下图给出了 IEC-61000-4-2 ESD发生器的简化模型图
其中Cd + Cs 的典型值为 150 pF;Rd 的典型值为 330 Ω。
虽然这个和昨天的HBM放电模型图有点像,但是仔细看的话会发现放电的电容值和电阻值与不同,主要是因为IEC-61000-4-2标准是为日常使用设计的标准,而HBM、CDM和MM模型都是为了芯片生产、组装、运输过程而设计的。
所以他们的放电曲线是不同的,如下图
接触放电电流波形参数
测量 30 ns 和 60 ns 电流时间的参考点是电流首先达到放电电流第一个峰值的 10%。
注:上升时间 tr是第一峰值电流的 10 % 和 90 % 值之间的时间间隔。
4 kV 时的理想接触放电电流波形
上图的理想化波形 I(t) 的方程如下:
这个公式不做详细介绍,感兴趣的可以找一下相关论文看一下。
但是可以看出ESD打坏器件是由于产生瞬间的大电流,所以我们在设计时,接口处一定要记得预留保护器件哟。下期介绍ESD器件选型。