NAND FLASH -WARMUP CYCLE

说明

当NAND interface速度在800MB/s以上时,为了增加信号传输的稳定度,可以使用warmup cycle(DQS latency cycle)。warmup cycle主要时在burst read/write开始之前,加入几个cycle的dummy data,用来sync DQ/DQS, 使sampling 更加准确。

实现

1. NAND 端

通过set feature cmd, 在feature addr 0x02, Byte1, 可以分别设置read/write 方向需要插入的warmup cycle数, read/write方向上的warmup cycle数不需要一致。nand spec示例如下:

Micron:

KIOXIA:

 2. Controller 端

在read/write dma之前,根据set feature中的设定,分别多发相应cycle数的dummy read/write, 示例如下,图中为 2 warmup cycle read:

 

 

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