STM32F1开发指南笔记29----光敏传感器实验

本文介绍了使用STM32F103开发板进行光敏传感器实验,通过ADC采集光敏二极管的电压变化,以反映环境光线强度。在TFTLCD上显示光线强度,实现光照强度的可视化。实验中,光敏二极管的电压与光照强度成反比,通过解析ADC值可监测环境光线的明暗。
摘要由CSDN通过智能技术生成

本章介绍STM32F103自带的一个光敏传感器,本章还是用到ADC采集,通过ADC采集电压,获取光敏传感器的电阻变化,从而得出环境光线的变化,并在TFTLCD上面显示出来。
光照越强,电压越小,光照越弱,电压越大。

光敏传感器简介

光敏传感器是最常见的传感器之一,它的种类繁多,主要有:光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏三极管、太阳能电池、红外线传感器、紫外线传感器、光纤式光电传感器、色彩传感器、CCD和CMOS图像传感器等。光传感器是目前产量最多、应用最广的传感器之一,它在自动控制和非电量电测技术中占有非常重要的地位。

光敏传感器是利用光敏元件将光信号转换为电信号的传感器,它的敏感波长在可见光波长附近,包括红外线波长和紫外线波长。光传感器不只局限于对光的探测,它还可以作为探测元件组成其他传感器,对许多非电量进行检测,只要将这些非电量转换为光信号的变化即可。

战舰板载了一个光敏二极管(光敏电阻),作为光敏传感器,它对光的变化非常敏感。光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结,具有单向导电性,因此工作时需加上反向电压。无光照时,有很小的饱和反向漏电流,即暗电流,此时光敏二极管截止。当受到光照时,饱和反向漏电流大大则增加,形成光电流,它随入射光强度的变化而变化。当光线照射PN结时,可以使PN结中产生电子空穴对,使少数载流子的密度增加。这些载流子在反向电压下漂移,是反向电流增加。因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。
利用这个电流变化,我们串接一个电阻,接可以转换成电压的变化了,从而通过ADC读取电压值,判断外部光线的强弱。
本章,利用ADC3的通道6(PF8)来读取光敏二极管电压的变化,从而得到环境光线的变化,并将得到的光线强度,显示在TFTLCD上面。

在这里插入图片描述
2路电流:1路VCC-R34-LS1-GND,1路VCC-R34-R37-单片机。
光照越强,流过上路LS1的电流越大,电压越大,流向下路的电流越小,电压越小。
光照越弱,流过上路LS1的电流越小,电压越小,流向下路的电流越大,电压越大。

main函数

#include "led.h"
#include "delay.h"
#include "key.h"
#include "sys.h"
#include "lcd.h"
#include "usart.h"	 
#include "adc.h"
#include "lsens.h"
 
int main(void)
{
   	 
 	u8 adcx; 
	delay_init();	    	 //延时函数初始化	  
	NVIC_PriorityGroupConfig(NVIC_PriorityGroup_2);//设置中断优先级分组为组2:2位抢占优先级,2位响应优先级
	uart_init(115200);	 	//串口初始化为115200
	LED_Init();		  		//初始化与LED连接的硬件接口
  	LCD_Init()
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