3.3 半导体随即存储器

半导体存储芯片内集成有存储矩阵，译码驱动电路和读写电路等，如下图的基本结构

存储矩阵：大量相同的位存储单元列阵构成。

译码驱动：将来自地址总线的地址信号翻译成对应存储单元的选通信号，这个信号在读写电路的配合下完成对被选中单元的读/写操作。

读写电路：包括读出放大器和写入电路，用来完成读/写操作。

读/写控制线：决定芯片进行读/写操作。

片选线：确定哪个存储芯片被选中。

地址线：单向输入的，位数与存储字个数有关。

数据线：双向的，位数与读出或写入的数据位数有关，数据线数和地址线数共同反映存储芯片容量的大小。如地址线为10根，数据线为8根，芯片容量就为

SRAM（静态随机存储器）的存储元是用双稳态触发器来记忆信息的，具有非破坏性读出。但是易失性半导体存储器。

DRAM（动态随机存储器）利用存储元电路中栅级电容上的电荷来存储信息的，常见的DRAM的基本存储电路通常分为三管式和单管式。DRAM采用地址复用技术，地址线是原来的1/2，且地址信号分行，列两次传送。但DRAM电容上的电荷一般只能维持1~2ms，因此即使电源不掉电，信息也会自动消失。所以要每隔一段时间刷新一次。

1> 集中刷新，在一个刷新周期中，利用一段固定的时间进行刷新。（存在死区）

2> 分散刷新，对一个刷新周期，前半部分正常读，写或保持；后半部分刷新某一行。（没有死区）

3> 异步刷新，将上面两种结合。（有死区）

上面的都是对行刷新

为什么用行，因为这样的存储方式可以使用较少的线，前面那种需要根线，而后面那种只需要根线，远小于前面用的线

RAM的读周期

RAM的写周期

只读存储器（ROM）

ROM和RAM都是支持随机存取的存储器，ROM具有两个特点

1> 结构简单，所以位密度比可读写存储器的高

2> 具有非易失性，所以可靠性高

ROM的类型

1> 掩模式只读存储器 2> 一次可编程只读存储器 3> 可擦除可编程只读存储器 4> 闪速存储器 5> 固态硬盘