MOS管热阻测试原理过程分析及改进

热阻是依据半导体器件PN结在指定电流下两端的电压随温度变化而变化为测试原理，来测试功率半导体器件的热稳定性或封装等的散热特性，通过给被测功率器件施加指定功率、指定时间，PN结两端的电压变化（△VBE/△VF/△VGK/△VT/△VSD）作为被测器件的散热判据。并与指定规范值比较，根据测试结果进行筛选，将散热性差的产品筛选掉，避免散热性差的产品在应用过程中，因温升过高导致失效。
MOS热阻测试是通过测试MOS体二极管两端电压变化△VSD来实现的，先后分别测试MOS管MOS体二极管正向压降Vsd1（加热前）和Vsd2（加热后）。
步骤：
1、MOS加热前，先测量让MOS体二极管以Is电流（Is=10mA）流动时的Vsd1值，原理图见下图-左；
2、给MOS管Vgs加压，让MOS以ID电流开通PT时间，加热MOS管，原理图见下图-中；
3、再测量让MOS体二极管以Is电流（Is=10mA）流动时的Vsd2值，原理图见下图-右；
4、DVDS=Vsd1-Vsd2，DVDS正常合格范围为45~85mV；