三、存储系统(二)半导体存储器

半导体存储器

  1. 随机存取存储器(Random Access Memory,RAM,又称读写存储器
  2. 只读存储器(Read-Only memory,ROM)。 

目录

2.1存储器芯片的内部结构 

2.1 随机存取存储器RAM

2.1.1 静态随机存储器SRAM

2.1.2 动态随机存储器DRAM

2.1.3 SRAM和DRAM的比较 

2.2 只读存储器ROM


2.1存储器芯片的内部结构 

存储器芯片由存储体、I/O读写电路、地址译码和控制电路等部分组成。下图是单片存储芯片与CPU的连接方式。

  •  片选线(chip-select),又叫使能端(chip-enable)。集成块要工作,片选信号就要有效。

  • 地址线: cpu在内存里面读出一个数据时,先通过地址线找到地址,然后再通过数据线将数据取出来。 如果有32根地址线,就可以访问2的32次方,也就是4GB数目个地址。 
  • 数据线: 一个存储单元有多少位就需要多少数据线。
  • 存储矩阵:通常存储单元排列成N行×M列矩阵形式。因此地址线可分为行地址线和列地址线。

SRAM的引脚数=地址线 数据线 片选线(1个)读写控制线(1个或2个,一般会说明)

采用复用技术的DRAM的引脚数=原地址线的一半 + 数据线 + 行选通和列选通(2个)读写控制线(1个或2个,一般会说明)

DRAM芯片容量较大,地址位数较多,为了减少芯片的地址引脚数,通常采用地址引脚复用技术,行地址和列地址通过相同的引脚分先后两次输入,这样地址引脚数可减少一半。同时需要行选通和列选通两根线(片选线用行选通线代替)。

SRAM不采用地址引脚复用技术,但也会设计成存储矩阵。

2.1 随机存取存储器RAM

2.1.1 静态随机存储器SRAM

  • 存储单元是由锁存器构成的,其中M1~M4构成一个SR锁存器用来存储1位二值数据。它属于时序逻辑电路。
  • SRAM中数据由锁存器记忆,只要不断电,数据就能永久保存。

2.1.2 动态随机存储器DRAM

 

  •  其存储单元由一个MOS管和一个栅极电容构成。
  • 由于电路中漏电流的存在,电容器上存储的数据(电荷)不能长久保留,因此必须定期给电容补充电荷,以免数据丢失,这种操作称为刷新或再生。

DRAM电容上的电荷一般只能维持1~2ms,因此即使电源不断电,信息也会自动消失。为此,每隔一段时间必须刷新,通常取2ms,称为刷新周期。常用的刷新方式有三种:

假设存取周期为0.5us,刷新周期是以为单位的刷新一行存储单元只需要一个存取周期,假设DRAM为128×128的存储矩阵。

 

 

 分散刷新不存在死时间。

2.1.3 SRAM和DRAM的比较 

二者都属于MOS型RAM,DRAM是单管动态MOS管存储元件,SRAM是六管静态MOS管存储元件。

此外还有双极型RAM。 

2.2 只读存储器ROM

特点: 

  1. 结构简单,所以位密度比可读写存储器的高。
  2. 具有非易失性,掉电也不会丢失,可靠性高。
  3. 写入时必须先擦除原有数据,因此写速度比读速度要慢不少

类型:

  1. 掩模式只读存储器(MROM):写入以后任何人都无法修改。
  2. 一次性可编程只读存储器(PROM):允许用户利用专门的设备(编程器)写入自己的程序,一旦写入,内容就无法改变。
  3. 可擦除可编程只读存储器(EPROM): 不仅允许用户利用编程器写入自己的程序, 还可以对内容进行多次改写,但不能代替RAM,写入时间过长。此外还有电可擦除可编程只读存储器(E^2{}PROM)
  4. Flash(快闪)存储器:快闪存储器是电可擦除可编程只读存储器( EEPROM)的一种形式。快闪存储器允许在操作中多次擦或写,并具有非易失性,即单指保存数据而言,它并不需要耗电。快闪存储器和传统的EEPROM不同在于它是以较大区块进行数据抹擦,而传统的EEPROM只能进行擦除和重写单个存储位置。这就使得快闪在写入大量数据时具有显著地优势。快闪存储器的擦除和写入是分开进行的,通过在快闪叠栅MOS管的源极加正电压完成擦除操作,而在MOS管的栅极加高的正电压完成写入操作。因此写入前,首先要进行擦除。由于快闪存储器的存储单元结构简单(只需要一个快闪叠栅MOS管),所以集成度较EEPROM高。U盘采用Flash技术。
  5. 固态硬盘(Solid State Drives,SSD):基于闪存的固态电子存储芯片阵列制成的硬盘,由控制单元和存储单元(Flash芯片)组成。保留了Flash存储器长期保存信息、快速擦除与重写的特性。对比传统硬盘也具有读写速度快、低功耗的特性,缺点是价格较高。

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