MOS管的亚阈值区

 仿真得到的region含义

 0 截止区

1 线性区（三极管区）

2 饱和区

3 亚阈值区

4 break down

Vds与Vdsat的关系

Vds > Vdsat时，region变为2，为了保证PVT下电路仍处于饱和区，需要让Vds -Vdsat大于某个经验值。

作图步骤详见https://blog.csdn.net/qq_40007892/article/details/119168956?spm=1001.2014.3001.5502

 在长沟道工艺（大约是大于4um）中，Vdsat=Vov， 过驱动电压Vov=Vgs-Vth，当Vds > Vdsat时，MOS管的沟道夹断（pinch off），电流饱和。

 但在先进工艺中，Vdsat偏离了Vov，也就是小于Vov，这是因为速度饱和效应，Vds达到Vdsat而还没有达到Vov时，电流就饱和了。此时，沟道还没有夹断。

速度饱和效应：沟道场强足够强时，多子漂移速度为，也就是速度达到饱和，为定值，平方律公式变为了一次的。

使管子工作在亚阈值区的目的：

 相同电流下，亚阈值区的Vdsat小，gm小，等效输入噪声电压小，但同时W/L大，电容大。

Vgs<Vth约100mV，Vds>3VT【VT=0.026V】，是亚阈值区的饱和区，这时扩散电流为主。

参考http://bbs.eetop.cn/thread-632806-1-1.html

http://bbs.eetop.cn/thread-348516-3-1.html