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硬件
文章平均质量分 59
嵌入式Linux系统开发
熟悉硬件、STM32单片机、嵌入式 Linux、Android。
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芯片附近为什么都放 0.1uF 电容 ?
电容思维导图如下:电容有四大作用:去耦、耦合(隔直通交)、滤波、储能。今天我们主要谈论去耦作用。电容封装相信大家都用过这几种电容,板子上最多的是多层陶瓷电容。钽电容:主要用在电源电路中,博主被它炸过很多次…去耦电容这是 STM32F103 最小系统原理图,STM32F103VET6 需要五路 3.3V 供电,他的 3.3V 一般来源于 LDO(低压差线性稳压器),比如 LM1117LDO 比 DC-DC 的方式(TPS5430)更能提供稳定的电压,但对芯片来说依旧不够,我们需要在芯片供原创 2022-04-23 13:49:47 · 1618 阅读 · 0 评论 -
工程研发中EVT、DVT、PVT、MP等名词解释
做项目的过程中,我们的项目会经历几个阶段,用以把控项目进度,本文为你讲解这些专有名词。一般主要分为四个阶段,中间可以穿插其他阶段:EVT: Engineering Verification Test工程验证测试产品开发初期的设计验证。设计者实现样品时做初期的测试验证,包括功能和安规测试,一般由RD(Research&Development)对样品进行全面验证,因是样品,问题可能较多,测试可能会做N次。DVT: Design Verification Test设计验证测试解决样品在EV原创 2021-01-01 11:05:59 · 7587 阅读 · 0 评论 -
海思电源部分(电压转换电路)Power
原创 2020-05-26 11:08:44 · 325 阅读 · 0 评论 -
BQFP与BGA封装
目前芯片大概有70多种封装,从结构或者材料都可以分BQFP(quad flat packagewith bumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫) 以 防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和 ASIC 等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm, 引脚数从84 到196 左右。(典型STM32)BGA球栅阵列式...转载 2020-05-04 00:00:10 · 1845 阅读 · 0 评论 -
AES/DES/3DES对称加解密算法
1)算法和数据结构就是编程的一个重要部分,你若失掉了算法和数据结构,你就把一切都失掉了。2)编程就是算法和数据结构,算法和数据结构是编程的灵魂。对称密码算法当今应用范围最广,使用频率最高的加密算法。它不仅应用于软件行业,在硬件行业同样流行。各种基础设施凡是涉及到安全需求,都会优先考虑对称加密算法。对称密码算法的加密密钥和解密密钥相同,对于大多数对称密码算法,加解密过程互逆。很多人都是用...原创 2020-05-03 23:19:46 · 228 阅读 · 0 评论 -
ESD(Electro-Static discharge)静电阻抗器
ESD(Electro-Static discharge)的意思是"静电释放"。ESD是20世纪中期以来形成的以研究静电的产生、危害及静电防护等的学科。因此,国际上习惯将用于静电防护的器材统称为ESD,中文名称为静电阻抗器。ESD 设计要求整机、单板具有良好的静电泄放路径,且泄放路径上没有敏感信号PCB 布局PCB 的每一层建议有一圈完整 GND,宽度不小于 0.5mm(20mils),且尽...原创 2020-05-02 14:33:33 · 1970 阅读 · 0 评论 -
PCB设计3W规则、20H原则、五五规则
W——线宽H——电源层和地层间的距离3W在PCB设计中为了减少线间串扰,应保证线间距足够大,当线中心间距不少于3倍线宽时,则可保持大部分电场不互相干扰,这就是3W规则。满足3W原则能使信号间的串扰减少70%,而满足10W则能使信号间的串扰减少近98%.3W原则虽然易记,但要强调一点,这个原则成立是有先前条件的。从串扰成因的物理意义考量,要有效防止串扰,该间距与叠层高度、导线线宽相关。对于...原创 2020-05-02 14:20:14 · 2400 阅读 · 0 评论 -
GPIO电流倒灌问题(防倒灌)
在单片机的使用中,有这样一种现象:当断开单片机的供电,而通过IO口连接的外围电路未断电时,单片机还有一定的工作能力(如寄存器还能保持数据,液晶显示不清除,LED指示灯继续发亮,还能进行串口通信等)在实际应用中,当串口芯片与主控IC譬如MCU等器件一同使用时,如果串口直连的双方器件有一方不需要供电工作时,要注意一方电流对另一方电流的倒灌导致未供电的芯片继续工作的情况(这种情况也可能会造成芯片工作异...原创 2020-05-02 12:43:20 · 9420 阅读 · 1 评论 -
LDO与DC-DC
LDO即low dropout regulator,是一种低压差线性稳压器。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器,如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V,否则就不能正常工作。但是在一些情况下,这样的条件显然是太苛刻了,如5V转3.3V,输入与输出之间的压差只有1.7v,显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况,芯片制造商们才研发出了LDO类的电...原创 2020-05-02 11:01:49 · 817 阅读 · 0 评论 -
串口通信校验方式(even,odd,space,mark)
无校验 (no parity)奇校验 (odd parity):如果字符数据位中"1"的数目是偶数,校验位为"1",如果"1"的数目是奇数,校验位应为"0"。(校验位调整个数)偶校验 (even parity):如果字符数据位中"1"的数目是偶数,则校验位应为"0",如果是奇数则为"1"。(校验位调整个数)mark parity:校验位始终为1space parity:校验位始终为0奇偶...原创 2020-03-21 20:19:26 · 2403 阅读 · 0 评论 -
微控制器和微处理器的区别(含课本原图)
微控制器:CPU + 片内内存 + 片内外设微处理器:CPU处理器通常指微处理器、微控制器和数字信号处理器这三种类型的芯片。微处理器(MPU)通常代表一个功能强大的CPU,但不是为任何已有的特定计算目的而设计的芯片。这种芯片往往是个人计算机和高端工作站的核心CPU。最常见的微处理器是Motorola的68K系列和Intel的X86系列。早期的微控制器是将一个计算机集成到一个芯片中,实现嵌入...原创 2019-11-23 10:31:39 · 5037 阅读 · 0 评论 -
驱动电机电流大小的计算
驱动电机主要是靠电流。根据法拉第电动机原理,通电导线在磁场中产生电动力,电动力的大小与电流成正比。所以是电流,而不是说电压。(当通电导线用电阻较大的材料时,比如有铝导线,产生同样的电流要更高的电压。)举例:L298N 是一种双H桥电机驱动芯片,其中每个H桥可以提供2A的电流,功率部分的供电电压范围是2.5-48v,逻辑部分5v供电,接受5vTTL电平。一般情况下,功率部分的电压应大于6V否...原创 2019-11-17 12:15:47 · 3145 阅读 · 0 评论 -
NAND Flash 和 eMMC 的区别
eMMC全称为embeded MultiMedia Card。eMMC为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格,主要是针对手机和移动嵌入式产品为主。1、NAND Flash 是一种存储介质,要在上面读写数据,外部要加主控和电路设计。2、eMMC是NAND flash+主控IC ,对外的接口协议与SD、TF卡一样;对厂家而言简化了电路设计,降低了成本。3、使用emmc的好处是,除了得到大容量的...原创 2019-10-29 21:09:46 · 7870 阅读 · 0 评论 -
电阻触摸屏原理及电容触摸屏原理(附上原图)以及各自优缺点
电容式触摸屏与电阻式触摸屏有很大区别。电阻式触控屏幕在工作时每次只能判断一个触控点,如果触控点在两个以上,就不能做出正确的判断了,所以电阻式触摸屏仅适用于点击、拖拽等一些简单动作的判断。而电容式触摸屏的多点触控,则可以将用户的触摸分解为采集多点信号及判断信号意义两个工作,完成对复杂动作的判断。电阻式触摸屏工作原理电阻式触摸屏主要是利用压力感应进行控制。它的构成是显示屏及一块与显示屏紧密贴合的...原创 2019-10-22 18:27:42 · 9817 阅读 · 0 评论 -
NOR与NAND的区别(以及NOR Flash的XIP芯片内执行)(NOR Flash与NAND Flash名称由来)
所谓片内执行不是说程序在存储器内执行,CPU的基本功能是取指、译码、运行。Nor Flash能在芯片内执行,指的是CPU能够直接从Nor flash中取指令,供后面的译码器和执行器来使用。举例(NOR Flash与NAND Flash连接线):NOR Flash与主控芯片的连接线分为数据线和地址线,所以可以随时访问任意地址。而NAND Flash与主控芯片的连接线只有一种,所以此线是复用...原创 2019-09-26 19:10:23 · 1672 阅读 · 7 评论