STM32F103 晶振问题详解

博主自制开发板，用的 STM32F103RCT6，设计时 8M 晶振并联了个 1M 电阻，实测发现：

1、软件延时 1s ，实际延时 9s，拆掉 1M 电阻问题消失。
2、部分代码下载进去后单片机不工作。（实测晶振不起振 or 波形很差）

网上说加这个 1M 电阻是为了晶振更好的起振，但如果芯片内部本来就有并联电阻，则这个 1M 电阻加不加都行。

根因：博主买错元器件了，买成 1mΩ，不是 1MΩ，毫欧姆和兆欧姆差别还是很大的。

note：看着这个电阻很奇怪，写的 R001 ，用万用表量，切到最低挡位，显示小数；正常 1MΩ 贴片电阻显示的应该是 105。

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博主去查了 STM32 手册

high-speed external (HSE)

也就是说，STM32F103xC, STM32F103xD, STM32F103xE 这几个系列的外部 8 M 晶振，其实是可以不需要在外面并联电阻的，IC 内部有 Rf。

low-speed external (LSE)

顺便看一下 32.768K 晶振的规格，32.768K 晶振是给 RTC 用的，如果不需要可以不加；8M 则是 STM32 的主 clock，一般都要加：

IC 内部也是有 Rf 的，因此实际上并不需要外部并联电阻。