SSD
文章平均质量分 70
onetime0503
这个作者很懒,什么都没留下…
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NAND Read Error
NAND FLASH基本存储单元(Cell)是一种类NMOS的双层浮空栅(Floating Gate) MOS管组成 。写操作是在控制极加正电压,使电子通过绝缘层进入浮栅极。擦除操作正好相反,是在衬底加正电压,把电子从浮栅极中吸出来。如下图所示:一个存储单元存储1bit数据的NAND FLASH,我们叫它为SLC (Single Level Cell),2bit为MLC (Multiple Level Cell),3bit为TLC (Triple Level Cell...原创 2021-05-17 17:05:10 · 987 阅读 · 0 评论 -
SSD TRIM命令
TRIM(SATA), Deallocate(NVMe), UNMAP(SCSI)指的是同一类指令,都是为了减少不必要的数据搬移。原因:在文件系统中,删除文件并没有真正的删除物理的数据,只是清空了记录表。而此时,对SSD来说,它并不知道文件已经被删除了,只有下次覆写的时候,SSD才能发现之前被删除的文件对应的page是无效的,从而启动GC。然而,如果在此之前发生了GC等数据搬移动作,无效的page仍然会被当做是有效的。作用:Trim 只是一个指令,它让操作系统通知 SSD 主控某个页的数据已原创 2020-11-25 15:40:08 · 2648 阅读 · 0 评论 -
概念区分之 M.2, PCIe, NVMe
NVMe, AHCI and IDE are transfer protocols (languages). They run on top of transfer interfaces such as PCIe or SATA (spoken, written).NVMe,AHCI 和 IDE 是传输协议(语言)。 它们运行在诸如 PCIe 或 SATA(口头,书写)之类的传输接口之上。M.2 更多的指的是主板上的硬件接口,而 SATA/PCI-E 则更多的指的是一种数据传输通道,而 AHC..原创 2020-09-16 17:10:53 · 8219 阅读 · 0 评论 -
SSD相关术语
接口类型: SATA PCIe传输协议: AHCI(对应SATA) NVMe(对应PCIe)原创 2018-06-27 13:11:09 · 412 阅读 · 0 评论 -
Nand flash相关概念介绍
1. SDR/DDRSDR(Single Data Rate): 读写数据使用上升沿或下降沿。DDR(Double Data Rate):写数据时通过MCU来控制DQS信号跳变沿来触发(即上升沿和下降沿均触发)。2. 同步/异步Sync模式是指Flash操作时需要一个源时钟来对锁存信号进行同步,提高信号采集的准确性。Async,即不需要时钟信号来进行同步,数据通过WEN...转载 2018-09-26 11:08:27 · 1340 阅读 · 0 评论 -
Page Register
对Nand flash来说,读写是以page为单位。对于flash中的每个plane,都有一个page register(或者叫cache register, data register),用于存放将要写入到物理存储单元中去的或者刚从存储单元中读取出来的数据。也就是说,nand flash的数据流向如下图所示:...转载 2018-09-27 09:08:30 · 1718 阅读 · 0 评论