大功率可调谐半导体激光器总结（二）

1.参考文献：2010年 Broadly tunable high-power InAs/GaAs quantum-dot external cavity diode lasers

文章题目叫做宽调谐大功率InAs/GaAs量子点外腔激光器，他实现了最大480mw的输出功率以及1122-1324nm的调谐范围，采用的是littrow结构，实现高功率，对比了SOA芯片与增益芯片的不同，SOA芯片总是需要输出耦合器的，但是输出耦合器存在耦合损失造成输出功率的降低，但是有扩大波长调谐的作用，所以需要进行折衷考虑；此外，在1.7a的恒定正向偏压下，输出功率仅在调谐范围的中心部分变化约10%，这对于研制高输出功率的快速扫描可调谐激光源是非常理想的。在这个外腔半导体激光器中，减小增益元件的有效面折射率至关重要，可以通过在制作波导的时候使它与端面呈一个角度来实现，本文分析比较了两种波导结构对输出功率和调谐范围的影响，一种是弯曲脊波导增益芯片，另一种是斜脊波导半导体光放大器；

无论是哪种结构都是在同样的量子点结构上制作的，在GaAs衬底上用分子束外延法生长了10层不同的InAs量子点，并与Al0.35Ga0.65As包层结合，可以通过改变In0.15Ga0.85As  cap layer的厚度来获得较大的光谱发射范围；

他说1.1um-1.3um对于使用量子阱的结构使比较困难的，下面主要介绍两个两种半导体结构

 

 

                                    

 

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2. 参考文献：2019年High-Power, Narrow-Linewidth, Miniaturized Silicon Photonic Tunable Laser with Accurate Frequency Control

在这项工作中，开发了一种封装在小型金盒中的高功率窄线宽SiPh可调谐激光器，适用于小型可插拔模块，如OSFP和QSFP-DD。显示了在C波段21.5dbm的激光输出功率，以及低至60khz和低至-150db/Hz的窄线宽SiPh可调谐激光器在下一代紧凑型相干收发器中的应用前景广阔。通过集成的片上传感器，我们达到了1ghz的频率调谐精度和稳定性。这种对激光频率的精确控制是实现SiPh可调谐激光器实际应用的关键一步。我们使用64 Gbaud、16/64 QAM相干传输系统的概念证明，进一步证明了我们开发的用于400 Gb/s及以上高速相干通信的激光器的可行性。

他这个增益波导部分设计，后端面都是倾斜的都是镀上抗反膜的，和上一篇文章中一样；内部设计的高饱和功率SOA通过透镜耦合进行光放大。最后，将放大后的激光通过两个透镜和光隔离器耦合到保偏光纤中。详细的组装过程以及增益芯片、SiPh芯片和SOA之间的耦合损耗将在第二节讨论。

在这里，使用SOA通过光放大提供高激光输出功率，同时允许SiPh滤波器芯片中的光功率降低，这种激光器和放大器两级设计为SiPh可调谐激光器提供了一些独特的优点。首先，它防止了高激光功率水平下环形谐振器中硅非线性效应引起的激光不稳定性[10]。这种两级器件设计使得高损耗第一级的光功率大大降低，从而大大降低了绝对功率损耗，同时在低损耗第二级放大了光。这确保了高激光输出功率，也提高了整体设备效率。第三，输出功率可以通过SOA电流调节来控制。由于半导体光放大器位于激光腔的外部，所以在功率调谐过程中可以使腔的相位变化最小化。这种输出功率控制与其它激光参数的分离简化了控制回路的设计。

通过半导体光放大器的电流调谐和光电二极管的校准，可以实现对波长通道激光输出功率的精确控制。

所证明的高激光输出功率更适合于使用高级高阶调制格式来补偿较大的调制器损耗。

也有不足之处，比如激光器的功率损耗问题以及温度稳定性问题，都是需要和输出功率折衷考虑的；

 

       

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3.参考文献：2013年High-Power Tunable Dilute Mode DFB Laser With Low RIN and Narrow Linewidth

低RIN窄线宽高功率可调谐稀模DFB激光器

Mickaël Faugeron等人在稀波导技术的基础上，利用非对称包层，研制了一台1毫米长的高功率DFB激光器，在15℃–85℃芯片温度下获得了>30mw的输出功率，边模抑制比>55db，这个温度范围允许9.7纳米波长可调。因为他这个1.5um处的光损耗主要发生在P掺杂层，所以采用非对称包层来使本征模从P掺杂层转移到n掺杂层，然后为了在功率方面充分利用非对称包层并改善热性能，我们决定使用稀释波导，它包括用InP和InGaAsP的薄层交替代替大块InGaAsP来获得更好的散热性能；

二元超晶格具有比二元体材料更差的热导率，很可能是由于界面处的声子散射。而GaAs/AlAs周期结构比三元合金具有更好的热导率

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4.参考文献：2014年High Power 1060 nm Distributed Feedback Semiconductor Laser

翟腾等人在2014年介绍了一种基于GaAs的高功率分布反馈（DFB）二阶光栅半导体激光器。在注入电流为350ma时，腔长为1mm，输出功率为150mw。采用新的波导结构设计，DFB激光器在1060nm左右保持稳定的单纵模，边模抑制比大于50db。

为了精确控制脊形波导的深度和形状，首次引入了InGaP刻蚀阻挡层。我们的设计还采用了一个介于PL峰值和Bragg峰值波长之间的负效应集，以及一个未掺杂的波导层。这些设计特点共同确保了在高功率水平下稳定的单模运行。

抑制高阶模的典型的解决方案包括使用横向吸收区或高阻区。然而，这一过程非常复杂，并且这些吸收区的斜率效 率可能较低。在这篇文章中，我们报道了一种抑制高阶模的新方法：引入InGaP刻蚀停止层来精确控制脊波导的深度。我们还引入了光致发光（PL）峰值和布拉格波长之间的负效应集，该负效应集为在高电流水平下稳定的单模工作而优化。利用这种方法，我们实现了一个基本模稳定、高信噪比为50db的150mw DFB激光器