MOS管vd、vdsat和region的关系【详细作图步骤】

 仿真得到的region含义

 0 截止区

1 线性区（三极管区）

2 饱和区

3 亚阈值区

4 break down

1.Vgs为3.3，扫描Vd

MOS管的源端和漏端分别接Vg和Vd，可设置Vg为3.3V，Vd为变量，设置变量Vd值为3.3V，dc仿真并对design variable ——Vd进行扫描，扫描范围选择0-3.3V，扫描方式选择线性，【automatic方式不准确，尽量避免使用】，step size可选择0.01，这样仿真设置就完成了。

接下来设置仿真完成后的输出，ADE→output→to be saved→select OP Parameters，在电路图中选择需要观测的MOS管，然后ADE的右下角会出现Save Operating Points窗口，选择输出OP参数有两种方式，

1.在Operating Parameters下边的框中输入vds vdsat vgs vth vgt region【仿真结果证明vgt=vgs-vth，所以也可以只输入vgt而省略vgs和vth啦】，中间用空格隔开，都是小写字母，【发现了遇到过的cadence中隔开两个变量的都是空格，比如给线打label时也是用空格隔开】

2.也可以点Operating Parameters下边的框的三个点点···，点击get information，选择需要输出的参数即可。

输出OP参数选择完成之后，选上Plot，使其仿真完成后自动plot。

然后选择Outputs→to be plotted→select on design，选择Vd。这样输出也设置好了，

下面开始仿真吧！

仿真完成，得到关于直流工作点的图啦！

tsmc.18工艺中，最小尺寸的NMOS，vd>vdsat时，region由1变为2。（Vgs=3.3V）

为了保证PVT下，管子处于饱和区，vd需要比vdsat大某个经验值。

vov=vgs-vth=vgt，从plot得到的图中可以看到在vds达到vgt之前，就已经进入了饱和区（region=2），这是由于短沟道器件中的速度饱和效应导致的。

贴张eetopregion判别MOS管工作区；以及vdsat、vds、vgs-vth之间的关系 - Analog/RF IC 设计讨论 - EETOP 创芯网论坛 (原名：电子顶级开发网) -上的图

2.Vd为3.3，扫描Vgs

除了扫描变量设置不同，vd=3.3V，对vg进行扫描，其他就和上述步骤一样~\(≧▽≦)/~

然后发现对于tsmc.18，nmos3v_mac最小尺寸W=2u，L=350n的管子，随着Vg的增加，vgt也以同样斜率增加，NMOS依次进入截止区、亚阈值区、饱和区，当-261mV<vgt<0V时，NMOS处于亚阈值区，当vgt>0时，进入饱和区。

为了实现低功耗，通常使放大器输入对管工作在亚阈值区，可以在使vgt在上述亚阈值范围内取值。

也可以在OP参数里加上id，看看MOS管工作在亚阈值区和截止区的电流情况，可以发现，随着vgt的增加，id一直是增加的趋势，在截止区和亚阈值区增加较缓，在饱和区增加较快：

在截止区内在随着vgt增加，id从46.88f增加到31.85n，在亚阈值区，id增加到约5u，在饱和区，当vg为3.3V时，id增加到最大，约1.15m。

当尺寸变大时，电流也会随之变大。