小幽余生不加糖

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布线如有 90 度弯曲会产生阻抗，并会导致电流反射。图 4-3 所示为布线中的不同角度的示例。从过孔切换到焊盘，特别是在输出引脚处布线从细到粗的部分。泪滴技术可降低信号转换的热应力，还能避免布线断裂，并使布线更具机械可靠性。高侧栅极的信号布线应和开关节点布线尽可能靠近，从而最大限度减少电感、减小环路面积以及降低 dv/dt 开关引起噪声的可能性。在目标周围应以平行线对的方式布线，以避免由布线分离引起的差分阻抗和不连续性。1oz 覆铜对应 20mil 的布线宽度，如果是大电流，可能需要更大的布线宽度。

PCB 中的一个过孔在电路板不同层上的相应位置有两个焊盘，这两个焊盘通过贯穿电路板的一个孔进行电气连接。该孔因为电镀而具有导电性。可供使用的过孔有几种类型，例如盲孔、埋孔和散热孔。对于电机驱动器 PCB 设计，重点是普通穿孔过孔和散热过孔。过孔经常在 PCB 布线中用于信号布线和电源布线。对于信号连接，电流很小（微安到毫安级别），因此一个或两个过孔可能便足以将信号路由到另一层。对于电源连接，可将多过孔或“过孔拼接”添加到电源布线或接地布线，以确保层间以及电源平面与接地平面之间的低阻抗连接。

电机驱动器并不是理想的器件，在实际应用中，它们的一些功率会以热量的形式在内部耗散。必须在驱动器发生损坏之前处理转换为热量的能量。合理的 PCB 设计可有效消除因低效率而产生的热量，并能将器件保持在建议的温度范围。• 散热焊盘连接是器件管芯进行热传导的最有效路径。• 使用从散热焊盘到接地平面的连续顶层灌注方式。• 尽可能使用 1.5oz 或 2oz 铜。• 使用直接连接的散热过孔。• 使用 7.874mil x 19.874mil 散热过孔尺寸以避免过多的焊料芯吸。

电机驱动系统的 PCB 设计非常重要，需要通过特殊考量并采用特殊技术才能实现出色性能。电源效率、高速开关频率、低噪声抖动和紧凑的电路板设计，是设计人员在确定电机驱动系统的布局时必须考虑的几个主要因素。

该文档做为评估分析电机控制器功率模块在风冷散热条件下的相关参数参考计算说明。

在半桥配置中驱动 MOSFET 为工程师带来了许多挑战。其中一个挑战是为高侧 MOSFET 产生偏置。如果设计得当，自举电路可以解决此问题。以 UCC27710（即 TI 具有互锁功能的 620V 半桥栅极驱动器）来介绍自举电路中的不同元件，以及如何正确选择这些元件才能确保实现可预测的功率 MOSFET 开关。（其他半桥驱动芯片可以举一反三）

在电机驱动等应用中，半桥拓扑（通常为 3 相）用于生成在电机中产生正扭矩或负扭矩的交流电源信号。想要更高的输出电流能力，只有通过并联形成每个功能开关的 MOSFET，才能实现高输出电流。当多个功率 MOSFET 并联以增加系统整体电流能力容量时，通常假设电流在并联器件之间均等分配或均等共享。然而，在并联 MOSFET 时，需要考虑并联器件之间的电流分配。PCB 布局的若干特性和特定的MOSFET 参数会影响这种分配，并在参数不匹配或布局不对称时导致均流不平衡。

器件功率 MOSFET 在漏极和源极端子之间包含一个固有体二极管。当 MOSFET 处于关断状态时，体二极管会阻止反向电流流动，并在二极管正向偏置时传导电流。

2022年到2023年，第三代半导体碳化硅被推上了新的热潮。我们都知道只要是半导体行业，必定会引起世界瞩目。今天我们以汽车行业为例主要了解碳化硅平台的优势和技术路线。

栅极驱动器，在任何功率水平为任何应用高效可靠地驱动任何功率开关。比如MOS、IGBT、GaNFET 和 SiCFET等。栅极驱动器是一种电子电路，充当低压控制信号和高功率半导体开关之间的接口。栅极驱动器是许多应用的重要组成部分，包括电机驱动、功率逆变器和电源。栅极驱动器工作原理：栅极驱动器的主要功能是提供必要的电压和电流水平以有效地打开和关闭功率半导体器件。栅极驱动器采用各种工艺和技术来确保精确地控制和保护。

在同步 Buck 变换器中，MOSFET 开通与关断瞬间，由于 POL 自身寄生电感和电容以及PCB 走线的寄生电感和电容参数的原因开关节点会产生高频振荡。过高的振荡会增加损耗、加重 EMI 干扰，POL 负电流保护，甚至击穿芯片影响系统的稳定工作。那么我们就分析分析在实际工程应用中我们有哪些方法。

然而，在开关条件下，实现并联会更加困难，随着频率的增加，更是如此。如果 Q1 导通过快，则 Q2 的集成体二极管的峰值反向恢复电流就会上升过快，继而超过峰值反向恢复电流额定值，器件可能会损坏！，而数据手册中可能没有明确说明。简而言之，在硬换向中开关电流高时，SMD 封装的电感要尽可能低，还需要良好的 PCB 布局，以实现可接受的性能，并避免可靠性和潜在的 EMI 问题。度，可以控制电流的变化率，使用这种技术，峰值反向恢复电流可以降低到一个可接受的水平，而代价是要延长高功耗开关周期，因此始终需要权衡取舍。

几条由脉冲功率限制的电流电压直线，实际上是计算值，就是基于数据表中的瞬态热阻、导通电阻以及最大的允许结温计算得到的，而且都是基于TC=25度，TC代表的是封装裸露铜皮的温度，在实际应用中，TC的温度远高于25度，因此，SOA曲线是不能用来作为设计的验证标准。高侧和低侧 MOSFET 交替导通和关断，在一个器件的关断和另一个器件的导通之间留有很短的死区时间，以防止交叠，从而避免产生非常高的电流脉冲。在典型的开关应用中，SOA 不容忽视，因为器件在每个开关周期都会通过饱和区，除非是零电压或零电流开关转换。

功率 MOSFET 于 20 世纪 70 年代首次推出，并成为世界上应用最广泛的功率晶体管。与双极功率晶体管等老技术相比，它们在线性和开关应用中具有许多优势。这些优势包括极大改进的开关特性、易于并联、没有二次击穿效应以及更宽的安全工作区 (SOA)。MOSFET 属于电压驱动型跨导器件。构成 MOSFET 管芯的硅的不同掺杂方式将 MOSFET 分成两个技术大类，即平面型和沟槽型，如图 所示。

由于汽车和航空航天动力系统向多电和全电的过渡阶段，动力系统由传统的发动机逐渐被电机和电机控制器替代。混电作为一个过渡阶段和新能源动力的新形势，发展趋势势不可挡。我们简单聊聊发动机发电到储能阶段的电机控制器整流过程中的不可控整流原理和整流二极管参数的计算校核和选择。

参考资料：ST官网应用手册《AN4671》作者：Xiou。

作者：Xiou参考资料：ST官网应用笔记《AN4671》。

功率器件的仿真评估共五个步骤：a.根据IGBT数据手册整理中热阻参数、开关损耗参数温升模型；b.带入到Matlab中仿真堵转、中速运行、高速运行三种工况下IGBT温升；c.根据驱动测试实测开关损耗数据，更新温升模型；d.再次带入Matlab中仿真堵转、中速运行、高速运行三种工况下IGBT温升；e.给出IGBT模块仿真评估报告；功率器件的仿真评估可以帮助确定软件保护逻辑，根据项目应用参数，调整水温阈值上限，开关频率等参数；

由于我们将经常谈到开关和延迟时间，有必要在这里给出一个明确的定义。

参考英飞凌应用笔记：AN-2006-01一般厂家都会建议使用负栅电压来安全地关闭并阻断 IGBT 模块。在标称电流小于 100 A 的场合，出于成本原因，常常会忽略负栅电压。现在我们讨论关于IGBT 模块单极驱动的特殊考虑。

1.IR2130与MOS管总体驱动框图2.IR2130芯片简单介绍是一款很老的片子。IR公司推出的IR21xx系列集成芯片是MOS、IGBT功率器件专用栅极驱动芯片，通过自举电路工作原理，使其既能驱动桥式电路中低压侧的功率器件，又能驱动高压侧的功率元件，因而在电机控制、伺服驱动、UPS电源等方面得到广泛应用。这些器件集成了特有的负电压免疫电路，提高了系统耐用性和可靠性，有些器件不仅有过流、过温检测输入等功能，还具有欠压锁定保护、集成死区时间保护、击穿保护、关断输入、错误诊断输出等功能。IR2130

MOS管驱动感性负载特性大部分资料来自知乎：https://zhuanlan.zhihu.com/p/1498301251.几种负载在直流电路中的特点电阻性负载：电流电压的关系符合基本欧母定律,I = U/ R 。感性负载：允许电流流过，但电流滞后于电压，可储能于电感。容性负载：阻止电流流过,也可储能于电容。几种负载在交流电路中的特点是：电阻性负载：电流电压的相位相同。感性负载：电流滞后于电压。容性负载：电流超前于电压。电机类的设备都算是感性负载，开关电源类的，如IT设备都算是容性负载。

1.什么是自举电路自举电路也叫升压电路，是利用自举升压二极管，自举升压电容等电子元件，使电容放电电压和电源电压叠加，从而使电压升高，有的电路升高的电压能达到数倍电源电压。有一个12V的电路，电路中有一个场效应管需要15V的驱动电压，这个电压怎么弄出来？就是用自举。通常用一个电容和一个二极管，电容存储电荷，二极管防止电流倒灌，频率较高的时候，自举电路的电压就是电路输入的电压加上电容上的电压，起到升压的作用。【百度文库】2.自举电路怎么用以典型的BLDC桥驱动电路举例：从上面的典型电路图和最初的设计

（1）在电机控制器中，电池包的直流电作为输入电源，需要通过直流母线与电机控制器连接，该方式叫DC-LINK或者直流支撑，其中的电容我们称之为母线电容或者支撑电容或者DC-Link电容。电机控制母线电压除了正常的纹波电压的波动，还包括IGBT动作时电流激烈的变化产生尖峰电压和电机反转时的反电动势，薄膜电容在使用中允许有1.2倍额定电压值的脉冲，理论上可以选择额定电压较低的薄膜电容。如现在的320V的电机控制器系统一般选用500VDC的薄膜电容，540V的电机控制器系统选用900V或者1000V的薄膜电容。

功能安全介绍1.什么是功能安全FS？2.为什么需要功能安全？3.认识标准《ISO26262》。4.怎么评估ASIL 等级?5.功能安全怎么做（措施）？6.参考资料1.什么是功能安全FS?（1）功能安全的发展过程20世纪以来工业革命给人类的生产和生活带来了天翻地覆的变化，尤其是进入70年代，半导体器件的广泛使用，把世界推入了电气化时代。工业文明在给人类带来利益的同时，也带来了灾难。全世界每年死于工伤事故和职业病危害的人数约为200万，是人类最严重的死因之一。为了实现安全的生产，各种各样的安全系统应

就新能源汽车车辆自身安全而言，电机控制器不得不算是最核心的部件之一，电机控制器作为新能源汽车的动力控制系统，掌握着整车的加速、刹车等关键性能，电控失效带来的安全风险不容忽视，所以，符合功能安全的电控设计正逐渐成为业内的普遍需求，当前对电控的功能安全需求多为ASIL C等级，但在未来，电控的功能安全需求或将提升为ASIL D级，这需要供应商具备复杂度更高、余性更强、可靠性指标更高的电控产品设计能力和水平。需求的ID要与系注意这里面包含两个内容，第一、技术(安全)统架构的ID对应，确保需求与架构一致;

83.3=66.7度。也就是说，壳温60度时功率必须小于1.08W，否则超出最高结温.假设规格书没有给出Rjc的值，可以如此计算： Rjc=(Tj-Tc)/P，如果也没有给出Tj数据，那么一般硅管的Tj最大为150至175度.同样以2N5551为例。热路的计算的基本原则：从芯片内部开始算起，任何两点间的温差，都等于器件的功率乘以这两点之间的热阻。不过要注意，热量在传导过程中，任何介质，以及任何介质之间，都有热阻的存在，当然热阻小时可以忽略，比如散热器面积足够大时，其与环境温度接近，这时就可以认为热阻为0.

通常，虽然是采用硅的扩散型二极管，但是也可采用合金扩散型、外延结合型、双重扩散型等特殊制作的二极管，因为这些二极管对于电压而言，其静电容量的变化率特别大。其正向起始电压较低。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同，但电抗器的构造却能承受大功率。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，也有在高温下还可能工作的硅扩散型、台面型和平面型二极管。用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。

有霍尔BLDC的基本原理是用所谓“六步换向法”，根据转子当前的位置，按照一定的顺序给定子绕组通电使BLDC电机转动。一个简单的BLDC的构造如图所示。电机外层是定子，包含电机绕组。多数BLDC都有三个Y型连接的绕组，这些绕组中的每一个都是由许多线圈互连组成的。电机内部是转子，由围绕电机圆周的磁性相反的磁极组成。图中显示了仅带有两个磁极（南北磁极）的转子，在实际应用中，大多数电机的转子具有多对磁极。BLDC电机驱动电路的基本模型如图所示。通过开关管Q0~Q5来控制电机三相绕组的通电状态，开关管可以为IG

现在市面上无位置传感器控制的电机方案特别多，也特别火，主要是降低了成本。本文分析一种基于硬件反电动势检测的开环启动方式。主要分析一下硬件反电动势的采集。1.电路模型硬件电路检测得到两相反电动势采样值作为电机启动状态判断的依据，并根据公式转换获取此时的转子角度与位置，以进行无传感的启动。硬件检测反电动势的电路模型如下所示：根据以下公式：可以根据端电压Ubo、Uco得到电机当前线反电动势Ubc，利用该反电动势，可以得到当前转子位置与转速。2.实际的端电压以电机400rmp时候的状态为例说明。如

高压动力电池，前驱动电机，后驱动电机，车载充电机和PTC部件均采用了800V电压平台。全系800V架构，在短期来开，需要对高压器件的安全可靠性进行充分验证，验证周期较长，需要投入的验证成本高，但其能够提高能量转换效率，短期内成本可能上升，但随着产业链的不断完善和规模化效用，成本可以实现较好控制。部分800V架构，在电池端、电机电控端采用高压技术，其他电器部件继续沿用现有的400V架构，车辆改动较小，短期内实用性较强，虽然能量转换效率较全系800V架构低，但比传统的400V架构效率还是有明显提升。

无位置控制方法研究1.无位置控制技术研究现状2.反电动势过零检测法3.反电动势三次谐波积分检测法4.续流二极管法5.磁链法6.扩展卡尔曼滤波算法（EKF）7.基于扩展卡尔曼滤波算法（EKF）的转速及位置估算8.电感测量法9.涡流效应检测法10.人工智能法11.电流法1.无位置控制技术研究现状无传感器控制通过电机的电压或电流反馈计算得到当前转子位置或速度信息，并将其用于电机系统的闭环控制。在无传感器控制方式下，电机的位置检测和控制是一个统一的整体，因此无传感器控制也常被称为自检测控制 (S

因为身处这个行业，要开发各种电机的驱动电路，所以先了解一下电机的种类，后期研究研究各种电机的驱动和控制方案，这可是个大工程啊一.按结构和工作原理分类1.直流电机2.异步电机（1）感应电机①三相异步电机②单相异步电机③罩级异步电机（2）交流换相电机①单相串励电机②交直流两用电机③推斥电机3.同步电机（1）永磁同步电机（2）磁阻同步电机（3）磁滞同步电机异步电机：电机转速达不到定子磁场的同步转速；同步电机：电机转速与定子磁场的转速相同步。二.按照工作电源分类1.直流电机（

由于准峰值测量占用的时间比较长，测试的效率比较低，作为改进，实用中常用峰值检波作第一轮测试,因为三种检波当中，用峰值检波得到的测值应当最高，如果首轮测值比标准给定的准峰值和平均值限值都要来得低的话，则以后的试验不用进行，便能判定试验已经通过。关键点:限值(由标准或技术规范规定好的限定值，针对峰值/准峰值/平均值都有各自的要求)，峰值/准峰值/平均值(由天线传到接收机后读出的产品的每一个频率点的实际电磁场强度值)，频率点(由接收机读取的产品电磁波发射的频率值)。两块板之间的电势差会产生电磁场。

如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片？（英飞凌官方）由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同，并且其通常工作在高频应用环境中， 为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动芯片，需要考虑如下几个方面：驱动电平与驱动电流的要求首先，由于SiC MOSFET器件需要工作在高频开关场合，其面对的由于寄生参数所带来的影响更加显著。由于SiC MOSFET本身栅极开启电压较低，在实际系统中更容易因电路串扰发生误导通，因此通常建议使用栅极负压关断。不同SiC MOSFET器件的栅极开启

然而，大电阻关断在抑制关断过电压的同时也致使关断延迟时间增大，导致SiCMOSFET不能及时关断，为此，在关断过程中采用不同栅极电阻关断SiCMOSFET短路电流，从而兼顾了SiCMOSFET短路关断过电压与关断延迟时间，但大电阻关断可能导致SiCMOSFET因关断损耗过大而发生失效。（2）其次，在短路工况下，SiCMOSFET较弱的界面质量会带来栅极氧化层可靠性问题，由于SiCMOSFET需要更高的正向栅极偏压，栅电场的增高会进一步加剧短路时栅极氧化层退化问题；...

碳化硅 MOSFET 驱动电路保护SiC MOSFET 作为第三代宽禁带器件之一，可以在多个应用场合替换 Si MOSFET、IGBT，发挥其高频特性，实现电力设备高功率密度。然而被应用于桥式电路时，由于较高的 di/dt 与 du/dt 容易产生电压电流尖峰、振荡、上下管直通或超过负向安全电压，干扰驱动电路输出电压等问题。因此为了保障 SiC MOSFET 安全可靠性的运行，需从驱动侧对 SiC MOSFET 进行有效保护。 1、 过电压保护a) 漏源极过电压保护SiC MOSFET 在实际

SIC MOSFET的特性1、导通电阻随温度变化率较小，高温情况下导通阻抗很低，能在恶劣的环境下很好的工作。2、随着门极电压的升高，导通电阻越小，表现更接近于压控电阻。3、开通需要门极电荷较小，总体驱动功率较低，其体二极管Vf较高，但反向恢复性很好，可以降低开通损耗。4、具有更小的结电容，关断速度较快，关断损耗更小。5、开关损耗小，可以进行高频开关动作，使得滤波器等无源器件小型化，提高功率密度。6、开通电压高于高于SI器件，推荐使用Vgs为18V或者20V，虽然开启电压只有2．7V，但只有驱动电

（一）初识SiC科技前沿—第三代半导体技术—碳化硅SiC：技术和市场数据来源：知乎、英飞凌官网、ST官网一、硅的瓶颈与宽禁带半导体的兴起上世纪五十年代以来，以硅（Si）材料为代表的第一代半导体材料取代了笨重的电子管引发了集成电路（IC）为核心的微电子领域迅速发展。然而，由于硅材料的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低，Si在光电子领域和高频高功率器件方面的应用受到诸多限制，在高频下工作性能较差，不适用于高压应用场景，光学性能也得不到突破。所以，以砷化镓（GaAs）为代表的第二代半导体材料开始崭露头