STM32 BootLoader 刷新项目 (十二) Option Byte之FLASH_OPTCR-命令0x58

STM32 BootLoader 刷新项目 (十二) Option Byte之FLASH_OPTCR-命令0x58

STM32F407芯片的OPTION Byte全面解析

STM32F407芯片是STMicroelectronics推出的一款功能强大的微控制器，广泛应用于工业控制、通信和消费电子等领域。其中，OPTION Byte（选项字节）是STM32系列芯片的重要配置功能，允许用户通过配置特定的寄存器，控制芯片的关键特性，例如启动模式、读保护和写保护等。

本文将分为8个章节，全面解析STM32F407芯片的OPTION Byte功能。

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第一章：OPTION Byte 概述

1.1 什么是OPTION Byte？

OPTION Byte 是 STM32 系列芯片中一种特殊的配置区域，存储在片内闪存（Flash memory）中。它的主要作用是提供芯片启动、保护和工作模式等关键参数的配置选项。这些字节在系统启动时被加载到对应的配置寄存器中，影响芯片的行为。

1.2 OPTION Byte 的作用

OPTION Byte 的主要功能包括：

1. 启动模式配置：选择芯片从主Flash、系统存储器或SRAM启动。
2. 读保护（Read Out Protection, ROP）：保护芯片中的数据不被非法读取。
3. 写保护（Write Protection, WP）：保护指定的Flash区域不被擦除或写入。
4. BOR（Brown-Out Reset）电压等级：设置芯片的掉电检测电压等级。
5. Watchdog配置：使能或禁止独立看门狗（IWDG）在芯片复位后启动。

Option Byte由最终用户根据应用需求进行配置。表14显示了这些字节在用户配置扇区内的组织结构。

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1.3 Programming user option bytes

要在该扇区上执行任何操作，必须清除Flash选项控制寄存器(FLASH_OPTCR)中的选项锁定位(OPTLOCK)。为了允许清除此位，您需要按照以下步骤进行操作：

1. 将Flash选项密钥寄存器(FLASH_OPTKEYR)中的OPTKEY1设置为0x0819 2A3B。

2. 将Flash选项密钥寄存器(FLASH_OPTKEYR)中的OPTKEY2设置为0x4C5D 6E7F。

用户选项字节可以通过软件设置OPTLOCK位来防止不必要的擦除/编程操作。

Modifying user option bytes on STM32F405xx/07xx and STM32F415xx/17xx

要修改用户选项值，请按照以下顺序进行操作：

1. 检查FLASH_SR寄存器中的BSY位，确保没有正在进行的Flash内存操作。
2. 将所需的选项值写入FLASH_OPTCR寄存器。
3. 在FLASH_OPTCR寄存器中设置选项启动位（OPTSTRT）。
4. 等待BSY位被清除。

1.4 Write protections

FLASH_OPTCR 是 STM32F407 芯片中用于控制和配置 Option Byte 的关键寄存器。通过操作该寄存器，可以设置各种与芯片启动模式、安全性以及电压保护相关的功能。以下是对 FLASH_OPTCR 寄存器的详细介绍。

Flash存储器中最多可以保护24个用户扇区，以防止由于程序计数器上下文丢失而导致的不必要写操作。当FLASH_OPTCR或FLASH_OPTCR1寄存器中的非写保护nWRPi位（0 ≤ i ≤ 11）为低电平时，相应的扇区将无法被擦除或编程。因此，如果其中一个扇区受到写保护，则无法进行全片擦除。如果尝试对Flash存储器中受写保护部分（由写保护位、OTP部分锁定或永远不能被写入的ICP组成）进行擦除/编程操作，则会在FLASH_SR寄存器中设置写保护错误标志（WRPERR）。

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FLASH_OPTCR 寄存器定义

FLASH_OPTCR 是一个 32 位寄存器，其各位或各位段控制特定的 Option Byte 配置。

位段	名称	说明
[0]	OPTLOCK	选项锁位（Option Lock）
[1]	OPTSTRT	选项启动位（Option Start）
[2:3]	BOR_LEV	掉电复位电压等级（Brown-Out Reset Level）
[4]	Reserved	保留位
[5]	WDG_SW	独立看门狗模式选择（Software or Hardware IWDG）
[6]	nRST_STOP	STOP模式复位禁用
[7]	nRST_STDBY	Standby模式复位禁用
[8:15]	RDP	读保护等级（Read Protection Level）
[16:27]	WRP	写保护配置（Write Protection for Flash Sectors）
[28:31]	Reserved	保留位

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各字段详细解析

1. OPTLOCK（Option Lock） [0]

• 说明：选项字节锁定位，用于保护 FLASH_OPTCR 寄存器不被意外修改。
• 值：
  • 1：锁定 Option Byte。
  • 0：解锁 Option Byte。
• 操作：需要先写入解锁密钥到 FLASH_OPTKEYR 寄存器，才能将此位清零解锁。

2. OPTSTRT（Option Start） [1]

• 说明：选项启动位，用于触发 Option Byte 的写入操作。
• 值：
  • 1：启动 Option Byte 写入。
  • 0：无操作。
• 操作：在修改完 Option Byte 配置后，需将该位设置为 1 以启动写入。

3. BOR_LEV（Brown-Out Reset Level） [2:3]

• 说明：配置 BOR 掉电复位的电压阈值。
• 值：
  • 0000：BOR Level 0（最低电压复位，1.8V 至 2.1V）。
  • 0001：BOR Level 1（1.9V 至 2.4V）。
  • 0010：BOR Level 2（2.1V 至 2.7V）。
  • 0011：BOR Level 3（2.4V 至 2.9V）。
  • 其他值：保留。
• 应用：在电源不稳定的场景中，可通过调整 BOR Level 确保 MCU 在电压异常时安全复位。

4. WDG_SW（Independent Watchdog Selection） [5]

• 说明：独立看门狗模式选择。
• 值：
  • 0：硬件模式（独立看门狗由硬件启动，不能由软件禁用）。
  • 1：软件模式（独立看门狗由软件启动，可以由软件控制）。
• 应用：在安全关键场景中，硬件模式更可靠；而软件模式适合需要灵活控制的应用。

5. nRST_STOP（Stop Mode Reset Disable） [6]

• 说明：STOP模式复位禁用。
• 值：
  • 0：启用 STOP 模式下的复位。
  • 1：禁用 STOP 模式下的复位。
• 应用：用于控制在进入 STOP 模式后，是否允许复位信号。

6. nRST_STDBY（Standby Mode Reset Disable） [7]

• 说明：Standby模式复位禁用。
• 值：
  • 0：启用 Standby 模式下的复位。
  • 1：禁用 Standby 模式下的复位。
• 应用：与 nRST_STOP 类似，用于控制芯片在 Standby 模式的复位行为。

7. RDP（Read Protection Level） [8:15]

• 说明：读保护等级。
• 值：
  • 0xAA：无保护（Level 0）。
  • 0xBB：读保护（Level 1）。
  • 其他：高强度保护（Level 2，数据不可访问且不可恢复）。
• 注意：
  • 一旦进入 Level 2，芯片的 Flash 区域永久锁定。
  • 从 Level 1 回到 Level 0 需要擦除整个 Flash。

8. WRP（Write Protection） [16:27]

• 说明：写保护设置，指定哪些 Flash 扇区受写保护。
• 值：每个位对应一个扇区，1 表示受保护，0 表示不受保护。
• 应用：在固件更新或调试时防止误擦写关键代码区域。

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使用 FLASH_OPTCR 的关键操作

1. 解锁 OPTION Byte

在写入 FLASH_OPTCR 之前，必须解锁 Option Byte：

FLASH->OPTKEYR = 0x08192A3B; // 解锁密钥1
FLASH->OPTKEYR = 0x4C5D6E7F; // 解锁密钥2

2. 配置 FLASH_OPTCR

修改寄存器中对应的字段。例如，启用读保护并设置 BOR 为 Level 3：

FLASH->OPTCR |= FLASH_OPTCR_RDP_0;       // 设置 RDP 为 Level 1
FLASH->OPTCR &= ~FLASH_OPTCR_BOR_LEV;    // 清除 BOR 配置
FLASH->OPTCR |= FLASH_OPTCR_BOR_LEV_2;   // 设置 BOR 为 Level 3

3. 启动写入

完成配置后，启动 Option Byte 写入：

FLASH->OPTCR |= FLASH_OPTCR_OPTSTRT; // 启动写入
while (FLASH->SR & FLASH_SR_BSY);    // 等待操作完成