JFET的结构及其工作原理

最新推荐文章于 2024-05-26 19:43:30 发布
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N沟道JFET

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P沟道JFET

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一只小汤姆
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JFET管原理
12-09
MOS管仅仅是场效应管中的一种。另一种就是结型场效应管或JFET。这种器件把包围反向结的耗尽区作为gate dielectric。图1.27A是N-channel JFET的截面图。这种器件里有一块称作body的轻掺杂N-型硅，在这块硅里有两个相对的P型扩散区。两个结之间的薄的N型硅就是JFET的channel。两个扩散区就是GATE和BACKGATE，body的相对的两个端就是source和drain。740)this.width=740" border=undefined>图1.27 N-channel JFET晶体管工作在线性区（A）和在饱和区（B）的截面图。图中，S＝Source\uff0cD=
MOSFET（四）：区别JFET
既有随处可栖的江湖，也有追风逐梦的骁勇！
08-08 1538
一、JFET及工作原理 N沟道JFET是一种三极结构的半导体器件，包含源极（S）、漏极（D）、栅极（G） 工作原理是通过栅源电压控制反型沟道的导电特性。 当栅极-源极电压为零或正电压时，沟道关闭，漏极电流几乎为零，器件处于截止状态； 当栅极-源极之间施加一定的负电压时，形成反型沟道，沟道打开，漏极电流开始流动，器件处于导通状态。 二、与MOSFET区别 N沟道JFET的栅极和源极之间没有绝缘层（N沟道MOSFET的G、S之间有SiO₂绝缘层），而是通过P型沟道连接在一起。当在栅极和源极之间施加
JFET(结型场效应管)使用方式（不完全，目前漏洞百出，千疮百孔，不忍直视）
最新发布
geniusChinaHN的博客
05-26 116
当使用NMOS管作为开关用途的时候，需要这样使用：通过改变Ug大小实现开关作用：Ug > U gs(off) 并且当开关激活的时候，需要mos管工作在恒流区。这个区域容易确定，只要电流大小不变就可以了。当使用NMOS作为放大作用时候，也需要工作在恒流区，因为这样可以发挥最大的放大作用。
JFET(结型场效应管)
weixin_43794311的博客
02-13 1777
结型场效应管的电压和漏极电流控制关系
半导体器件的JFET
weixin_45293089的博客
04-18 941
源区和漏区之间形成了一个PN结，栅区与源区、漏区之间形成了两个反向偏置的PN结。当栅极电压为零时，PN结的电阻非常高，几乎不会有电流流过，这时器件处于截止状态。当栅极电压增加时，PN结的电阻会减小，从而允许电流流过，这时器件处于放大状态。因此，通过调节栅极电压，可以控制器件的电流和放大程度。它的特点是在器件中形成了一个PN结，通过调节栅极电压来控制PN结的电阻，从而控制器件的电流。JFET有一些优点，比如输入电阻高、噪声小、线性性好等，但也有一些缺点，比如输出电阻高、温度稳定性差等。
模拟电路设计（4）--- J-FET的结构和工作原理
diudiulala的博客
08-25 1367
J-FET的结构和工作原理
结型场效应管（JFET）
qq_74114817的博客
02-19 789
结型场效应管有N沟道和P沟道两种类型，将重点介绍N沟道结型管，结构如下。在一块N型半导体上面制作两个高掺杂的P区，并将其连接在一起，所引出的电极称为，N型半导体的两端分别引出两个电极，一个称为，一个称为。漏极与源极之间的非耗尽层区域称为。
最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一.rar-综合文档
05-14
本资料"最经典MOS管电路工作原理及详解没有之一.rar"深入浅出地探讨了MOS管的工作原理和常见电路应用，对于电子工程师和学习者来说，是一份非常宝贵的资源。 首先，我们来了解MOS管的基本结构。MOS管由三个主要部分...
MOSFET与MOSFET驱动电路原理及应用
01-20
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。 　在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通...
场效应管工作原理
08-01
场效应管，全称为场效应晶体管，是一种电压控制型半导体器件，主要由多数载流子参与导电，与双极型晶体管的双载流子机制不同...深入理解和掌握场效应管的工作原理及其应用，对于电子技术的学习者和工程师来说至关重要。
元器件应用中的结型场效应管（JFET）的主要参数
11-07
（1）. 夹断电压VP 　　当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。 　　（2）. 饱和漏极电流IDSS 　　在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的最大电流。 　　（3）. 直流输入电阻RGS 　　它是在漏-源极间短路的条件下，栅-源极间加一定电压时，栅-源极间的直流电阻。 　　（4）. 低频跨导gm 　　当vDS为常数时，漏极电流的微小变化量与栅-源电压vGS的微小变化量之比为跨导，即 　　gm反映了栅-源电压对漏极电流的控制能力，是表征场效应管放
模拟技术中的基于JFET 的高精度可程控放大电路设计
11-03
摘要：微弱信号常常伴随大量的噪声且驱动能力较弱，给精确测量带来很大难度。基于结型场效应管的程控放大器以压控放大电路为核心，通过单片机C8051F020控制12位D/A输出，改变工作在可变电阻区的结型场效应管的栅极电压以改变反馈电阻， 从而实现放大倍数精确调节，使整个系统操作起来更加简单、方便。系统实现对信号1到1000倍放大并可程控，通过液晶显示输入、输出值和放大倍数。测试结果显示系统能够对最小1mv的输入信号进行预定放大且具有较高的精度；以JFET为核心的压控电阻工作速度快、可靠性好、控制灵敏度高，无机械触点使其噪声较低；系统12位A/D、D/A均集成在单片机内部，缩减了复杂的外围电路，可靠
模拟技术中的一种夹层电阻结构及其应用
10-20
深入分析，夹层电阻的工作原理可类比于一个P沟道的JFET（结型场效应管）。在这个结构中，低浓度的P型注入区相当于JFET的沟道，而N+和N阱则充当栅极，SP注入区分别对应源极和漏极。在实际应用中，通过短接栅极和源极...
北京邮电大学_信通院_模电实验六_JFET-CS放大电路测试报告
03-16
通过本实验，学生可以了解 JFET-CS 放大电路的基本结构和工作原理，掌握 FET 参数的获取和电路设计的方法，了解仿真和测试的重要性，并掌握基本的信号处理方法。 知识点： * 场效应晶体管（JFET）的基本结构和工作...
结型场效应管（JEFT）
热门推荐
乐褀的博客
05-08 1万+
结型场效应管（JEFT） 1.结型场效应管的概述（JEFT）： 结型场效应管基本结构（JEFT）： 这里提示一下N沟道和P沟道的图像画法（不要搞混了） 2.结型场效应管的工作原理（以N沟道为例）（JEFT）： 注意这里UGS是反向电压，所以小于0，Up是夹断电压 注意理解这里楔形的形成原因： 3.结型场效应管的输出特性曲线： 注意发现P沟道和N沟道关于原点对称，所以我们只需记住N沟道，P沟道对称过来就好了！ ...
JFET效应
weixin_45293089的博客
07-04 892
JFET（结型场效应晶体管）是一种三端口半导体器件，具有一个p-n结和两个接在它两侧的n型或p型区域。当一个反向偏压施加在p-n结上时，它将形成一个反向偏压结，阻止电流流过。在这种情况下，JFET的漏极和源极之间的电阻非常高，几乎等于一个开路。然而，当一个正向偏压施加在p-n结上时，它将形成一个导电通道，允许电流流过。这种情况下，电阻非常低，几乎等于一个短路。这种基于场效应的电阻调制机制称为JFET效应。JFET通常用于低噪声电路、高输入阻抗放大器、开关等应用中。
JFET 特性总结
云，风扬起的地方
10-12 2623
场效应管所谓N型场效应管就是导电沟道材料为N型材料。P型的当然就是导电沟道是P型材料了。而如果想让场效应管能正常工作就是通过控制电压Ugs来控制PN结间电压，一定要让它处于反向偏置才能为放大状态，如果PN结处于正向偏置那么该场效应管就为不正常状态了。拿N型JFET来讲，通过Ugs间电压来控制电流Id。Id的电流是从漏极流向源极的，我们视为正。反之为负。所以，电流从漏级流向源极也就是说电压Uds
电子元件学习——MOS管，JFET
qq_44152624的博客
06-08 2382
不留遗憾 作为一个电子信息类学生就算不热爱这个专业，但是不会电子元件的基础知识也是不可原谅的！所以写这个博客 来帮助自己复习一下一些常用的电子元件。 MOS管 大二上学期开的是模电的课，其中提到最多的元件是MOS管。 ==什么是MOS管?== MOS管是一种绝缘栅型场效应管。是一种通过金属，氧化物，半导体构成绝缘栅极的一种电压控制电流的元件。它是 一种对称元件,对调它的源...
JFET结构的原理是什么？
09-06
### 回答1： JFET（动态整流晶体管）是一种半导体器件，它具有三个极，分别为源极、漏极和基极。它的工作原理是通过控制基极与源极之间的电流来控制漏极与源极之间的电流。当基极与源极之间的电流增加时，漏极与源极之间的电流减少，反之亦然。因此，JFET可以用来作为电流放大器或电流限制器。 ### 回答2： JFET（结型场效应晶体管）是一种三层结构的半导体器件，由源极、漏极和栅极组成。其原理是通过控制栅极电压来调节源-漏之间的电流。 JFET的源与漏之间有一个pn结；在一个具有电荷的通道中引入了一个栅极。当栅极电压为零时，由于漏极和源极之间的pn结处于反向偏置状态，几乎没有电流通过。这种状态被称为截至状态。 当栅极电压高于源极电压时，栅极电压会在通道中创造出一个由正负电荷构成的电场。这个电场会抵消由于反向偏置而产生的电场，从而减小了通道的阻抗。当栅极电压达到某一阈值电压时，通道的电阻接近零。这种状态被称为饱和状态。 当栅极电压低于源极电压时，通道的电阻增大。这是因为栅极电压的降低导致电子的移动速度减慢，通道中负电荷的数量减少。这种状态被称为线性状态。栅极电压越低，通道电阻越大，源-漏电流越小。 通过控制栅极电压，JFET可以实现电流的调节和放大。JFET具有低噪音和高输入电阻等特点，广泛应用在放大器、开关和模拟电路等领域。 ### 回答3： JFET（结型场效应晶体管）是一种三端器件，其结构原理是基于PN结转化为PNP或NPN结构的。 JFET由两个掺杂类型相反的半导体材料组成，形成了一个PN结。其中一个区域是N型半导体，另一个区域是P型半导体。将这两个区域相连的地方称为结区。 当没有外加电压施加到JFET的栅极（Gate）时，PN结处的电场将阻止电荷流动。这被称为零偏态。 当一个电压施加到栅极上时，此时栅极与结区之间会形成一个电场。如果施加的电压为正值，那么栅极与结区之间的电场将会推开P型区中的少数载流子而引入N型区，从而在N型区与P型区之间形成一个空间电荷区域。这被称为增强型JFET。与此相反，如果施加的电压为负值，那么栅极与结区之间的电场将会挤入P型区中的少数载流子，减少N型区与P型区之间的空间电荷区域。这被称为耗尽型JFET。 在增强型JFET中，N型区与P型区之间形成的空间电荷区域（称为沟道），被电场推动形成了导电路径，电荷载流子可以沿着这个区域移动，从而形成电流。当通过栅极施加的电压增大时，沟道中的电流也会增大。 在耗尽型JFET中，减小施加的电压会减小沟道中的电流。 总而言之，JFET的原理是根据栅极与结区电场相互作用的方式来控制电流流动。

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