LNA从零开始(1)

需要单管仿真是因为工艺和pdk里面没有给Id和Vd时候才需要进行单管仿真来看单管能达到的性能指标以及找出最合适的直流偏置

找直流偏置时可以使用模板，如下：
直流仿真结果如下：
从其中找出最合适的偏置电压和偏置电流。
合适：在此电压电流下，进行单管仿真后能得到的最大增益、NFmin、合适的S参数。
仿真电路：

然后可以进行一级LNA的匹配。
输入匹配即最小噪声匹配，输出匹配即最大功率匹配。
具体匹配过程可参考ADS2011参考书。

在已知直流偏置情况下，直接给电压来达到要求即可。

论文笔记
An 18-30GHz GaN Low-Noise Amplifier with 0.52-0.74dB Noise Figure.
Zhi-Jian Chen1*, Yu Zou1, Jun-kai Lai1, Bin Li1, Xiao-Ling Lin2
NF主要由第一级放大器决定；共源极放大器非常适合第一级放大器来改善噪声系数。
栅极和漏极之间的Miller电容会导致电路不稳定和较低的最大稳定增益，因为对于绝对稳定性设置，通常需要电感的源极退化结构（这个结构很重要）。
其中的输入匹配网络包括：C1、Cd1、TLs、四分之一波长传输线，其中TLs可以提高稳定性（即源极退化结构），Cd1为去耦电容。

由于晶体管的寄生电容，小信号增益会随着频率增加而迅速下降，导致增益平坦度和稳定性差。解决办法是：设计具有高通特性的匹配电路，以抑制低频增益。如图所示，级间匹配电路中的并联TLd、TLg、TL2起着这样的作用。它们在低频下表现出非常低的阻抗，因此可以将小信号电流旁路到地。当低频增益被抑制时，3 dB带宽和稳定性都会相应提高。值得一提的是，这样的高通网络不适合放置在输入或输出匹配电路中，因为高通滤波器引入的反射可能会恶化I/O回波损耗。对于级联单元，TL1用于谐振两个晶体管之间的寄生电容，以避免高频损耗。相对仿真如图3所示。

虽然源退化刺伤和高通网络都有效地提高了感兴趣频段的稳定性，但也需要考虑带外稳定性。如图所示，电阻（R1）用于防止Cd2和L1键合线在0-10GHz时的谐振，因为谐振可能会在漏极上产生巨大的负载阻抗并导致不稳定。此外，还引入了电容C3以抑制60GHz时的小信号增益，从而实现高频稳定性。