一、DS18B20
DS18B20 是 Dallas Semiconductor（现为 Maxim Integrated）生产的一款数字温度传感器。它的核心特点如下：
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数字输出：直接输出数字温度值，无需外部ADC，抗干扰能力强。
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单总线接口：仅需一根数据线（加上电源和地）即可与微控制器通信，极大地节省了微控制器的I/O口。
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高精度：典型精度为 ±0.5°C（在 -10°C 至 +85°C 范围内）。
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宽电压范围：3.0V 至 5.5V。
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测温范围：-55°C 至 +125°C。
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可编程分辨率：用户可配置 9 至 12 位的分辨率，分辨率越高，转换时间越长。
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独特64位序列号：每个DS18B20都有一个独一无二的激光ROM编码，允许在一条总线上挂载多个器件，并通过地址进行区分。
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供电灵活：支持标准外部供电和“寄生电源”模式
二、单总线通讯协议(One-Wire)
定义：主机和从机通过1根线进行通信，在一条总线上可挂接的从器件数量几乎不受限制。
特点：这是由达拉斯半导体公司推出的一项通信技术。它采用单根信号线，既可传输时钟，又能传输数据，而且数据传输是双向的。
优点：单总线技术具有线路简单，硬件开销少，成本低廉，便于总线扩展和维护等。
三、通讯过程
(1) 初始化
基于单总线上的所有传输过程都是以初始化开始的，初始化过程由主机发出的复位脉冲和从机响应的应答脉冲组成。应答脉冲使主机知道，总线上有从机设备，且准备就绪。黑色实线代表系统主机拉低总线，灰色实线代表从机拉低总线，而黑色的虚线则代表上拉电阻将总线拉高。
初始化代码：
static void DS18B20_Rst(void) {
DS_GPIO_Set_OUT_Mode();
DS_PIN_CLR();
/* 主机至少产生480us的低电平复位信号 */
Delay_us(750);
/* 主机在产生复位信号后，需将总线拉高 */
DS_PIN_SET();
/*从机接收到主机的复位信号后，会在15~60us后给主机发一个存在脉冲*/
Delay_us(15);
}
初始化后监测从机发送的存在脉冲，判断当前是否存在单总线设备，示例以DS18B20为例：
static uint8_t DS18B20_Presence(void) {
uint8_t pulse_time = 0;
DS_GPIO_Set_IN_Mode();
while( DS_PIN_READ() && pulse_time < 100 ) {
pulse_time++;
Delay_us(1);
}
if( pulse_time >=100 )
return 1; else pulse_time = 0;
while( !DS_PIN_READ() && pulse_time < 240 ) {
pulse_time++;
Delay_us(1);
}
if( pulse_time >=240 ) return 1; else return 0;
}
static uint8_t DS18B20_Presence(void) {
uint8_t pulse_time = 0;
/* 主机设置为输入 */
DS_GPIO_Set_IN_Mode();
while( DS_PIN_READ() && pulse_time < 100 ) {
pulse_time++;
Delay_us(1);
}
/* 经过100us后，存在脉冲都还没有到来*/
if( pulse_time >=100 ) return 1; else pulse_time = 0;
/* 存在脉冲到来，且存在的时间不能超过240us */
while( !DS_PIN_READ() && pulse_time < 240 ) {
pulse_time++;
Delay_us(1);
}
if( pulse_time >=240 ) return 1; else return 0;
}
(2) 写时序
存在两种写时隙："写1" 和"写0"。主机采用写 1 时隙向从机写入 1，而采用写 0 时隙向从机写入 0。所有写时隙至少需要 60 us，且在两次独立的写时隙之间至少需要 1u s 的恢复时间。两种写时隙均起始于主机拉低总线（图5 所示)。产生写 1 时隙的方式：主机在拉低总线后，接着必须在 15u s 之内释放总线，由5k 上拉电阻将总线拉至高电平；而产生写0 时隙的方式：在主机拉低总线后，只需在整个时隙期间保持低电平即可（ 至少60 us）。在写时隙起始后 15-60 us 期间，单总线器件采样总线电平状态。如果在此期间采样为高电平，则逻辑1 被写入该器件；如果为0 ，则写入逻辑0。时序图代码如下：
/*DS18B20写bit函数*/
static void DS_Write_Bit(ds_pin_level level) {
if(level == HIGH) //写一 {
DS_PIN_CLR();
Delay_us(5);
DS_PIN_SET();
//释放总线
Delay_us(50);
} else //写0 {
DS_PIN_CLR();
Delay_us(60);
DS_PIN_SET(); //释放总线
Delay_us(2); //协议时间要求：1 < t < 无穷大，此处时间为10us
}
}
/*DS18B20写一个字节函数*/
static void DS_Write_Byte(uint8_t byte) {
uint8_t i = 0;
DS_GPIO_Set_OUT_Mode();
//配置为输出模式
for (i = 0; i < 8; i++) {
if(byte & 0x01) //先发送低位低 {
DS_Write_Bit(HIGH);
} else {
DS_Write_Bit(LOW);
}
byte >>= 1;
Delay_us(2);
}
}
(3) 读时序
单总线器件仅在主机发出读时隙时，才向主机传输数， 所以， 在主机发出读数据命令后，必须马上产生读时隙，以便从机能够传输数据。所有读时隙至少需要 60us， 且在两次独立的读时隙之间至少需要 1us的恢复时间，每个读时隙都由主机发起，至少拉低总线 1us （图5 所示）。在主机发起读时隙之后，单总线器件才开始在总线上发送 0 或1。若从机发送1，则保持总线为高电平；若发送 0， 则拉低总线 。当发送 0 时，从机在该时隙结束后释放总线 。由上拉电阻将总线拉回至空闲高电平状态。从机发出的数据在起始时隙之后，保持有效时间 15us ，因而，主机在读时隙期间必须释放总线 ，并且在时隙起始后的 15 us 之内采样总线状态。时序图代码如下：
/*DS18B20读bit函数*/
static ds_pin_level DS_Read_Bit(void) {
ds_pin_level temp;
DS_GPIO_Set_OUT_Mode();
DS_PIN_CLR();
Delay_us(10);
//协议时间要求：1 < t < 无穷大，此处时间为5us
DS_GPIO_Set_IN_Mode();
//配置DS18B20数据脚为输入模式
if(DS_PIN_READ() == GPIO_PIN_SET) //读 1 {
temp = HIGH;
} else //读0 {
temp = LOW;
}
Delay_us(45);
//协议时间要求为45us
return temp;
}
static uint8_t DS18B20_Read_Byte(void) {
uint8_t i = 0;
uint8_t level = 0;
uint8_t dat = 0;
for (i = 0; i < 8; i++) {
level = DS_Read_Bit();
dat = (dat) | (level << i);
}
return dat;
}
(4) 搜索ROM
ROM搜索过程只是一个简单的三步循环程序：读一位、读该位的补码 、写入一个期望的数据位。总线主机在 ROM的每一位上都重复这样的三步循环程序。当完成某个器件后，主机就能够知晓该器件的ROM信息。剩下的设备数量及其 ROM代码通过相同的过即可获得。
下面的ROM搜索过程实例假设四个不同的器件被连接至同一条总线上，它们的 ROM代码如下所示：
ROM1 00110101…
ROM2 10101010…
ROM3 11110101…
ROM4 00010001…
具体搜索过程如下：
a: 主机发出复位脉冲，启动初始化序列。从机设备发出响应的应答脉冲；
b: 接着主机在总线上发出ROM搜索命令 ；
c: 主机从总线上准备读入一个数据位，这时，每个响应设备分别将 ROM代码的第一位输出到单总线上。ROM1 和ROM4 输出 0 至总线，而ROM2 和ROM3 输出 1 至总线。线上的输出结果将是所有器件的逻辑”与“ ，所以，主机从总线上读到的将是0 。接着， 主机开始读另一位，即每个器件分别输出 ROM代码中第一位的补码，此时，ROM1 ROM4 输出 1至总线，而ROM2和ROM3 输出 0 至总线 。这样，主机读到的该位补码还是 0 。主机由此判定，总线上有些器件的ROM代码第一位为0， 有些则为1。
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