NAND Read Error

NAND FLASH 基本存储单元 (Cell) 是一种类 NMOS 的双层浮空栅 (Floating Gate) MOS 管组成 。写操作是在控制极加正电压，使电子通过绝缘层进入浮栅极。擦除操作正好相反，是在衬底加正电压，把电子从浮栅极中吸出来。如下图所示：

一个存储单元存储 1bit 数据的 NAND FLASH，我们叫它为 SLC (Single Level Cell)，2bit 为 MLC (Multiple Level Cell) ，3bit 为 TLC (Triple Level Cell)。读写的时候，一般根据Floating gate里的电子数判断当前存储的数据是多少。vt分布如下图所示：

随着P/E次数的增加，voltage distribution会变宽并且右移：

此时，需要retry来调整参考电压：

当distribution重叠的时候，重叠的部分就会发生read error:

这时候就需要LDPC soft decision:

若soft decode也不能recover，此时就需要用RAID来解：

 

参考:

http://www.ssdfans.com/?p=8074

https://www.flashmemorysummit.com/English/Collaterals/Proceedings