计组——掌握DRAM和SRAM相关知识点

DRAM和SRAM简介

二者都属于随机存储器RAM，可以随机进行读取和写入
DRAM——使用栅极电容存储信息
SRAM——使用双稳态触发器存储信息

栅极电容

• 数据线只有一根
• 读出1： MOS管接通，电容放电（属于破坏性读出，需要给电容重新充电），数据线上产生电流
  读出0：MOS管接通后，数据线上无电流
• 读写速度快
• 每个存储元制造成本更低，集成度高，功耗低（电路简单）
• 需要刷新（电容内的电荷只能维持2ms，即使不断电，2ms后信息也会丢失）

双稳态触发器：A高B低表示1；A低B高表示0

• 有两根数据线
• 读出数据，触发器状态保持稳定，是非破坏性读出，无需重写
• 读写速度快
• 每个存储元制造成本更高，集成度低，功耗大（电路复杂）
• 只要不断电，触发器的状态就不会改变

DRAM和SRAM的对比

DRAM的刷新

2ms刷新一次
以行为单位，每次刷新一行存储单元
“刷新”由存储器独立完成，不需要CPU控制

注意点：

ROM只能进行随机取，不能进行存操作

Flash（闪存）存储器集合了ROM和RAM的优点

DRAM的地址线复用技术：
行、列地址分两次送，可使地址线和地址引脚减半

附图

MROM：只能读不能写
PROM：写一次后就不可更改
EPROM：可进行多次重写（UVEPROM：紫外线照射8-20分钟，可擦除所有信息；EEROM：电擦除的方式，擦除特定的字）
Flash Memory：可进行多次快速擦除重写，如U盘、SD卡（每个存储元只需单个MOS管，位密度比RAM高；需要先擦除再写入，所以写速度比读速度要慢）
SSD（solid state Drivers）：由控制单元+存储单元（Flash芯片）构成，可进行多次快速擦除重写