“磁”话有理（一）——磁性元件基础理论梳理

“磁”话有理（一）——磁性元件基础理论梳理

最近准备弄点磁元件到我这一套源设计理论中，由于理论生疏，花了一点时间对磁性元件设计所需基础理论进行了部分梳理，计划以较快的时间对耦合电感、磁集成这一套熟悉且能够运用，开始吧！
一、 基本概念
磁通Φ：垂直通过一个截面的磁通线总量；
磁感应强度B:单位面积上的磁通（即磁通密度）（涉及左手定则和洛伦兹力的部分参见高中物理）；
磁介质的磁导率μ：表征物质导磁能力，如一般导磁介质的磁力线比空气中多很多，真空磁导率； μo=4π*10-7H/m，与之相关的概念还有绝对磁导率、相对磁导率、有效磁导率等等；
磁场强度H：磁感应强度B与磁导率μ的比值：H=B/μ，（1）只与产生磁场的电流有关；（2）矢量，方向与B相同；
感应电动势e：我的理解是磁通变化在线圈两端产生的“压差”，也是法拉第电磁感应定律的通俗理解：

磁链Ψ(读psi):各线圈匝链总磁通；

二、基本定理

1. 安培环路定理：磁场中的磁场强度沿任一闭合回路的线积分等于穿过该回路所限定面积的总电流,∑I为闭合曲线所包围的电流代数和。
   
   
2. 磁路欧姆定律：（首先要了解磁压和磁阻的概念）
   两点间的磁压定义：
   
   磁动势：F= Ni = ΦRmc
   
   两个欧姆定律的对应关系：
   
   最重要且需要牢记的公式：磁压降Um=ΦRmc=Hlc，其中lc为磁路的长度
   由此引入磁路计算的两个基本定律：
   （1） 磁路基尔霍夫第一定律：磁路中任意节点的磁通（类比电流）之和为0，即：
   
   （2） 磁路基尔霍夫第二定律：沿某一方向的任意闭合回路的磁动势的代数和等于磁压降的代数和，即：
   
   换言之，在任一闭合路径上，磁动势总和等于磁压降总和，即：