SIMCom标准模块静电浪涌防护设计手册

1 静电浪涌简介

静电放电(Electro-Static Discharge)，是当带电的导电物体（如人体）与其他导电物体（如电子设备）接 触或十分靠近时，释放强烈静电的一种现象。

浪涌（Electrical Surge），是瞬间出现的一种超出稳定值的剧烈脉冲。

静电放电的瞬态电压非常高，一般可达到几千甚至上万伏，但持续时间极短，一般在纳秒级，能量释放 低；浪涌的瞬态电压一般为几百伏，但持续时间会更长，一般在微秒极，其能量释放高。

下图展示了理想化的ESD波形曲线，可以看出静电产生电流峰值脉冲的上升时间不到1nS。

标准浪涌波形则区分为0.25uS-100kHz振铃波和开路电压1.2/50uS、短路电流8/20uS组合波。下面分别展示了开路电压1.2/50uS波形和短路电流8/20uS波形。

浪涌主要产生于电力系统瞬态开关或者雷电耦合到设备接地系统的公共路径时产生的瞬态电压，往往是通过电源输入路径造成系统的破坏，静电则是带静电的物体或者人体直接接触或耦合引入设备，往往通过设备上的连接器接口引入。

静电放电和浪涌电压都是一种瞬态脉冲，其造成的损害是人们所共知的，为了防止瞬态高压侵入电子设备内部对产品和系统产生破坏，要求客户在硬件设计时，针对相应信号线路，增加静电浪涌防护设计。

2 TVS简介

针对静电浪涌防护，通常使用瞬态电压抑制保护器件来保护后端电路，这是一种高效型的被动保护元器件，在正常电路电压中，对电路工作没有任何影响；一旦有异常电压来袭，瞬态电压抑制保护器件阻抗会变低，通过其自身的电流增大，迅速导通，从而泄放瞬态电压，保证电路中的电压在合理的范围之内。

瞬态电压抑制保护器件有：瞬态电压抑制二极管，静电保护管、陶瓷气体放电管、半导体放电管、压敏电阻，而应用最广泛、保护效果最佳的则是瞬态抑制二极管。本文档也将主要介绍瞬态电压抑制二极管的静电浪涌防护应用。

瞬态电压抑制二极管（Transient voltage suppression diode），也称为TVS二极管，是一种保护用的电子零件，可以保护电器设备不受导线引入的电压尖峰破坏。当两极受到反向瞬态冲击时，能以10的负12次方秒量级的速度，将两极间的高阻抗变为低阻抗，使两极间的电压箝位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件。

2.1 TVS工作原理

TVS是采用半导体工艺制成的单个PN结或多个PN结集成的器件，有单向与双向之分，单向TVS 一般应用于直流供电电路，双向TVS应用于电压交变的电路。如下图所示，应用于直流电路时单向 TVS 反向并联于电路中，当电路正常工作时，TVS处于截止状态（高阻态），不影响电路正常工作。当电路出现异常过电压并达到TVS（雪崩）击穿电压时，TVS 迅速由高电阻状态突变为低电阻状态，泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地，同时把异常过电压钳制在较低的水平，从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。当异常过电压消失后，TVS 阻值又恢复为高阻态。

2.2 TVS特性曲线

单向瞬态抑制TVS二极管IV特性曲线如下图所示，第一象限是单向TVS管的输出特性曲线，有正向导通电压和正向导通电流两个参数。当TVS管反向偏置时，TVS有两种状态：高阻抗、低阻抗，看图第三象限，在高阻抗状态下，流过TVS的电流称为漏电流，该电流大小随着TVS的结温而变化。由高阻抗向低阻抗变化时是雪崩击穿的开始，直到完全击穿时，TVS会瞬间把瞬态浪涌电压箝位在相对较低的安全电压下。

单向TVS管的特性与稳压二极管相似，而双向TVS管的特性相当于两个稳压二极管反向串联，下图是双向TVS的伏安特性曲线，第一象限和第三象限都处于反向偏置状态。因此，一般建议，应用于交流系统电路的静电浪涌防护必须选用双向TVS二极管；而用于直流系统电路的静电浪涌防护则采用单向TVS二极管，也可以采用双向TVS二极管。

2.3 TVS特性参数

从前面TVS的伏安特性曲线，可以看到TVS具有多个参数指标，如下表以单向TVS二极管为例列举了TVS各项特性参数的含义。

符号	英文描述	参数解释
VRWM	Working Peak Reverse Voltage	反向截止电压
VBR	Breakdown Voltage @ IT	反向击穿电压
VC	Clamping Voltage @ IPP	最大箝位电压
IPP	Reverse Peak Pulse Current	峰值脉冲电流
PPP	Peak Pulse Power	最大功率
IR	Reverse Leakage Current @ VRWM	反向漏电流
IT	Test Current	测试电流
IF	Forward Current	正向导通电流
VF	Forward Voltage @ IF	正向导通电压
CJ	Junction Capacitance	结电容

下面将详细解释TVS特性参数指标的具体含义。

• 反向截止电压VRWM： TVS二极管的最高工作电压，可连续施加而不引起TVS二极管劣化或损坏状态下，达到的最大的直流电压或交流峰值电压。在VRWM下，TVS二极管是不工作且不导通的。
• 反向击穿电压VBR：在规定的脉冲测试电流IT或接近发生雪崩的电流条件下测得TVS两端的电压，标志着TVS二极管反向导通。
• 最大箝位电压VC：TVS二极管流过脉冲峰值电流IPP时两端所测得的峰值电压。
• 峰值脉冲电流IPP：TVS二极管允许通过的10/1000μs波的最大峰值电流（8/20μs波的峰值电流约为其5倍左右），超过这个电流值就可能造成TVS永久性损坏。
• 最大功率PPP：脉冲峰值电流IPP与最大箝位电压VC的乘积，即PPP=IPP*VC。
• 反向漏电流IR：在规定温度和最高工作电压条件下，流过TVS二极管的最大电流，其值是在反向截止电压VRWM下测量的。
• 正向导通电流IF：TVS二极管工作在正向偏置状态，流经TVS二极管的电流。
• 正向导通电压VF: TVS二极管工作在正向偏置状态，在特定IF条件下测得二极管两端的电压。
• 结电容CJ：其结电容值会影响TVS的响应时间，高速通信线路的防护中，尤其要注意TVS管的结电容值不能过大。

2.4 TVS选型原则

• TVS的最大箝位电压VC应小于被保护电路的损坏电压。
• TVS的反向截止电压VRWM要大于被保护电路的最大工作电压，若选用的VRWM太低，器件可能进入雪崩或因反向漏电流太大影响电路的正常工作。
• 交流电路只能用双向TVS，直流电路可以用单向TVS，也可以选用双向TVS，负载较大的电源上尽量选择单向TVS。
• 在规定的脉冲持续时间内，TVS的最大峰值脉冲功率PPP必须大于被保护电路可能出现的峰值脉冲功率。
• 在确定了最大箝位电压后，其峰值脉冲电流应大于瞬态浪涌电流。
• 对于高速通信线路的数据接电路的保护，必须注意选取尽可能小的结电容值CJ的TVS器件。
• 较大的TVS封装能够支持更大的电流，为了能够承受更大的峰值电流从而保护电路，故在选择TVS封装时推荐选择较大的封装。

2.5 TVS布局布线规范

印制电路板的布局布线至关重要，通过合理放置TVS的位置、接地选择、寄生电感和回路区的处理，科学合理地进行PCB的布局布线，才能使TVS的效能最佳化。

• TVS的布局位置

TVS二极管尽量接近接口噪声源，确保浪涌电压可以在脉冲耦合到邻近PCB导线之前被箝位，如图展示了TVS布局示意图。

• TVS的接地

保护电路应将浪涌电压分流到机壳接地，将浪涌电压直接分流到集成电路的信号地会引起接地反弹。用相对短和宽的接地导线减小阻抗可以改善单个接地PCB上TVS二极管的箝位性能。下图展示了TVS接地布线示意图。

• TVS信号布线

ESD是巨变突发的脉冲，很可能会在回路中引起寄生自感，进而对回路形成强大的电压冲击，并可能超出IC的承受极限而造成损伤。负载产生的自感电压与电源变化强度成正比，ESD冲击的瞬变特征易于诱发高强自感。减小寄生自感的基本原则是尽可能缩短分流回路，必须考虑到包括接地回路、TVS和被保护线路之间的回路以及由接口到TVS的通路等所有因素。所以TVS器件应与接口尽量接近，与被保护线路尽量接近，这样才会减少自感耦合到其它邻近线路上的机会。下图是TVS信号布线示意图。 

• TVS走线环路区域

减小高速数据和接地线形成的环路区域可降低辐射和射频的影响。 下图展示了TVS走线环路区域示意图。

• 其他规范

TVS的地线周围应均匀放置密集的地孔，利于浪涌电压的泄放，同时减少TVS反向击穿状态时对周围信号的耦合干扰。

TVS的保护回路应避免与未实施保护的回路形成并联，避免在保护线路附近走关键信号线。

如果接口处既有滤波又有防护电路，应该遵从先防护后滤波的原则。防护电路用来进行外来过压和过流抑制，如果将防护电路放置在滤波电路之后，滤波电路会被过压和过流损坏。

3 静电浪涌防护设计

下面将重点介绍SIMCom模块常规信号接口的静电浪涌防护设计。

3.1 VBAT防护设计

SIMCom模块VBAT采用直流电源输入，通常供电范围是3.4V~4.4V，客户在硬件设计过程中，务必在模块VBAT网络靠近模块PIN脚位置放置合适的TVS二极管。VBAT通常是给模块内部的PMU和PA或者其他器件提供数字电源，TVS选型需要尤其注意浪涌防护能力。

根据VBAT的电压范围，要求TVS选型时反向截止电压VRWM不低于4.8V。

根据模块内部VBAT负载器件特性，客户TVS选型时最大箝位电压VC建议最高不超过12V，建议10V。

根据模块在具体应用场景，客户需要评估VBAT输入端可能出现的最大瞬态浪涌功率，要求选择的TVS二极管最大功率大于VBAT可能出现的最大瞬态浪涌功率，客户可参考TVS二极管规格书中的箝位电压-峰值电流曲线(Clamping Voltage vs. Peak Pulse Current)。以最大箝位电压8V为参考，峰值电流应尽量大，原则是在该特定箝位电压下，所允许的最大浪涌电压除以2以确定最大峰值电流，建议VBAT上至少保证180V浪涌电压，即在8V箝位电压下峰值电流建议选择90A以上。

如下图，截取自韦尔ESD56301D05规格书中的箝位电压-峰值电流曲线图，可以看到在8V箝位电压时的最大峰值电流达到100A。

下面是SIMCom模块VBAT静电浪涌防护参考电路图。

如下表列举了SIMCom模块VBAT电源推荐TVS型号，推荐单向TVS。

编号	厂家	料号	VRWM	VC(MAX)	PPP(MAX)	CJ(MAX)	封装
1	韦尔	ESD56301D05	5V	9.5V	1500W	700pF	DFN1610-2L
2	韦尔	ESD56301D04-2/TR	4.85V	11V	2000W	480pF	DFN1610-2L
3	长园维安	WS2057KP	5V	12V	2040W	700pF	DFN1610-2L
4	长园维安	WS4.5DPHXM	4.85V	11V	2255W	700pF	DFN1610-2L

3.2 DTR防护设计

SIMCom模块DTR一般做中断输入功能使用，可以作为模块的休眠唤醒控制引脚，当模块进入休眠模式后，拉低DTR可以唤醒模块。此引脚易受到外部浪涌冲击损坏接口，因此该引脚外部需设计静电浪涌防护电路，推荐串联电阻和并联TVS的方案增DTR强防护能力。

下面是SIMCom模块DTR静电浪涌防护参考电路图。

如下表列举了SIMCom模块DTR接口推荐TVS型号，可选单向TVS或者双向TVS。

编号	厂家	料号	VRWM	VC(MAX)	PPP(MAX)	CJ(MAX)	封装
1	芯导	PTVSHC2EN3V3U	3.3V	13V	1500W	400pF	DFN1610-2L
2	长园维安	WS1197EF	3.3V	9V	990W	260pF	DFN1006-2L
3	晶焱	AZ9313-01F	3.3V	8.5V	595W	550pF	DFN1610P2E

3.3 PWRKEY/RESET防护设计

PWRKEY、RESET分别作为SIMCom模块开关机引脚和复位引脚，内部通过约50K电阻上拉到模块VBAT，均为低电平有效。客户可通过单片机或者其他驱动电路拉低引脚持续一定时间来控制模块开关机和复位，也可以直接通过按钮开关控制PWRKEY和RESET，为防止静电冲击和脉冲电压引入模块内部的开关机逻辑电路和复位电路，在该引脚附近需放置一颗TVS二极管用于静电浪涌防护。TVS选型时注意其结电容建议不超过10pF，防止模块VBAT上电，PWRKEY/RESET电压上升时间过长导致芯片识别到低电平。

下图分别是SIMCom模块PWRKEY和RESET静电浪涌防护参考电路图。

如下表列举了SIMCom模块PWRKEY/RESET接口推荐TVS型号，可选单向TVS或者双向TVS。

编号	厂家	料号	VRWM	VC(MAX)	PPP(MAX)	CJ(MAX)	封装
1	韦尔	ESD73021N	5V	5.5V	80W	3pF	DFN1006-2L
2	晶焱	AZ1615-01L	5V	12V	252W	3pF	SOD323
3	长园维安	WS4114KF	5V	7V	119W	1.2pF	DFN1006-

3.4 UART防护设计 

SIMCom模块支持一路或者多路UART接口，客户可用于外设串口通信。通常根据客户实际应用，会在PCB上通过连接器将外设与模块串口连接，在串口连接器线缆插拔瞬间，会引起较高的电压脉冲和静电进入模块UART引脚损坏芯片。因此客户在硬件设计时，需要在UART通信线路上增加静电浪涌防护，主要从串位电阻和并联TVS二极管两个方面进行保护。

    对于UART接口直接在PCB上传输，没有接入连接器或者没有直接插拔的应用，建议客户在每条通信线上都串接一个电阻，通常选择100R、470R或1K阻值，具体要根据UART实际通信速率来评估。增加串位电阻可以有效将电压脉冲消耗在电阻上，降低电压脉冲对UART引脚的损害。同时，串位电阻还可以改善UART通信线的阻抗匹配，减少反射，降低信号边沿的陡峭程度，减少高频噪声以及过冲。

而针对UART接口在PCB上通过连接器与外设连接，会通过连接器直接插拔的应用，除了增加串位电阻，同时还建议客户在各通信线上额外再并联一个TVS二极管，可有效降低电压脉冲、浪涌电流和静电损害，根据UART的速率，建议选取TVS结电容不超过50pF。

下图是SIMCom模块UART与客户主控直接连接应用的静电浪涌防护参考电路图。

下图是SIMCom模块UART通过连接器与外设连接应用的静电浪涌防护参考电路图。

如下表列举了SIMCom模块UART接口推荐TVS型号，可选单向TVS或者双向TVS。

编号	厂家	料号	VRWM	VC(MAX)	PPP(MAX)	CJ(MAX)	封装
1	韦尔	ESD73021N	5V	5.5V	80W	3pF	DFN1006-2L
2	晶焱	AZ1615-01L	5V	12V	252W	3pF	SOD323
3	长园维安	WS4114KF	5V	7V	119W	1.2pF	DFN1006-2L

3.5 VDD_EXT防护设计

SIMCom模块基本都支持VDD_EXT电压输出引脚，通常为直流1.8V电平，该电源由模块内部PMU输出，同时为模块内部SoC主芯片的IO提供电源。一旦该引脚受到尖峰电压、静电浪涌干扰，主芯片将直接受到损害。因此，客户在硬件设计VDD_EXT电源引脚时，应做好对该电源的防护。

建议客户在模块VDD_EXT路线上靠近PIN脚位置串接一个电阻，由于在电源上串位电阻会导致压降，因此，该电阻取值不能过大，需要根据客户外围负载的直流输入特性来评估，一般而言建议取值2R或者1R。

同时，建议客户在靠近VDD_EXT PIN脚位置再额外并联一个TVS二极管，其反向截止电压VRWM不低于3.3V。

下图是SIMCom模块VDD_EXT的静电浪涌防护参考电路图。

如下表列举了SIMCom模块VDD_EXT接口推荐TVS型号，推荐单向TVS。

编号	厂家	料号	VRWM	VC(MAX)	PPP(MAX)	CJ(MAX)	封装
1	晶焱	AZ3103-01F	3.3V	9V	720W	550pF	DFN1610P2E
2	芯导	PTVSHC2EN3V3U	3.3V	13V	1500W	400pF	DFN1610-2L

3.6 USB防护设计

SIMCom模块支持USB接口，可通过USB接口用于AT指令发送，数据传输，软件调试和升级。USB是支持热插拔的一种接口，客户设计时一般引出到USB连接器或者测试点，插拔过程极易受外部环境静电冲击。因此，必须在USB线路上设计静电浪涌防护。USB具有VBUS电源和USB信号线，在设计静电防护时应做对应区分。

VBUS一般是接5V电源，因此对于VBUS的TVS选型，要求反向截止电压VRWM不低于7V，箝位电压要求尽量小。针对其他具有高压充电USB接口VBUS上的TVS选型，应以实际VBUS的工作电压来评估，此处仅以SIMCom标准模块CAT1系列典型电压值为5V且不带充电功能的VBUS接口为参考。

USB信号线为差分数据结构，用于高速数据传输，因此在USB信号线的TVS选型上，尤其需要注意其结电容要尽量小，一般规定USB2.0协议的信号线选取TVS结电容应小于3pF，USB3.0协议的信号线选取TVS结电容应小于1pF，USB3.1协议的信号线选取TVS结电容应小于0.5pF。反向截止电压VRWM不低于5V，钳位电压要求尽量小。

下图是SIMCom模块USB静电浪涌防护参考电路图。

如下表分别列举了USB电源VBUS推荐TVS型号和USB信号线推荐TVS型号，可选单向TVS或者双向TVS。

VBUS推荐TVS型号

编号	厂家	料号	VRWM	VC(MAX)	PPP(MAX)	CJ(MAX)	封装
1	晶焱	AZ9707-01F	7V	12.5V	562.5W	950pF	DFN1610P2E
2	长园维安	WS7.0P4S1	7V	16V	3500W	1650pF	SOD-123

USB信号推荐TVS型号

编号	厂家	料号	VRWM	VC(MAX)	PPP(MAX)	CJ(MAX)	封装
1	韦尔	ESD73131CZ	5V	6.5V	78W	0.45pF	DWN0603-2L
2	安森美	ESD9L5.0ST5G	5V	9.8V	NA	0.9pF	SOD-923
3	安世	PESD5V0F1BSF	5V	12.8V	28W	0.3pF	DSN0603-

3.7 USIM防护设计 

SIMCom模块支持一路或多路USIM接口，客户可根据产品需求选择使用eSIM和卡槽，若使用卡槽，插拔SIM卡过程同样会对模块USIM接口带来静电冲击和浪涌脉冲电压。因此，当客户使用卡槽连接器设计，需要考虑USIM的静电浪涌防护设计。

建议客户在模块USIM信号路线上串接一个电阻，减小脉冲对USIM信号接口的冲击损害，一般建议取值22R，需要根据USIM信号波形情况来灵活调整，同时该串位电阻和USIM信号线的并联电容可以形成一个简单RC电路，可优化USIM信号波形，较少信号过冲及震荡。

同时，应在靠近卡槽连接器位置处放置合适的TVS二极管保护模块USIM接口。以SIMCom CAT1系列大部分模块为例，其USIM支持1.8V或3V电平，TVS选型时，应以3V工作电压确定反向截止电压VRWM不低于3.3V，USIM信号线上TVS的结电容不得超过33pF。

下图是SIMCom模块USIM静电浪涌防护参考电路图。

如下表列举了USIM推荐TVS型号，可选单向TVS或者双向TVS。

编号	厂家	料号	VRWM	VC(MAX)	PPP(MAX)	CJ(MAX)	封装
1	长园维安	WS03DTUMS-B	3.3V	8.3	35W	0.7pF	DFN0603-2L
2	晶焱	AZ9523-01F	3.3V	7V	NA	18pF	DFN1006P2X
3	芯导	PESDNC2FD3V3BS	3.3V	10.5V	60W	9.5pF	DFN1006-2L
4	安世	PESD3V3V1BL	3.3V	10V	50W	13pF	DFN1006-2

3.8 天线防护设计 

SIMCom模块都支持一路或者多路天线接口，如RF天线，GNSS天线，BT天线等。客户设计天线时，一般会通过RF座连接外部天线模组，其插拔过程容易引入静电干扰，同时天线模组一般都是裸露于客户设备外面，非常容易引入雷击浪涌，造成模块内部器件损坏。

一种方案是在天线线路上靠近RF连接器位置放置合适的TVS，因天线通路信号频率一般都非常高，因此TVS选型中结电容值需要非常小，以免影响天线性能，并且过大的容值也影响射频通路上的匹配，一般要求用于天线上的TVS结电容值不大于0.1pF。天线端上的TVS选型必须经SIMCom确认后才可使用。

另外一种防护方案是在靠近天线射频座端的射频匹配上，对地并联电感，但需要注意电感的取值同样需要SIMCom进行确认后才可使用。

下图是SIMCom模块天线静电浪涌防护参考电路图。

如下表列举了天线推荐TVS型号，天线传输的是模拟交变信号，因此只可选双向TVS。

编号	厂家	料号	VRWM	VC(MAX)	PPP(MAX)	CJ(MAX)	封装
1	村田	LXES03AAA1-154	4V	28V	NA	0.05pF	0201
2	佳邦	CES10201V05B0	5V	30V	NA	0.1pF	0201

4 工厂生产测试静电防护

SIMCom模块内集成很多精密电子元件，对尖峰电压和静电很敏感。静电在生产过程中是看不见摸不着的，往往在不经意间给PCBA线路板造成致命的缺陷。

静电损坏的模块板在功能测试时很难一步一步检查，更为致命的是，部分终端设备在测试时功能正常，但成品在客户手中使用时，偶尔会出现缺陷，给售后带来极大隐患。因此，客户在模块工厂生产测试过程中，必须严格注意ESD静电管理，使PCBA加工过程得到完整的质量控制。

4.1 来料及仓储管理

• 确保车间温湿度在标准范围内，22-28摄氏度，湿度40%-70%；
• 对未使用完毕的模块，必须使用ESD保护处理（装入ESD包装中，并放入ESD防护箱中），对于有湿敏要求的电子元器件必须使用真空包装；
• 所有员工按要求着装，戴静电帽、静电衣、静电鞋，进出车间必须释放静电；
• 所有需要接触PCBA板的工作站必须佩戴绳静环良好接地，并将绳静环连接到静电报警器上；
• 静电线与设备地分开，防止设备漏电，损坏PCBA板；
• 严格按照ISO质量管理要求进行ESD静电检测。

4.2 制程管理

• 手工焊接维修，要求采用防静电低压恒温电烙铁，桌面应铺设防静电桌垫，桌垫应以导线接地且桌垫上不可铺有胶袋纸张等绝缘品；
• 人体不得直接接触PCBA上的电路和元件，某些元器件需要清洗时，需使用防静电刷，不可使用塑料刷；
• PCB放置于无防静电桌垫之桌面时，需以防静电泡棉置于其下，在制造测试阶段尤须注意 EOS/ESD 的防范；
• 在芯片烧录等高ESD防护等级区域，必须配备离子风机，并每天使用静电测试仪对ESD区域内的环境进行点检。

4.3 设备管理

• 客户生产测试夹具上需要做必要的 ESD/EOS 防护，比如夹具探针上增加 TVS 管，夹具电源增加大电容和浪涌管，夹具的地探针比其他信号探针可以略长以便地先与主板接触；
• 要求每个作业工位、维修工位必须配备ESD接地线，以便作业人员随时使用；
• 要求工厂定期对所有设备外壳，铬铁头及电源地线的连接进行确认，包括外观检查、通断测试、铜排与大地的连接、铜排的阻抗值，并作好保养记录。

4.4 运送出货

• 避免在雷雨天气下运输PCBA；
• 所有电子元器件及PCBA半成品均需要使用防静电周转箱或防静电包装袋进行周转或储存，所有周转车必须接静电地线；
• 运送过程中避免外包装震动摩擦。