嵌入式体系的存储体系

本文摘取自嵌入式系统设计师教程;

存储器层次结构图如下:

存储器顶层是CPU的寄存器,其速度和cpu速度相当;第二层(L1和L2)是高速缓冲存储器Cache,和CPU速度接近;第三层是主存储器,也称为内部存储器或RAM;第四层是磁盘;最后一层是磁带,光盘等;

RAM和ROM的种类和选型

1. RAM

RAM:(Random Access Memory,RAM);易失性存储设备,代表随机存取存储器;RAM是CPU直接交换数据的内部存储器;

特点:

(1) 随机读写;
(2) 读写速度快,几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的,通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介;
(3) 断电时将丢失器存储内容;所以称为易失性存储设备;

按照RAM存储单元的工作原理,RAM又分为静态随机存储器(Static RAM,SRAM)和动态随机存储器(Dynanic RAM,DRAM);

1.1 SRAM

(a) 静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的,所以,它是靠触发器的自保功能存储数据的;SRAM将每个位存储在
一个双稳态存储单元,每个单元用一个六晶体管电路实现;
(b) 数据一旦写入,其信息就稳定的保存在电路中等待读出;无论读出多少次,只要不断电,此信息会一直保持下去;SRAM初始加电时,
其状态是随机的;写入新的状态,原来的旧状态就消失了;新状态会维持到写入新的状态为止;
© 在电路工作时,即使不进行读写操作,只要保持在加点状态下,电路中就一定有晶体管导通,就有一定有电流流过,带来功耗;所以,
与DRAM相比,SRAM功耗较大

1.2 DRAM

DRAM存储单元结构非常简单,所用的元器件少且功耗低,可以制造的很密集,已成为大容量RAM的主流产品；
常说的内存条,就是由DRAM构成

1.3 DDR SDRAM

SDRAM:同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步;

双倍速率同步动态随机存储器(Double Data Rate SDRAM,DDR SDRAM);习惯性成为DDR;
内存主频和CPU主频一样,习惯性被用来表示内存的速度,它代表着该内存所能达到的最高工作频率;内存主频以MHz为单位计量;
内存主频越高在一定程度上代表着内存所能到达的速度越快;内存主频决定着该内存最高能在什么样的频率正常工作;

2. ROM

只读存储器(Read-Only Memory,ROM);存储信息不会因掉电而丢失;

2.1 PROM

可编程只读存储器(Programmable ROM,PROM);内部有行列式的熔丝,是需要利用电流将其烧断,写入所需的材料,
但仅能写录一次(称为OTPROM,One Time Programmable ROM);

2.2 EPROM

可抹除可编程只读存储器(Erasable Programmable Read Only Memory,EPROM);利用高电压电流将资料编程写入,抹除时将线路曝光于
紫外线下,则资料可被清空;之后又可以用电的方法对其从新编程,重复使用;

利用物理方法(紫外线)可擦除的RROM通常称为EPROM;用电的方法可擦除的PROM称为EEPROM;

2.3 EEPROM

电子式可抹除可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,EEPROM);原理类似于EPROM,
但是抹除的方式是使用高电场来完成;

3. Cache

Cache是一种比常见的内存(RAM)更快的存储器;
在CPU和外部存储器间设计高速缓存器(Cache),让其进行外部存储器的局部存储,从而提升CPU对外部存储设备的访问效率;
Cache的主要功能是对外部存储设备(一般指内存)的缓冲;

4.flash

快闪存储器;结构同EPROM相似,并且集成度高,功耗低,体积小,又能在线快速擦除;

falsh闪存是EEPROM的变种,不同的是EEPROM能在字节水平上进行删除和从写而不是整个芯片擦写;
而闪存的大部分芯片需要块擦除;

flash擦除写入速度比较快;又分为Nand Flash和 Nor Flash;

4.1 Nor Flash

Nor Flash要求在进行擦除前先将目标块内的所有位都写0;
Nor Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易的存取内部的每一个字节;所有可以连接系统总线,构成内存储器;

4.2 Nand Flash

Nand Flash采用复杂的I/O口来串行地存取数据,采用串行接口,不能直接构成内存,只能用来构成外存储器;
Nand读和写操作一般采用512字节的块;这点和硬盘管理类似;

4.3 Nor Flash和Nand Flash对比(区别)

(a) Nor Flash读速度比Nand稍快;
(b) Nand Flash写入速度比Nor快很多;
© Nand Flash擦除速度远比Nor快;
(d) Nand的擦除单元更小,相应的擦除电路更少;
(e) Nor Flash上可直接运行程序,Nand Falsh仅可以存储信息;
(f) 大多数的写入操作需要先进行相应的擦除操作;

其他存储器

略