计组之存储系统:2、SRAM(区别、栅极电容、双稳态触发器、DRAM刷新、地址复用)和DRAM(MROM、PROM、EPROM、EEPROM)

本文深入探讨了SRAM和DRAM两种内存类型的主要区别,包括SRAM使用双稳态触发器,而DRAM依赖于栅极电容来存储数据。DRAM需要定期刷新以保持数据,且采用了地址复用技术以节省硬件资源。同时,文章对比了SRAM和DRAM的性能和应用场景,并介绍了ROM的不同种类在主存中的角色。
摘要由CSDN通过智能技术生成
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