NAND Flash和NOR Flash的区别

NAND Flash和NOR Flash在接口、容量、成本、可靠性和耐用性及易用性上存在显著差异。NOR Flash拥有SRAM接口,提供更快的并行访问,适合存储少量代码;而NAND Flash具有更高的存储密度和更低的成本,适用于大量数据存储。NAND Flash的耐用性较低,可能发生比特位反转,需要坏块管理,且需要外部ECC支持。虽然NAND Flash不能直接执行程序,但在某些CPU支持下仍可作为启动设备。
摘要由CSDN通过智能技术生成

1.1接口差别
NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以直接和CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对NOR Flash进行访问,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND Flash器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据﹐只能通过I/O接口发送命令和地址,对NAND Flash内部数据进行访问。各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND Flash读/写操作采用512或2048字节的页。

NOR Flash是并行访问,Nand Flash是串行访问,所以相对来说,前者的速度更快些。

1.2容量和成本
NOR Flash的成本相对高﹐容量相对小,常见的有128KB、256KB、1MB、2MB等;优点是读写数据时,不容易出错。所以在应用领域方面,NOR Flash比较适合应用于存储少量的代码。

NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR Flash器件的一半,由于生产过程更为简单﹐也就相应是的数据。。容量比较大,由于价格便宜,更适合存储大量的数据。

1.3可靠性和耐用性
采用内存Flash介质时一个需要重点考虑的问越定话性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash定非常合垃的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和环块处理六个方面来比较NOR Flash和NANDFIasnu的太擦写次命(耐用性)在NAND Flash闪行中母不次粘录十万次。数是一百万次,而NOkFlash.t的你国优势,典型的NAND Flash除了具有1o:1的块擦除周期优努·典型)NAND Flash块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND Flash块在给定的时问内的删除次数要少一些。

1.4位反转
NAND Flash和NOR Flash都可能发生比特位反转(但NAND Flash反转的几率远大丁NURrIasn会有坏块两者都必须进行ECC操作;NAND Flash

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