LEB消隐电路：原理与应用总结

“LEB 消隐电路”中的“LEB”通常指的是“Leading Edge Blanking”（前沿消隐），这是一种在开关电源电路中广泛应用的技术。

一、什么是LEB消隐电路？

前沿消隐电路是一种设计用于屏蔽开关电源中功率开关器件（如MOSFET）导通瞬间产生的电流尖峰的电路。在开关电源（如反激式电源）中，当开关管打开时，由于寄生电容（如MOSFET的Coss电容）或电路中的其他瞬态效应，会在电流采样电阻上产生一个短暂的高电压尖峰。这个尖峰可能会误触发过流保护（OCP，Over-Current Protection），导致电源系统不稳定甚至崩溃。

LEB电路的功能就是在开关管导通后的最初一段时间（通常为200-300纳秒）内，暂时屏蔽电流采样信号，避免检测到这个尖峰。只有在消隐时间结束后，电路才会开始正常采样电流，从而确保系统的稳定性。

二、为什么需要LEB消隐电路？

1. 消除误判：开关管导通时的电流尖峰并非真正的过流状态，而是由寄生参数引起的瞬态现象。没有LEB电路，控制芯片可能会错误地认为发生了过流，从而频繁关断开关管，影响电源正常工作。
2. 提高稳定性：通过屏蔽尖峰，LEB电路可以让电源系统更可靠地运行，尤其是在高频开关应用中。
3. 简化设计：在早期的芯片设计中，通常需要外部RC滤波电路来滤除尖峰，而现代芯片内部集成LEB功能后，可以减少外部元件的数量，简化电路设计。
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三、工作原理

以反激电路为例：

• 当驱动信号使MOSFET导通时，电流开始流过采样电阻。
• 由于寄生电容的充电或变压器漏感的影响，电流波形上会出现一个尖峰。
• LEB电路在这段时间内禁止电流采样（即“消隐”），通常通过一个定时器实现。
• 消隐时间结束后，芯片恢复正常采样，判断电流是否超过保护阈值。

四、实际应用

LEB消隐电路常见于电流模式控制的PWM芯片中，例如UC384X系列或许多现代电源管理IC。消隐时间（LEB时间）一般是固定的，范围在200-300纳秒之间，具体取决于芯片设计。