MOS管在电动车控制板中的应用及其特性解析

一、MOS管应用电路
MOS驱动，有几个特别的需求:

低压应用

当运用5V电源，这时分假如运用传统的图腾柱构造，由于三极管的Vbe有0.7V左右的压降，招致实践最终加在Gate上的电压只要4.3V。这时分，我们选用标称Gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险；同样的问题也发作在运用3V或者其他低压电源的场所。

宽电压应用

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他要素而变动。这个变动招致PWM电路提供应MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高VGate下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制VGate的幅值。在这种状况下，当提供的驱动电压超越稳压管的电压，就会惹起较大的静态功耗。

同时，假如简单的用电阻分压的原理降低VGate，就会呈现输入电压比拟高的时分，MOS管工作良好，而输入电压降低的时分VGate缺乏，惹起导通不够彻底，从而增加功耗。

双电压应用

在一些控制电路中，逻辑局部运用典型的5V或者3.3V数字电压，而功率局部运用12V以至更高的电压。两个电压采用共中央式衔接。

这就提出一个请求，需求运用一个电路，让低压侧可以有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。

在这三种状况下，图腾柱构造无法满足输出请求，而很多现成的MOS驱动IC，似乎也没有包含Vgate限制的构造。于是设计了一个相对通用的电路来满足这三种需求。用于NMOS的驱动电路如下所示：

Vl和Vh分别是低端和高端的电源，两个电压能够是相同的，但是V