直接上图这个是一张经典的sram电路的6管存储单元结构sram是什么？sram全称：(Static Random Access Memory)静态随机存取存储器从图中可以看出，这个是一种由交叉耦合的反相器构成的双稳态结构特点：读写速度快，断电数据消失这张SRAM的电路结构图引起了我的兴趣，于是我又玩起了Memory Compiler北冥有鱼：Memory Compiler所用的MC软件使用介绍​z...
单片机字符串中有变量_一篇文章讲透单片机的RAM和FLASH
weixin_39569389的博客
11-30 214
最近在一个问答社区回答了一个问题，关于单片机存储器的，于是有了想专门写一篇关于单片机存储器的想法。作为单片机内部一个重要组成部分，存储器占有很重要的地位，今天就来聊聊我对于单片机的内部存储器RAM和FLASH的一些认识和理解。1、先聊聊存储器存储器是单片机结构的重要组成部分，存储器是用来存储编译好的程序代码和数据的，有了存储器单片机系统才具有记忆功能。按照存储介质的特性，可以分“易失性存储器”和“...
计算机组成原理 —— 存储系统（DRAM和SRAM，ROM）
qq_67693066的博客
06-23 2917
计算机足称原理 —— 存储系统（DRAM和SRAM，ROM）
计组——掌握DRAM和SRAM相关知识点
vavid的专栏
09-17 2166
DRAM和SRAM简介 二者都属于随机存储器RAM，可以随机进行读取和写入 DRAM——使用栅极电容存储信息 SRAM——使用双稳态触发器存储信息 栅极电容 数据线只有一根 读出1： MOS管接通，电容放电（属于破坏性读出，需要给电容重新充电），数据线上产生电流 读出0：MOS管接通后，数据线上无电流 读写速度快 每个存储元制造成本更低，集成度高，功耗低（电路简单） 需要刷新（电容内的电荷只能维持2ms，即使不断电，2ms后信息也会丢失） 双稳态触发器：A高B低表示1；A低B高表示0 有两根数据线
计组之存储系统：2、SRAM(区别、栅极电容、双稳态触发器、DRAM刷新、地址复用)和DRAM(MROM、PROM、EPROM、EEPROM)
千寻瀑
10-15 3786
2、SRAM和DRAMSRAM和DRAM思维导图SRAM与DRAM的核心区别：栅极电容 V.S. 双稳态触发器DRAM刷新DRAM地址复用技术SRAM、DRAM对比ROM思维导图ROM种类 SRAM和DRAM 思维导图 SRAM与DRAM的核心区别： 栅极电容 V.S. 双稳态触发器 DRAM刷新 DRAM地址复用技术 SRAM、DRAM对比 ROM 思维导图 ROM种类 主存：ROM+RAM ...
第五次笔记：SRAM和DRAM 栅极电容 双稳态触发器 DRAM和SRAM比较 DRAM刷新 DRAM地址复用技术
绿色水杯
07-08 1937
此结构就是上一次的介绍的内容。 双稳态触发器使用的是6个MOS管，这个就相对于栅极电容造价更高，集成度更低，但是更加稳定，速度更快，所以适用于Cache。 当进行的读操作时候，将字选择线通电，然后在BL和BLX两端检测低电平，读出0时候,BL是低电平，读出1时候，BLX是低电平。 当进行写操作时候，将字选择线通电，A高B低位1，A低B高为0。栅极电容存储时候有一个弊端就是2ms时间，电容就会消失散尽，所以要不断地对电容进行刷新操作。 刷新周期：一半是2ms 每次刷新多少存储单元：每次刷新一行存储单元 改用
3.3SRAM和DRAM
weixin_43698950的博客
08-06 1366
上一小节介绍的芯片，其实就是DRAM芯片。见下图：DRAM芯片可以用于制作主存，上图右侧的内存条上就是DRAM芯片。DRAM芯片和SRAM芯片的核心区别就是：存储元件不一样。<1> DRAM芯片是用栅极电容（电容的充放电）来存储和读取信息。<2> SRAM芯片是用双稳态触发器来存储信息的。👉 接下来，看一下这两种存储元件的区别。
计组学习笔记（三）：SRAM与DRAM
qq_39378221的博客
06-22 1万+
一、半导体存储芯片  先了解了解我们RAM的真面目——半导体存储芯片，主存通常就是由多个这样的半导体芯片组成。    （1）存储矩阵：由大量相同的位存储单元阵列构成。  （2）译码驱动：将来自地址总线的地址信号翻译成对应存储单元的选通信号，该信号在读写电路的配合下完成对被选中单元的读和写。（包括译码器，驱动器）  （3）读写电路：完成读写操作。（包括读出放大器，写入电路）。  （4）读/写控制线：...
计算机组成原理-第三章（3）DRAM和SRAM
CltCj的博客
12-30 4312
计算机组成原理 此系列为王道计算机考研组成原理精细笔记 计算机组成原理-第三章（3）DRAM和SRAM计算机组成原理计算机组成原理-第三章（3）DRAM和SRAM一、原理二、DRAM和SRAM的区别2.1 存储元栅极电容双稳态触发器2.2 芯片特性2.3 刷新2.4 地址总结 计算机组成原理-第三章（3）DRAM和SRAM   这个小节当中，我们会介绍两种特定类型的存储芯片。一种叫SRAM一种叫DRAM。   之前，我们提到过RAM它指的是随机访问存储器，意思就是说，当我们指定某一个存储单元的地址的时候，
RAM、ROM、SRAM、DRAM、SSRAM、SDRAM、FLASH、EEPROM的区别
谁de如花的博客
06-01 1万+
RAM(Random Access Memory) 随机存储器。存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。ROM(Read-Only Memory)只读存储...
深入解析内存原理：SRAM的基本原理
weixin_30297281的博客
06-23 1388
1. SRAM芯片的引脚定义早期的SRAM 芯片采用了20 线双列直插（DIP：Dual Inline Package）封装技术，它们之所以具有这么多的针脚，是因为它们必须：• 每个地址信号都需要一根信号线• 一根数据输入线和一根数据输出线• 部分控制线(Write Enable, Chip Select)• 地线和电源线下面的是一个16K x 1-bit SRAM 芯片的针脚功能示意图...
3.3Sram和Dram
人生得意须尽欢
01-26 3101
计算机组成原理之Sram和Dram
SRAM与DRAM的区别
无极
05-02 2911
　在上体系结构这门课之前，我只知道DRAM用作内存比较多，SRAM用作cache比较多。在今天讲到内存技术时，我对于这两个基础概念有了更加完整的认识。这篇文章是我的听课心得，现在分享给各位，仅供参考，若有错误多多指正。 　　从名字上看，SRAM与DRAM的区别只在于一个是静态一个是动态。由于SRAM不需要刷新电路就能够保存数据，所以具有静止存取数据的作用。而DRAM则需要不停地刷新电路，否则内部...
DRAM内存物理地址和地址译码器原理的剖析
一棹春风一叶舟，一纶茧缕一轻钩
10-08 1万+
内存单元的物理地址是由其所处的地址总线上的位置决定的，机器安装完成后，其物理地址是固定的、不变的，并不是由CPU分配的。 cpu只需要告诉控制器它要存取的内存单元地址；要找到这个地址单元则交给成组的地址译码器（如74LS138）实现。 物理地址：加载到内存地址寄存器中的地址，内存单元的真正地址。在前端总线上传输的内存地址都是物理内存地址，编号从0开始一直到可用物理内存的最高端。这些数字被北...
SRAM与DRAM
weixin_51094807的博客
09-30 2695
一、RSM 随机存储器，存储单元的内容可以按需随机存入取出，并且存取速度和数据所在位置无关。断电时信息自动删除（易失性）。分为SRAM和DRAM。 二、SRAM：静态随机存储器 用双稳态触发器来记忆信息，即一个存储单元存储一位信息，0或1。静态存储单元保存的信息比较稳定，其结构简单，可靠性高，速度较快；信息被读取以后仍然保持原有信息，但是其占用原件较多，占硅片面积大，功耗大，集成度不高。通常被用来做高速缓冲寄存器。 三、DRAM：动态随机存储器 靠电容存储电荷的原理来寄存信息，电容上有足够的电荷表
DRAM和SRAM的区别
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SummerXRT的博客
07-29 4万+
文章目录一、RAM介绍DRAM和SRAM区别1. 内部结构不同2. 寻址方式不同二、ROM 一、RAM 介绍 RAM，即随机存储器或者易失性存储器，因为断电后就失去保存的数据。 分为SRAM和DRAM： DRAM，即动态随机存储器，一般用于内存，需要不断地刷新电路，否则数据就消失了。 SRAM，即静态随机存储器，一般用于CPU中的cache（高速缓冲存储器），不需要不停地刷新电路来保存数据。 特点如下： 下面详细阐述一下区别： DRAM和SRAM区别 1. 内部结构不同 SRAM是依靠触发器
DRAM和SRAM在地址复用技术方面的区别
qq_45831135的博客
06-22 3966
行列地址复用： 比如你的存储器容量是16bit，那么可以将这16个比特组织成一个4*4的矩阵，为了找到某个你想要找的bit，比如第1行第2列的那个bit。你先发送二进制的01，表示要找的数据在第1行；接着发送二进制的10，表示要找的数据在第2列。这样一来你就找到了第1行第2列的那个bit。可以发现只要两根地址线就能寻找16个bit了，但是要发送两次地址（一次行地址，一次列地址）‍ 行列独立： 同样的16bit存储器，这16个bit不是组织成一个矩阵，而是一个数组，标号0~15，所以需要四根地址线来寻找，譬如
SRAM和DRAM对比
最新发布
09-05
SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM（动态随机存取存储器）是两种常见的计算机内存类型，它们在技术、性能和用途上有所不同。 SRAM使用六个晶体管来存储每一位数据，因此具有较快的读写速度，不需要刷新，且功耗较高...
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