RAM
1:
- 数据线
- 地址线
- RD
- WE
- CS
9
- 地址服用技术
- 采用地址服用技术的时候,通过行通选,和列通选,两次传送地址信号
- 因此地址线缩减为5根,数据线仍然为8根,再加上行列通选,以及读写(片选由行通选代替)
- 所以总共是 5 + 8 +4 = 17根
10
- 22 位 + 8 位= 30 位
- 但是DRAM采用、地址服用技术,地址线是原来的 1/ 2,故 为 11 + 8 = 19
12
- 闪存flush,读比写要快一些
- 存储单元是由MOS管组成的
- 掉电之后信息不丢失,SSD
- 采用随机访问的方式,可以替代计算机外部的存储器
13:
-
A
-
Cache RAM是易失性的存储器
-
SRAM
-
DRAM也是易失性
-
FLASH 闪存,又叫做U盘,这个是非
-
SSD
-
PROM是只能一次的
-
EPROM虽然多次,但是也不能作为随机存储器
14:
- 闪存属于EEPROM,随机存取的,但是不是随机存取存储器
- 随机存取存储器特别指的是 RAM,
- ROM 是 只读存储器
15:
-
B、
-
内部的存储器采用
-
RAM 和 ROM
-
操作系统在硬盘上,则内存存储器使用RAM,操作系统肯定要在硬盘上,
-
所以需要引导程序,将BIOS从硬盘引导到RAM中
16:
- EPROM是可以多次重写的,但是写的时候是可以采用电擦除或者是紫外线擦除
- 所以说速度比较慢,不能作为随机存取
17:
- 动态随机存储器
- 刷新的时候需要占用一个个存储周期
18:
- 需要周期性刷新的是SDRAM