NAND 和 NOR 的区别

NAND 和 NOR 的区别
简单点说，主要的区别就是：
1、 NAND 比NOR 便宜；NAND 的容量比NOR 大（指相同成本）；NAND 的擦写次数是NOR 的十倍；NAND 的擦除和写入速度比NOR 快，读取速度比NOR 稍慢；
2、 NAND 和NOR 的读都可以以字节为单位，但NAND 的写以page 为单位，而NOR 可以随机写每一个字节。NAND 和NOR 的擦除都以block 为单位，但一般NAND 的block 比NOR 的block 小。另外，不管是NAND 还是NOR ，在写入前，都必须先进行擦除操作，但是NOR 在擦除前要先写0 ；
3、 NAND 不能在片内运行程序，而NOR 可以。但目前很多CPU 都可以在上电时，以硬件的方式先将NAND 的第一个block 中的内容（一般是程序代码，且也许不足一个block ，如2KB 大小）自动copy 到ram 中，然后再运行，因此只要CPU 支持，NAND 也可以当成启动设备；
4、 NAND 和NOR 都可能发生比特位反转（但NAND 反转的几率远大于NOR ），因此这两者都必须进行ECC 操作；NAND 可能会有坏块（出厂时厂家会对坏块做标记），在使用过程中也还有可能会出现新的坏块，因此NAND 驱动必须对坏块进行管理。

性能比较

flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
　　由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
　　执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
　　● NOR的读速度比NAND稍快一些。
　　● NAND的写入速度比NOR快很多。
　　● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
　　● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。
　　● NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。

nandflash中的page size、block size和ubi size是什么?

NAND Flash 存储器中的 page size、block size 和 UBI size 这三个概念是密切相关的,它们对 NAND Flash 的性能和使用寿命都有重要影响。下面分别介绍它们:

1. Page Size
   • Page Size 是 NAND Flash 存储器的最小读写单元,通常为 2KB、4KB 或 8KB 等。
   • 在读写 NAND Flash 时,都是以 Page 为单位进行操作的。
2. Block Size
   • Block Size 是 NAND Flash 存储器的擦除单元,通常为 128KB、256KB 或 512KB 等。
   • 一个 Block 由多个 Page 组成,在 NAND Flash 上进行数据擦除操作时,都是以 Block 为单位进行的。
3. UBI Size
   • UBI(Unsorted Block Images)是一种基于 NAND Flash 的逻辑层,提供了一个虚拟的 MTD(Memory Technology Device)设备。
   • UBI Size 指的是 UBI 层中每个 PEB(Physical Erase Block)的大小,通常与 NAND Flash 的 Block Size 相同或是其整数倍。
   • UBI 层会把 NAND Flash 的物理块(Block)虚拟为 PEB,并提供一个更加可靠和易用的存储接口。

这三个概念之间的关系如下:

• Page Size 决定了 NAND Flash 的最小读写单元。
• Block Size 决定了 NAND Flash 的最小擦除单元。
• UBI Size 决定了 UBI 层的逻辑块大小,通常与 Block Size 相同或是其整数倍。

在使用 NAND Flash 存储系统时,需要根据实际的 NAND Flash 参数,合理设置 Page Size、Block Size 和 UBI Size,以充分利用 NAND Flash 的性能和可靠性。例如,在创建 UBIFS 文件系统时,就需要根据 NAND Flash 的 Page Size 和 Block Size 来设置相应的参数。