【电源拓扑】反激拓扑

目录

工作模式

固定频率

CCM连续电流模式

DCM不连续电流模式

可变频率

CRM电流临界模式

反激电源CRM工作模式为什么要跳频

反激电源应用场景

为什么反激电源功率做不大

电感电流爬升

反激变压器的限制条件

精通反激电源设计的关键-反激电源变压器设计

反激电源变压器寄生电容的测量

在充电器上的反激拓扑目前主流是ACF和QR


反激电源变压器本质是一个储能电感

工作模式

固定频率

CCM连续电流模式

驱动信号拉低,MOS管关闭,MOS的寄生电感产生振铃

Ids的小拐角的原因是电容充放电造成的

DCM不连续电流模式

变压器漏感里面的能量在自己振荡

可变频率

CRM电流临界模式

Vds大斜率下降是因为Ids和Id都没有电流,漏感中的能量刚刚开始振荡

CRM:控制IC只要检测到电流过零,立刻打开场效应管

反激电源CRM工作模式为什么要跳频

CRM模式下,开关管的频率会有一个fmax的值,当负载太重时,电流刚到达0时(即第一个震荡的波谷),此时f的值大于fmax,开关管不会动作,它会等待下一个波谷,直至f的值小于fmax的值时,才会导通开关管。这里就会有一段电流为0的时间,也就是死区时间,其实这个时候也就进入了DCM模式。

重载和轻载的概念

对于开关电源,恒压输出,当后端接入的负载很小的时候,电流很大,所消耗的功率就比较大,称为重载,而且此时的转换效率也相对比较高,主要功率消耗在后端的负载上;当接入的负载很大的时候,电流很小,功率就比较小,称之为轻载,转化效率较低

反激电源应用场景

1,宽电压输入,因为只需要把能量储存起来,然后释放出去

2,功率小于200W

为什么反激电源功率做不大

计算反激开关电源时,反激功率做得越大,原边电感量肯定是越小的

由于这种不断存储又释放存储又释放的工作模式决定变压器的是很容易饱和的,为了控制变压器不饱和,通常的做法就是加气隙。

磁芯饱和和磁芯复位

电感电流爬升

想用什么管子的时候重新设计他的变比

反激变压器的限制条件

磁芯不饱和

变压器不过热

安规

精通反激电源设计的关键-反激电源变压器设计

反激电源变压器关心的参数

反激电源变压器寄生电容的测量

在充电器上的反激拓扑目前主流是ACF和QR

准谐振模式QR

准谐振反激拓扑QR具有结构简单,控制容易等优点,但是功率密度提升空间小,无法满足适配器小型化的要求

准谐振实现了零电流MOS开通,但是没有实现零电压MOS管关断

一篇好文

1.OB2365反激准谐振的CS引脚

CS引脚有两个作用

第一个作用是修改原边功率回路的限流值,当电流值达到某一个点时,关闭芯片的栅极驱动器

第二个作用是调整电路工作的轻载和重载模式,通过调整SENCE电阻,工作的轻载和重载发生对应的改变,工作频率也发生对应的改变

2.准谐振工作模式下开关管的开通损耗

https://blog.csdn.net/sinat_15677011/article/details/122656982

MOS的电流曲线

MOS的DS电压

3.反激电源的原边电流和副边电流的工作

目前的理解就是电流经过变压器耦合到副边了

4.前沿消隐(LEB电路)是怎么回事

初级峰值电流通过电流检测电阻Rsense 转化为电压反馈到Sense 端。由于在开关管导通瞬间会有脉冲峰值电流,如果此时采样电流值,会导致错误的控制。就是为了防止这种错误的控制。在IC内部内置前沿消隐(LEB)电路,或IC没有内置LEB的就在CS 输入端采用一个RC滤波来做LEB.其作用是在开关管导通后,经过一段前沿消隐时间(典型270ns)才去控制电流限制比较器.正常工作时,PWM 占空比由Sense 端电压和FB 端电压共同调整。

5.反激变压器的漏感和气隙的关系

气隙越深,漏感越大。变压器漏感与气隙的方式还受绕线方式,绕线紧密程度,材质和是否开气隙等因素影响

6.反激变压器的辅助绕组的电压是由初级线圈和辅助绕组的匝数比决定还是次级输出和辅助绕组匝数比决定

反激变压器的辅助绕组电压是由初级绕组和辅助绕组的匝数比决定的。

虽然次级绕组的电压 VsVs​ 不直接决定辅助绕组的电压,但负载变化或次级绕组的工作状态可能会间接影响整个变压器的工作状态,进而影响辅助绕组的电压。

7.漏感电压Vc是怎么来的,怎么计算
<think>嗯,用户想了解反激电源的工作原理和设计方法,以及相关电路图。首先,我需要回忆反激电源的基本原理。反激式开关电源在开关管导通时储存能量在变压器中,关断时释放到次级,这是核心。记得它的变压器同时起到储能电感的作用,这可能和正激式不同。 然后,用户提到了设计方法,可能需要分步骤说明,比如变压器参数计算、工作模式选择、关键元件选型等。要确保每个步骤的关键点都覆盖到,比如匝数比、气隙调整、RCD吸收电路设计等。 参考提供的引用资料,引用1提到了单端正激式和反激式的区别,这里需要强调反激式的特点。引用2和3详细讨论了RCD吸收电路的作用和设计原则,这部分应该在电路设计部分重点展开,解释如何选择R、C的值,以及二极管的作用。 用户可能需要了解不同工作模式(CCM和DCM)的区别,以及如何选择。此外,电路图部分需要描述主要组成部分,如变压器、开关管、RCD吸收、反馈回路等,但可能无法直接提供图片,所以用文字描述结构。 还需要考虑用户可能的深层需求,比如设计中的常见问题或优化方法,比如如何减少漏感影响,如何提高效率。在相关问题部分,可以引导用户深入探讨这些方面。 最后,确保回答符合格式要求,使用正确的中文,数学公式用$...$,独立公式用$$...$$,引用标注正确。避免使用Markdown,保持口语化但专业。</think>### 反激电源工作原理与设计方法 #### 一、反激电源核心工作原理 反激电源利用变压器储能与释放能量的交替过程实现电压变换,其关键特征为**开关管导通时储存能量,关断时传递能量**。工作过程分为两个阶段: 1. **开关管导通阶段**:输入电压$V_{in}$施加于变压器原边绕组,原边电流线性上升,磁芯储能。此时副边二极管因反向偏置而截止,负载由输出电容供电[^1]。 2. **开关管关断阶段**:变压器磁芯储能通过副边绕组释放,副边二极管导通,能量传递至负载。原边绕组电压极性反转,幅值为$V_{or}=N_p/N_s \cdot V_o$[^2]。 #### 二、电路拓扑结构 典型反激电源电路包含以下关键部件: ``` 输入滤波 → 变压器 → 开关管(MOSFET) → RCD吸收电路 → 输出整流滤波 → 反馈控制 ``` 其中**RCD吸收电路**(由电阻$R_{snub}$、电容$C_{snub}$、二极管$D_{snub}$组成)用于抑制漏感引起的电压尖峰,设计需满足: $$ \frac{1}{2}L_{lk}I_p^2 = \frac{1}{2}C_{snub}V_{snub}^2 + \frac{V_{snub}^2}{R_{snub}}T_{sw} } $$ 式中$L_{lk}$为漏感,$I_p$为峰值电流,$T_{sw}$为开关周期[^3]。 #### 三、关键设计步骤 1. **变压器设计** - 计算原副边匝数比:$N = \frac{V_{in\_min} \cdot D_{max}}{V_o + V_f} \cdot \frac{1}{1 - D_{max}}$ - 确定气隙长度:防止磁芯饱和,需满足$L_p = \frac{\mu_0 N_p^2 A_e}{l_g}$ 2. **工作模式选择** - **DCM模式**(电流断续):适用于小功率场景,EMI特性好 - **CCM模式**(电流连续):适用于大功率场景,电流应力低 3. **控制环路设计** - 采用TL431+光耦反馈,补偿网络需满足相位裕量>45° - 电压采样比:$V_{ref} = \frac{R_2}{R_1 + R_2}V_o$ #### 四、设计实例参数 参数 | 典型值 ---|--- 输入电压 | 85-265VAC 输出电压 | 12VDC/2A 开关频率 | 65kHz 磁芯型号 | EE25 RCD参数 | $R_{snub}=10kΩ$, $C_{snub}=2.2nF$ ####
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值