存储系统【考研/408】

按在计算机中的作用（层次）分类

主存

辅存

Cache

 

按存储介质分类

磁表面存储器：磁盘、磁带

磁芯存储器、半导体存储器：MOS、双极型存储器

光存储器：光盘

 

按存取方式分类

随机存储器：RAM，存取时间与物理位置无关，断电丢失

只读存储器：ROM，只读不写断电不丢失，内容固定不变

串行访问存储器：磁带、磁盘，读写时，需按物理位置先后寻址

 

按信息的可保存性分类：

易失性：断电信息丢失，RAM

非易失性：断电信息任在，ROM、磁表面存储器、光存储器

破坏性读出：读出时，被读单元存储信息被破坏，每次读出后必须再生，以恢复信息

非破坏性读出：读出时，被读单元存储信息不被破坏

 

数据传输率=数据的宽度/存储周期

存储容量=存储字数 X 字长

 

平均存取时间=命中率x命中时的存取时间+（1-命中率）x未命中的存取时间

 

地址线 （用于寻址）	数据线 （用于读写）	芯片容量
A	B	2𝐴×𝐵

若容量是1024X8位，则说明地址线需要10根，数据线8根

地址复用技术：可以使地址线减少一半，但地址复用的片选线（1根）用行通选和列通选（2根）代替

 

SRAM:静态随机存储器，非破坏性读出

DRAM：（按行刷新）动态随机存储器，破坏性读出，隔段时间必须刷新，否则信息消失

刷新方法：

集中刷新：利用一段固定时间集中刷新，这一段时间内停止读写，称为 死时间，又称防存死区

分散刷新：把对每一行的刷新分散到各个时间，因此存储器的工作周期分为两部分，前半部分正常读写，后半部分用于刷新某一行。没有死区，但加长了存取周期，降低了整机的速度

异步刷新：将刷新周期除以行数，得到两次刷新间t，每隔t刷新一次，缩短了死时间

DRAM刷新：对CPU是透明的，不依赖于外部的访问

DRAM采用传2次地址的方式，所以只需要一半的地址线

读写控制线：当只有一根线时，𝑊𝐸（低电平写，高电平读）当有二根线时，𝑂𝐸（允许读），𝑊𝐸（允许写）

 

ROM类型：

MROM（掩模式只读存储器）：厂家写入 无法改写 可靠性高 集成度高 便宜 灵活性差

PROM（一次可编程只读存储器）：允许用户写入一次，一旦写入，无法改变

EPROM（可擦除可编程只读存储器）：可以有限次擦写，且写入时间长

Flash Menmory（闪存）：不用加电，长期保存，可快速擦写，便宜，集成度高

Solid State Drives（固态硬盘）：可长期保存，快速擦写，低功耗，价格高

 

 

若芯片 2K×8位，则说明 2K是字，8位是位，2K往上涨是字扩展，8位那是位扩展

2K往上涨是要芯片上下叠加，8位往上则是芯片并联

2K×8位=2KB，按字节编址的话，就说明有2K个存储单元可以放东西

 

如果地址要以4B编址，则至少需要32位才能表示4B的地址，所以必须得位扩展到32位

 

双端口RAM：

 

多体并行存储器

1）高位交叉编址（顺序方式）：高位地址为体号，低位地址为体内地址

2）低位交叉编制（交叉方式）：低位地址为体号，高位地址为体内地址，采用流水线技术，一个存储周期可以连续访问体号x位数的量，比如有4个模块，每个模块32bit的字长，所以一个存储周期可以取4x32bit的量

 

体号：4体并行就是4个模块，所以体号是4

存储器交叉模块数（交叉存取度）m=T(取一个字的存取周期)/r(总线传送周期)

 

如果四体交叉编址，地址是8000和8004，则8000 mod 4 = 0    8004 mod 4 = 0 则8000和8004都在0模块，所以他们俩可能冲突，因为可能同时取

 

 

Cache和主存的映射方式

二路组映射（每组2块存储单元）

 

1、直接映射（对号入座

主存中的每一块只能装入Cache的唯一位置，导致冲突概率高，利用率低

𝑗：Cache块号（又称Cache行号）

主存字块标记记录的是阵列容量的标记信息。通俗的说，就是记录一些和替换算法有关，以及保持cache和主存数据一致性的一些信息。

 

2、全相联映射（空位随便放

 

3、组相联映射（按号分组，组内随便放

 

标记除了上面的固定标记位，还有 有效位（1bit/一定有）、脏位/一致性维护（1bit）、替换控制位

Cache中主存块替换算法：

1、随机算法

2、先进先出算法（FIFO）

3、近期最少使用算法（LRU）

4、最不经常使用算法（LFU）

 

Cache写策略：

写命中时：

1、全写法：把数据同时写入Cache和主存

2、写回法：只修改Cache，不立即写入主存，仅Cache中被换出时，才写入主存（一定有赃位）

写不命中时：

1、写分配法：加载主存中的块到Cache，然后更新这个Cache块。试图利用空间局部性，但每次不命中都需要加载一块到Cache。

2、非写分配法：直接写入主存，不进行调块。

通常组合：

全写法+非写分配法

写回法+写分配发

 

 

 

虚拟存储器

利用系统的局部性原理

扩大主存空间

 

实地址=主存页号+页内字地址

虚地址=虚存页号+页内字地址

辅存地址=磁盘号+盘面号+磁道号+扇区号

 

页式虚拟存储器

加快地址转换：快表（TLB）

采用全相联映射，用SRAM（快）

 

 

段式虚拟存储器

 

段页式虚拟存储器

逻辑分段，然后分页，所以以页作为单位交换内容

 

Cache中存放的是内存的副本

TLB快表中存放的是Page页表的副本

 

虚拟地址转换为物理地址，然后根据映射关系，看物理地址能映射到哪，从能映射的地方找标记和物理地址标记相同的，有相同的，就命中cache，没有就缺页