门极可关断晶闸管GTO

a)  各单元的阴极、门极间隔排列的图形 

b) 并联单元结构断面示意图

c) 电气图形符号

■晶闸管的一种派生器件，但可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断，因而属于全控

型器件。

■GTO的结构和工作原理

    ◆GTO的结构

       ☞是PNPN四层半导体结构。

       ☞是一种多元的功率集成器件，虽然外部同样引出三个极，但内部则包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO单元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。

a) 双晶体管模型  b) 工作原理

◆GTO的工作原理

    ☞V1、V2的共基极电流增益分别是a1、a2。a1+a2=1是器件临界导通的条件，大于1导通，小于1则关断。

    ☞GTO与普通晶闸管的不同

      √设计a2较大，使晶体管V2控制 灵敏，易于GTO关断。

      √导通时a1+a2更接近1，导通时接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大。

      √多元集成结构，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流。

☞GTO的导通过程与普通晶闸管是一样的，只不过导通时饱和程度较浅。

☞关断时，给门极加负脉冲，即从门极抽出电流，当两个晶体管射极电流IA和IK的减小使 𝒂𝟏+𝒂𝟐 < 𝟏 时，器件退出饱和而关断。

☞GTO的多元集成结构使得其比普通晶闸管开通过程更快，承受di/dt的能力增强。 

 

GTO的开通和关断过程电流波形

■GTO的动态特性

   ◆开通过程与普通晶闸管类似。

   ◆关断过程

       ☞储存时间ts

           下降时间tf

           尾部时间tt

       ☞通常tf比ts小得多，而tt比ts要长。

       ☞门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡， ts就越短。使门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在tt阶段仍能保持适当的负电压，则可以缩短尾部时间。

 

■GTO的主要参数

   ◆GTO的许多参数都和普通晶闸管相应的参数意义相同。

   ◆最大可关断阳极电流IATO

       ☞用来标称GTO额定电流。

   ◆电流关断增益boff

       ☞最大可关断阳极电流IATO与门极负脉冲电流最大值IGM之比。

       ☞boff一般很小，只有5左右，这是GTO的一个主要缺点。

   ◆开通时间ton

       ☞延迟时间与上升时间之和。

       ☞延迟时间一般约1~2ms，上升时间则随通态阳极电流值的增大而

   增大。

   ◆关断时间toff

       ☞一般指储存时间和下降时间之和，而不包括尾部时间。

       ☞储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间一般小于2ms。