片外FLASH(W25Q)和EEPROM(AT24c02)比较

漂洋过海的鱼儿

已于 2022-06-18 22:21:36 修改

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文章标签：单片机 stm32 嵌入式硬件

于 2022-06-18 10:34:32 首次发布

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前言

1块=16扇区；1扇区=16页；1页=256字节；
W25Q64的最小擦除单位为一个扇区，也就是每次必须擦除4K个字节。所以，这需要给W25Q64开辟一个至少4K的缓存区，这样必须要求芯片有4K以上的SRAM才能有很好的操作。

在这里插入图片描述

FLASH芯片只能按扇区、块为单位擦除，或者是全片擦除。写可以1~256字节写，一次最多写256字节。
W25Q16、W25Q32、W25Q64、W25Q128的内存地址为3字节（3x8=24bit）；但是W25Q256和W25Q512的内存空间地址为4字节（4x8=32bit）；需要注意：因为这个内存空间地址字节数不同，我们在写W25Q256和W25Q512的驱动时，前面的几种型号芯片程序就无法和这两个芯片的驱动直接兼容，需要修改指令后跟的地址（由原来的三字节改为四字节）才行。

在这里插入图片描述

硬件上为4根线。
主机和从机都有一个串行移位寄存器，主机通过向它的SPI串行寄存器写入一个字节来发起一次传输。
串行移位寄存器通过MOSI信号线将字节传送给从机，从机也将自己的串行移位寄存器中的内容通过 - MISO信号线返回给主机。这样，两个移位寄存器中的内容就被交换。
外设的写操作和读操作是同步完成的。如果只进行写操作，主机只需忽略接收到的字节；反之，若主机要读取从机的一个字节，就必须发送一个空字节来引发从机的传输。

待更新。。。。。。