Nand Flash
onetime0503
这个作者很懒,什么都没留下…
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NAND FLASH -WARMUP CYCLE
当NAND interface速度在800MB/s以上时,为了增加信号传输的稳定度,可以使用warmup cycle(DQS latency cycle)。warmup cycle主要时在burst read/write开始之前,加入几个cycle的dummy data,用来sync DQ/DQS, 使sampling 更加准确。...原创 2022-08-07 09:24:49 · 1343 阅读 · 1 评论 -
NAND Read Error
NAND FLASH基本存储单元(Cell)是一种类NMOS的双层浮空栅(Floating Gate) MOS管组成 。写操作是在控制极加正电压,使电子通过绝缘层进入浮栅极。擦除操作正好相反,是在衬底加正电压,把电子从浮栅极中吸出来。如下图所示:一个存储单元存储1bit数据的NAND FLASH,我们叫它为SLC (Single Level Cell),2bit为MLC (Multiple Level Cell),3bit为TLC (Triple Level Cell...原创 2021-05-17 17:05:10 · 1111 阅读 · 0 评论 -
概念区分之LUN、die、target、channel
在nand里,LUN(Logical Unit)和die是同一个意思。都是执行cmd和report status的最小单位。一个target对应一个CE、R/B信号线。根据封装的不同,target里可能会有一个或多个die。spec原文如下:1 die target2 die targetchannel 表示有几组ALE、CLE、IO[7:0]、DQS、RE、WE、WP信号线。...原创 2021-04-02 10:01:55 · 10310 阅读 · 2 评论 -
Page Register
对Nand flash来说,读写是以page为单位。对于flash中的每个plane,都有一个page register(或者叫cache register, data register),用于存放将要写入到物理存储单元中去的或者刚从存储单元中读取出来的数据。也就是说,nand flash的数据流向如下图所示:...转载 2018-09-27 09:08:30 · 1903 阅读 · 0 评论