RAM ROM FLASH 硬盘 cache 寄存器

 

一、RAM（Radom Access Memory）随机存取存储器  

    俗称内存，存取速度快，掉电丢失，按照内存的工作原理RAM一般分为两类：DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM)

按照CPU每个机器周期对RAM访问的次数可分为两类：DARAM(dual access RAM)和SARAM(single access RAM).

    1) DRAM:  由晶体管和电容组成，一个晶体管和一个电容存储一个位的数据，之所以称为动态RAM，是因为需要周期性的给电容充电，然后电容放电给晶体管来让晶体管可以持续的保存数据，因为电容充放电需要一定的时间，所以速度相对来说会慢一些。

    DRAM又可以分为FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM、SGRAM 以及 WRAM 等，这里只说一下SDRAM和DDR SDRAM，其他的没见过也不了解。

    SDRAM: Synchronous DRAM(同步DRAM）俗称内存条，之所以称为同步DRAM，是因为内存条的工作时钟和CPU的时钟是相同的。SDRAM发展到现在经历了五代了，分别是：SDR SDRAM --> DDR SDRAM --> DDR2 SDRAM --> DDR3 SDRAM --> DDR4 SDRAM。SDR SDRAM就是SDRAM,DDR（dual data rate）是指内存一种技术，现在内存的提升主要体现在内存频率和带宽上。

    2)SRAM:  由6个晶体管来存储一个位的数据，不需要周期性的供电，只需要保持一直有电就行。SRAM的特点是速度快，功耗小，价格昂贵，占用体积大，一般用做CPU与内存之间的cache。

    3）DARAM：双口RAM，有两套数据总线，两套地址总线，两套控制总线，所以CPU可以再一个时钟周期内访问两次DARAM，可以同时读写，但是不能同时访问同一个地址。所以DARAM一般用于存储数据段的数据。

    4）SARAM：单口RAM，就是通常所说的RAM，只有一套数据总线，一套地址总线，一套控制总线，CPU在一个时钟周期内之只能访问一次SARAM，一般SARAM用于存储代码段的数据。

          在嵌入式处理器中，如我用过的TMS320VC5505，支持统一寻址，包含片上RAM：64k bytes的DARAM和256k bytes的SARAM，DARAM一般用于存储数据段，SARAM一般用于存储代码段。

二、ROM（Read-Only Memory）只读存储器

    现在我们常说的ROM更多的是对 掉电不丢失数据的 一种统称，ROM包含很多种：ROM PROM EPROM OTP-ROM EEPROM FLASH

    ROM：这是一种制作工艺最简单的半导体存储器，成本很低，只能写入一次，数据可以永久保存，不能修改和读取，现在ROM的应用场合很少了，常见的也就是不可擦除的光盘了（CD-ROM  DVD-ROM）,像激光唱片，电脑的系统启动光盘等

    PROM：可编程ROM（Programmable ROM），内部有行列式的熔丝，当需要改写某个单元的数据时，给这个单元通足够大的电流，将熔丝熔断就可以达到改写某个单元数据的要求（0-->1或者1-->0）。如果PROM出厂时存储的全是1，则熔断熔丝1变成0，如果PROM出厂时存储的全是0，则熔断熔丝0变成1。常用于电子游戏机，电子词典等预存固定数据。

    EPROM：可擦出可编程的ROM（Erasable Programmable ROM）,可重复写入和擦除，写入时需要利用编程器来产生高压脉冲信号，然后编程器将数据逐行地写入EPROM中。擦除时只需将EPROM曝光于紫外线下，EPROM上的数据就会被清除。以前，在嵌入式系统中，使用EPROM当做存储设备使用，用于存储BootLoader、操作系统以及程序代码，但是这些年已经被FLASH代替。

    OTP-ROM：一次可编程ROM（One Time Programmable ROM）,写入原理和EPROM相同，但是没有透明窗，所以不能擦除。

一般FLASH中会有一段空间是OTP的，即只能写入一次，一般在出厂时就已经写好了，用来保存FLASH唯一的序列号。

    EEPROM：电可擦出可编程的ROM（Electrically Erasable Programmable ROM）,直接用电信号就可以擦除和写入，十分方便，现在电脑上的BIOS ROM用的就是EEPROM，在嵌入式系统中应用也比较多

三、FLASH

    俗称 闪存，结合了RAM和ROM的优点，不仅电子可擦出可编程，断电不丢失数据，而且读写速度很快。flash是以扇区（段）为最小读写单位。flash的编程原理都是将1变为0，无法将0变成1.所以在向flash写数据之前必须将相应的内存单元擦除，擦出就是把内存单元置1，也就是对应的字节的值为0xff，向flash写数据的时候就，如果是写0，则将flash中对应的bit由1变为0，如果是写1，则对应的bit不变。flash分为NORFLASH和NANDFLASH:

    NORFLASH：支持随机存取，NORFLASH的读取和SDRAM类似，但是写入有区别，需要遵循特定的命令序列才可以写。程序可以直接在flash上运行。NORFLASH以字或者字节为基本访问单位。

    NANDFLASH：不支持随机存取，最小访问单元是块。

    NORFLASH比NANDFLASH的速度快，也比NANDFLASH贵，容量也小。

四、硬盘

    以上所介绍的存储器都是以半导体材料作为存储介质，而硬盘是以磁性介质作为存储介质，具体的存储原理很复杂，我还没搞明白。