宽带LNA设计

本文详细介绍了宽带低噪声放大器中负反馈技术的应用,包括并联和串联负反馈的原理与影响。通过PHEMT的等效电路分析,探讨了反馈电阻对增益的影响。此外,还讨论了稳定性系数和噪声系数在设计中的重要性,为优化放大器性能提供了理论依据。

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一、基础概念介绍

宽带低噪声放大器可以多种方式设计,不同类型的结构在应用中有优点也有缺点,在应用中亦有不同的解决方案。其中,负反馈结构的放大器由于简单的结构、平坦的增益响应,易于在宽带范围内降低输入、输出电压驻波系数等优点可到了广泛应用。本文就是采用负反馈技术来拓宽频带宽度,下面首先对负反馈技术作简单介绍。

(一)负反馈技术

负反馈的含义就是晶体管的输出端口信号流经某一特定回路,回到晶体管的输入端口,并与输入端口信号相互反相叠加运算,减小晶体管输入端口的信号幅度。反之,若反馈回去的信号与输入端口信号正相叠加运算,那么晶体管输入端口的信号幅度将加强,称其正反馈。

负反馈技术可以在低频段将与输入信号反相的输出信号耦合到输入端口处,使其与输入信号反相叠加运算,减小晶体管输入端口的信号幅度,减小低频带的增益;在高频段,将与输入信号同相的输出信号耦合到输入端口处,使其与输入信号同相相叠加运算,增强晶体管输入端口的信号幅度,进而提高高频段增益,这样就使得放大器的增益在宽频带内变得平坦。同时,负反馈技术还有提高放大电路的稳定性、减小输入输出驻波比等优点。但是,负反馈技术也有其缺点,那就是反馈回路中的电阻将会减弱放大器的输出功率,并且会使放大器的噪声系数有所增大。

常用的放大器负反馈技术主要有两类,一种类型是串联负反馈,另一种类型则是并联负反馈
在这里插入图片描述

1、 并联负反馈

并联负反馈原理是将RLC串联网络并联连接到晶体管的漏级和栅极之间,在低频段时,反馈信号可以通过电感"进入输入端口,此时起主要作用的是电阻Rf.可以通过调节电阻Rf的大小来控制反馈量的多少,以达到压低低频增益的目的;在高频段时,由于电感Lf的高阻特性,使得高频反馈信号反馈量减弱,同时由于高频反馈信号与输入端口信号相位差小于90度,这使得通过两者叠加运算后,提高了高频增益,也使增益平坦度得到了提高。电容Cf是隔直电容,以防偏置电流进入晶体管的输入端,同时隔直电容Rf的引入同时考虑了反馈电路和直流偏置电路,将会影响放大器增益的频率响应,可以通过调节电容值的大小调节负反馈回路的相位

下面运用PHEMT的等效电路来分析反馈电阻凡对于增益的影响,等效电路模型如图:晶体管小信号负反馈等效电路:
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晶体管漏源电容Cgs在反馈电路中可以忽略不计,因此,等效电路的导纳矩阵可以用以下关系表示:
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通过推导导纳矩阵和S参数之间的关系,可得到相关S参数如下:
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其中Z0是特征阻抗,Rf是并联反馈电阻。
理想情况下,如果输入匹配网络是匹配的,那么就会有S11=S22=0,经整理可得:
在这里插入图片描述
从式中可以看出,负反馈放大器的增益只与并联反馈电阻值Rf的大小有关,而与频率无关。

举个例子:
如果设计增益为15dB,
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同时,在高频段需要考虑晶体管的寄生参数,由此增加了一个与反馈电阻Rf串联的电感Lf,该电感Lf的作用是减小反馈环在高频段的反馈量,以补偿Rf带来的S21在高频段减小的附加影响。
在这里插入图片描述
Cf的值通过调谐得到。

2、 串联负反馈

对于串联负反馈,电阻Rs可以作为一个偏置网络稳定放大器的静态工作点,电容Cs的取值要对工作频段内的信号实现对地短路,此时电阻Rs和电容Cs体积必须尽量小,必须要和晶体管的管脚紧密相连,否则就有可能构成传输线效应,对电路的匹配产生影响,串联负反馈可以增大工作频段内放大器端口阻抗的实部进而提高放大器的工作稳定性,缩小最佳噪声阻抗和端口阻抗的差异,便于在进行最小噪声匹配的同时实现较好的输入输出阻抗匹配,实际上,通常采用一段微带线来代替电阻Rs,并通过大量仿真找到合适的微带线阻抗蓉儿改善输入阻抗,提高稳定性,且不降低高频段增益。

(二)、稳定性系数

放大电路的稳定状态分为两种,一种是绝对稳定状态,另一种是条件稳定状态,一般我们要求放大器工作在绝对稳定的状态下。对于二端口网络而言,一般使用K准则来判定放大器是否居于绝对稳定,其公式为在这里插入图片描述
为了将放大器振荡的可能性降到最低,通常要求K>1,式2 绝对值<1这两个条件同时成立,放大器的稳定性与S参数、偏置电路和频率等有关。

(三)、噪声系数

在这里插入图片描述
在这里插入图片描述

二、ADS仿真设计流程

具体的ADS设计流程可以参考笔者的文章链接:

三、测试过程

具体的测试过程可以参考笔者的文章链接:

参考文献

1、TD_LTE 5G射频前端关键器件的研究与设计

2、UWB LNA的增益平坦化及稳定性的反馈技术

3、0.03~4.5GHz超宽带低噪声放大器设计与实现

### 关于 pHEMT 元件的技术资料和库 对于三安 Sanan 的 0.25μm GaAs pHEMT 工艺中的 E-HEMT (Enhancement-mode High Electron Mobility Transistor),其主要涉及的是增强型高电子迁移率晶体管的设计与特性分析。在 Characterization 和 Load Pull 测试过程中,通常需要借助特定的仿真工具以及元件模型库来完成电路设计和优化。 #### 技术资料获取途径 针对 pHEMT 元件的相关技术资料或库下载,可以考虑以下几个方向: 1. **学术资源站点** 学校或研究机构网站通常是查找技术文档的理想场所。通过搜索引擎限定 `site:edu` 或 `site:gov` 可以找到由大学或政府实验室发布的公开论文和技术报告。这些资源可能包括详细的工艺参数、测试数据以及建模方法[^1]。 2. **开源平台 GitHub** 在 GitHub 上搜索关键词如 “pHEMT library” 或者更具体的组合词组(例如:“GaAs pHEMT model”,“enhancement mode HEMT simulation”),能够发现一些开发者分享的 SPICE 模型文件或其他形式的器件库。注意验证所获得代码的质量及其适用范围[^2]。 3. **商业软件配套数据库** 如果正在使用的EDA( Electronic Design Automation )工具有提供官方支持,则可以直接访问对应厂商提供的标准单元库或者第三方插件扩展包。比如ADS(Agilent Design System), Microwave Office 等都内置了多种半导体材料制成的不同规格场效应管的数据表供用户调用并进行精确模拟计算[^3]。 4. **专利查询服务** 利用USPTO美国专利商标局官网或者其他国际知识产权组织所提供的免费检索功能定位到具体型号产品的保护声明书里面往往也会附带部分关键结构描述图解说明等内容有助于深入理解该类元器件内部工作原理机制等方面的知识点[^4]。 以下是 Python 脚本示例用于自动化爬取某些允许抓取教育网域内的相关内容链接作为进一步筛选依据之一: ```python import requests from bs4 import BeautifulSoup def search_phemt_libraries(query): base_url = f"https://www.google.com/search?q={query}+site%3Aedu" headers = {"User-Agent": "Mozilla/5.0"} response = requests.get(base_url, headers=headers) soup = BeautifulSoup(response.text, 'html.parser') results = [] for g in soup.find_all('div', class_='g'): anchors = g.find_all('a') if anchors: link = anchors[0]['href'] title = g.find('h3').text item = { "title": title, "link": link } results.append(item) return results if __name__ == "__main__": query = input("Enter your query about pHEMT libraries:") libs = search_phemt_libraries(query) for lib in libs[:5]: print(f"{lib['title']}\n{lib['link']}\n") ``` 此脚本仅作演示用途,请确保遵守目标网站的服务条款后再实际运行此类程序。
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