摩尔定律的概念

什么是摩尔定律

摩尔定律是由英特尔(Intel)创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)提出来的。其内容为：当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。换言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔18个月翻两倍以上。这一定律揭示了信息技术进步的速度。

摩尔定律概述

摩尔定律是指IC上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。摩尔定律是由英特尔(Intel)名誉董事长戈登·摩尔（Gordon Moore）经过长期观察发现得之。

计算机第一定律——摩尔定律Moore定律1965年，戈登·摩尔（Gordon Moore）准备一个关于计算机存储器发展趋势的报告。他整理了一份观察资料。在他开始绘制数据时，发现了一个惊人的趋势。每个新芯片大体上包含其前任两倍的容量，每个芯片的产生都是在前一个芯片产生后的18-24个月内。如果这个趋势继续的话，计算能力相对于时间周期将呈指数式的上升。Moore的观察资料，就是现在所谓的Moore定律，所阐述的趋势一直延续至今，且仍不同寻常地准确。人们还发现这不光适用于对存储器芯片的描述，也精确地说明了处理机能力和磁盘驱动器存储容量的发展。该定律成为许多工业对于性能预测的基础。在26年的时间里，芯片上的晶体管数量增加了3200多倍，从1971年推出的第一款4004的2300个增加到奔腾II处理器的750万个。

由于高纯硅的独特性，集成度越高，晶体管的价格越便宜，这样也就引出了摩尔定律的经济学效益，在20世纪60年代初，一个晶体管要10美元左右，但随着晶体管越来越小，直小到一根头发丝上可以放1000个晶体管时，每个晶体管的价格只有千分之一美分。据有关统计，按运算10万次乘法的价格算，IBM704电脑为1美元，IBM709降到20美分，而60年代中期IBM耗资50亿研制的IBM360系统电脑已变为3.5美分。

后来人们对它进行归纳，主要有以下三种"版本"：

1、集成电路芯片上所集成的电路的数目，每隔18个月就翻一番。
2、微处理器的性能每隔18个月提高一倍，而价格下降一倍。
3、用一个美元所能买到的电脑性能，每隔18个月翻两番。
　　以上几种说法中，以第一种说法最为普遍，第二、三两种说法涉及到价格因素，其实质是一样的。三种说法虽然各有千秋，但在一点上是共同的，即"翻番"的周期都是18个月，至于"翻一番"（或两番）的是"集成电路芯片上所集成的电路的数目"，是整个"计算机的性能"，还是"一个美元所能买到的性能"就见仁见智了。

摩尔定律的制约因素

物理效应、功耗和经济效益成集成电路工艺发展瓶颈。集成电路性能、功耗及制造成本是评判摩尔定律是否有效的重要的标准。目前主流芯片厂商的产品已经进入到10nm以内，遵循以往的技术路径，即按比例不断缩小器件尺寸已无法实现摩尔定律。

从物理角度来看，集成电路尺寸已进入到介观尺寸范围内，各种物理效应都会成为集成电路发展的阻力，如杂质涨落、量子隧穿等。介观物理和基于量子化的处理方法是应对这些物理效应的有效手段，但目前这些前沿技术还无法应用到量产中。

时钟频率是评估芯片性能的重要指标，频率越高，芯片性能越强，但时钟频率提高意味着功耗随之上升。目前每一工艺节点的演进会使芯片时间频率有20%的提升，而功耗也以一定的幅度在增加。若保持功耗不变，即使将工艺节点不断缩小，时钟频率也得不到提升，甚至在某一节点开始下降。散热问题是功耗上升后所要面临的一大难题，直接关系到芯片的可靠性和寿命，在工艺节点不断缩小的情况下，探索功耗和性能的平衡点，保证芯片在合理的工作温度运行，考验着各大厂商。功耗成为另外一个制约集成电路发展的因素。

所有工艺和技术的最终落脚点都是利润。从成本的角度来看，20nm成为加工成本的一个分水岭。在20nm以前的技术节点，加工成本都有一定的下降。但从20nm开始，加工成本下降的趋势被打破，开始显著上升。成本的增加挤压厂商的利润，在一定程度上限制研发的投入，研发速度将有所放缓。

物理效应、功耗和经济效益是现阶段制约摩尔定律演进的关键因素，当前需要重新探索集成电路的发展规律和路径。

如何再续摩尔定律

新理论和新技术推动产业步入后摩尔时代。目前业界认为集成电路产业发展已经进入到后摩尔时代。身处后摩尔时代，厂商必须突破原有的研发路径，利用新理论和新技术来培育新的增长动力，性能与功耗的比值将成为评判技术和产品的重要指标。业界已提出后摩尔时代产业发展的四种路径，即延续摩尔（More Moore）、扩展摩尔（More than Moore）、超越摩尔（Beyond Moore）和丰富摩尔（Much Moore）

（一）延续摩尔（More Moore）

结构优化和工艺微缩，共同助力延续摩尔。延续摩尔基本思路是从经典CMOS转向非经典CMOS，半节距按比例减小，采用非经典器件结构等，从结构的设计及布局来实现产品的微缩，其本质是通过采用新的器件的结构和布局来实现芯片的设计和加工。系统芯片（SoC）是高度集成的芯片产品，是延续摩尔的一个重要应用。这类芯片是从设计的角度出发，是将系统各组件高度集成到一块芯片上。组件的尺寸决定着相同面积上的芯片可以集成器件数量，工艺微缩表现为随着工艺能力的提高，器件尺寸越小。因而，工艺微缩对于系统芯片影响较为显著。设计端在使用更合理的结构的同时，更小尺寸的器件将会加大其可操作的空间。系统芯片与其他类型芯片相比，其集成度更高，速度更快。这优势源于其从设计出发，实现从需求到产品的过程，因而更具有针对性。系统芯片是延续摩尔这一发展方向上较为突出的亮点，也是摩尔定律得以延续的一大佐证。

外企引领高水平，国产产品有望追赶。目前市场上利用延续摩尔思路发展的产品有CPU、内存、逻辑器件等，这些产品占整个市场份额的50%。从各大厂商所公布的数据来看，台积电和三星两家公司已具备7nm芯片量产的能力，这两家公司在2018年晶圆代工全球市场份额分别为54.39%和14.40%。而国内龙头中芯国际在今年早前宣布实现14nm工艺量产。目前国内工艺技术还有待提高，同时国外龙头面临产业瓶颈导致研发周期加长，也给国内厂商提供了追赶国际先进水平的窗口期。

（二）扩展摩尔（More than Moore）

技术优势和市场决定扩展摩尔价值。与延续摩尔所采用的方式不同，扩展摩尔的本质是将不同功能的芯片和元件组装拼接在一起封装。其创新点在于封装技术，在满足需求的情况下，可快速和有效的实现芯片功能，具有设计难度低、制造便捷和成本低等优势。这一发展方向使得芯片发展从一味追求功耗下降及性能转向更加务实的满足市场需求。这方面的产品包括了模拟/RF器件、无源器件、电源管理器件等，占集成电路市场约50%份额。

系统级封装（SiP）优势凸显。系统级封装在扩展摩尔的思路上技术较为成熟且具备量产条件。系统级封装可以将一个系统或子系统集成在一个封装内，应用此技术可突破PCB自身不足带来系统性能的瓶颈，能最大限度实现各子芯片之间互联互通，充分发挥各芯片和器件的作用。引线键合封装工艺和倒装焊工艺是实现封装两种可互相替代的关键性工艺，现被各大厂商广泛应用，其对于系统级封装起到至关重要的作用。

3D封装成系统级封装亮点。3D封装技术是把不同功能的芯片或结构，通过堆叠技术或过孔互连等微机械加工技术，使其在Z轴方向上形成立体集成和信号连通的技术。从系统级封装的传统意义上来讲，因为在Z轴上有了功能和信号的延伸，所以凡是有芯片堆叠的都可以称之为3D。3D封装运用到的技术有封装堆叠（PoP）、芯片堆叠（SDP）、硅通孔技术（TSV）及硅基板技术。其中硅通孔技术是3D封装技术的关键，也是当前技术先进性最高的封装互连技术之一。3D封装具有四大优势：可缩短尺寸、减轻重量达40-50倍；在能耗不增加的情况下，运转的速度更快；寄生性电容和电感得以降低；更有效的利用硅片的有效区域，与2D相比3D效率超过100%。3D封装虽然优点突出，但其有一个弱点是各大厂商都需要攻克的难题，即功率密度随电路密度提升而提升，解决散热问题是3D封装技术的关键。

技术决定市场份额，台积电、英特尔将独占鳌头。SoIC是台积电推出的一种创新的多芯片堆叠技术，是一种晶圆对晶圆的键合技术，本质是一种3DIC制程技术。SoIC是基于台积电的CoWoS（Chip >）与多晶圆堆叠（WoW）封装技术开发的新一代创新封装技术。SoIC解决方案将不同尺寸、制程技术及材料的裸晶堆叠在一起。相较于传统使用微凸块的三维积体电路解决方案，台积电的SoIC的凸块密度与速度高出数倍，同时大幅减少功耗。英特尔则推出Foveros有源内插器技术，其3D封装将内插器作为设计的一部分，这种设计是超越自身EMIB设计的一步，适用于小型实现或具有极高内存带宽要求的实现。内插器包含将电源和数据传送到顶部芯片所需的通硅孔和走线，但它也承载平台的PCH或IO。实际上，它是一个完全工作的PCH，但是有通孔，允许芯片连接在顶部。通过为每种情况下的工作选择最佳晶体管，在正确的封装下组合在一起，从而获得最佳的优化效果。

（三）超越摩尔（Beyond Moore）

自组装器件是超越摩尔领域取得突破的关键。在集成电路目前的架构中，信息的传递和处理都是以电子作为基本单元。从信息传递的角度来看，单个电子是不能传递信息的，多电子组合才能携带信息。与此同时，信号在传递过程中还会存在能量消耗并产生热量。若寻找到其他基本单元自身可以携带信息或者信息传递过程中不会消耗能量，将会降低功耗并提升性能，打破现在所面临的发展瓶颈问题，这类研究则属于超越摩尔。目前越越摩尔方向主要处在研究阶段，量子器件、自旋器件、磁通量器件、碳纳米管或纳米线器件等能够实现自组装的器件是超越摩尔方向研究的热点。

（四）丰富摩尔（Much Moore）

在微纳电子学、物理学、数学、化学、生物学、计算机技术等领域高度交叉和融合的背景下，集成电路理论和技术加速创新突破。在这些理论和技术的指导下，对集成电路的理解可能进入到另外一个维度，在制作工艺和产品上实现质的飞跃。这一方面的发展需要相关学科理论的突破才能传导到集成电路行业，因而现阶段在丰富摩尔发展方向上还未能取得有效的进展。

新摩尔定律

“新摩尔定律”，即人类有史以来的数据总量，每过18个月翻一番。